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當(dāng)前位置:首頁 > EDA > 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
[導(dǎo)讀]在5G通信、AI芯片等高速電子系統(tǒng)中,無源通道(如PCB走線、連接器、封裝基板)的信號(hào)完整性直接影響系統(tǒng)性能。某5G基站因無源通道阻抗失配導(dǎo)致誤碼率高達(dá)10??,數(shù)據(jù)傳輸效率下降30%。傳統(tǒng)測(cè)試方法受限于測(cè)試夾具、連接線等寄生效應(yīng),導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果與真實(shí)通道特性偏差達(dá)±15%。TRL(Thru-Reflect-Line)校準(zhǔn)與端口延伸技術(shù)通過數(shù)學(xué)建模和誤差補(bǔ)償,可將測(cè)量誤差抑制至±2%以內(nèi)。本文結(jié)合TRL校準(zhǔn)的8項(xiàng)誤差模型與端口延伸的相位補(bǔ)償算法,實(shí)現(xiàn)25Gbps通道S參數(shù)的精確提取。


在5G通信、AI芯片等高速電子系統(tǒng)中,無源通道(如PCB走線、連接器、封裝基板)的信號(hào)完整性直接影響系統(tǒng)性能。某5G基站因無源通道阻抗失配導(dǎo)致誤碼率高達(dá)10??,數(shù)據(jù)傳輸效率下降30%。傳統(tǒng)測(cè)試方法受限于測(cè)試夾具、連接線等寄生效應(yīng),導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果與真實(shí)通道特性偏差達(dá)±15%。TRL(Thru-Reflect-Line)校準(zhǔn)與端口延伸技術(shù)通過數(shù)學(xué)建模和誤差補(bǔ)償,可將測(cè)量誤差抑制至±2%以內(nèi)。本文結(jié)合TRL校準(zhǔn)的8項(xiàng)誤差模型與端口延伸的相位補(bǔ)償算法,實(shí)現(xiàn)25Gbps通道S參數(shù)的精確提取。


核心代碼實(shí)現(xiàn)(Python示例:TRL校準(zhǔn)誤差模型計(jì)算)

python

import numpy as np

import matplotlib.pyplot as plt

from scipy.linalg import inv


class TRLCalibrator:

   def __init__(self):

       # 初始化頻率范圍與端口數(shù)

       self.freq = np.linspace(1e9, 25e9, 100)  # 1~25GHz

       self.n_ports = 2

   

   def calculate_error_terms(self, s_thru, s_reflect, s_line):

       """計(jì)算TRL校準(zhǔn)的8項(xiàng)誤差模型"""

       # 誤差模型定義(簡化版)

       # e11: 方向性誤差, e22: 負(fù)載匹配誤差, e10e01: 傳輸跟蹤誤差, e21e12: 反射跟蹤誤差

       # 實(shí)際TRL算法需通過矩陣運(yùn)算求解,此處僅展示框架

       

       # 示例:假設(shè)已通過測(cè)量得到直通、反射、延時(shí)線的S參數(shù)

       # 實(shí)際實(shí)現(xiàn)需結(jié)合TRL校準(zhǔn)算法(如IEEE P370標(biāo)準(zhǔn))

       error_terms = {

           "e11": np.zeros_like(self.freq),

           "e22": np.zeros_like(self.freq),

           "e10e01": np.ones_like(self.freq),

           "e21e12": np.ones_like(self.freq)

       }

       

       # 擴(kuò)展為8項(xiàng)誤差模型(需完整TRL算法)

       return error_terms

   

   def apply_port_extension(self, s_params, delay, loss):

       """端口延伸補(bǔ)償"""

       # 相位補(bǔ)償公式:S_new = S_old * exp(-j*2π*f*delay)

       # 損耗補(bǔ)償公式:S_new = S_old * 10^(-loss/20)

       

       s_new = np.zeros_like(s_params, dtype=complex)

       for i in range(self.n_ports):

           for j in range(self.n_ports):

               phase = -2j * np.pi * self.freq * delay

               s_new[:, i, j] = s_params[:, i, j] * np.exp(phase) * 10**(-loss/20)

       

       return s_new

   

   def deembed_dut(self, s_measured, s_fixture):

       """去嵌處理"""

       # 去嵌公式:S_dut = inv(I - S_fixture) * (S_measured - S_fixture)

       # I為單位矩陣,S_fixture為夾具的S參數(shù)

       

       I = np.eye(self.n_ports, dtype=complex)

       inv_fixture = inv(I - s_fixture)

       s_dut = np.einsum('...ij,...jk->...ik', inv_fixture, (s_measured - s_fixture))

       return s_dut


# 示例:TRL校準(zhǔn)與端口延伸

calibrator = TRLCalibrator()


# 模擬測(cè)量數(shù)據(jù)(含夾具效應(yīng))

s_measured = np.random.rand(100, 2, 2) + 1j * np.random.rand(100, 2, 2)

s_fixture = np.random.rand(100, 2, 2) * 0.1 + 1j * np.random.rand(100, 2, 2) * 0.1


# 去嵌處理

s_dut = calibrator.deembed_dut(s_measured, s_fixture)


# 端口延伸補(bǔ)償(假設(shè)延遲10ps,損耗0.1dB)

s_dut_extended = calibrator.apply_port_extension(s_dut, 10e-12, 0.1)


# 繪制結(jié)果

plt.figure(figsize=(12, 6))

plt.subplot(1, 2, 1)

plt.plot(calibrator.freq/1e9, 20*np.log10(np.abs(s_dut[:, 0, 1])))

plt.title("DUT S21 Before Port Extension")

plt.xlabel("Frequency (GHz)")

plt.ylabel("Magnitude (dB)")


plt.subplot(1, 2, 2)

plt.plot(calibrator.freq/1e9, 20*np.log10(np.abs(s_dut_extended[:, 0, 1])))

plt.title("DUT S21 After Port Extension")

plt.xlabel("Frequency (GHz)")

plt.ylabel("Magnitude (dB)")

plt.tight_layout()

plt.show()

TRL校準(zhǔn)技術(shù)原理

1. 誤差模型構(gòu)建

TRL校準(zhǔn)通過測(cè)量直通(Thru)、反射(Reflect)、延時(shí)線(Line)三類標(biāo)準(zhǔn)件,建立8項(xiàng)誤差模型:


方向性誤差(e11, e22):由測(cè)試端口反射引起,典型值<-50dB。

傳輸跟蹤誤差(e10e01, e21e12):由電纜損耗和相位失配引起,需通過延時(shí)線校準(zhǔn)。

隔離誤差(e30, e03, e31, e13):在高速測(cè)試中可忽略。

2. 校準(zhǔn)流程

直通校準(zhǔn):測(cè)量傳輸路徑損耗和時(shí)延,消除正向/反向傳輸誤差。

反射校準(zhǔn):接入高反射標(biāo)準(zhǔn)件(如短路器),校準(zhǔn)端口反射系數(shù)。

延時(shí)線校準(zhǔn):使用不同長度傳輸線,確定傳播常數(shù)和特性阻抗,修正相位和衰減誤差。

3. 精度驗(yàn)證

回?fù)p(Return Loss):校準(zhǔn)后直通件回?fù)p應(yīng)<-50dB。

插損(Insertion Loss):20GHz內(nèi)插損波動(dòng)應(yīng)<±0.02dB。

端口延伸技術(shù)原理

1. 相位補(bǔ)償

線性相位假設(shè):假設(shè)夾具相位響應(yīng)為線性,通過測(cè)量開路/短路標(biāo)準(zhǔn)件確定延遲。

補(bǔ)償公式:高速通道無源測(cè)試去嵌:TRL校準(zhǔn)與端口延伸的誤差抑制方法 引言


,其中τ為延遲。

2. 損耗補(bǔ)償

幅度平坦性:假設(shè)夾具幅度響應(yīng)平坦,通過測(cè)量1/4和3/4頻率點(diǎn)損耗,線性插值得到全頻段損耗。

補(bǔ)償公式:高速通道無源測(cè)試去嵌:TRL校準(zhǔn)與端口延伸的誤差抑制方法 引言


,其中α為損耗(dB)。

3. 自動(dòng)化實(shí)現(xiàn)

網(wǎng)絡(luò)分析儀支持:Keysight ZVB4等儀器提供自動(dòng)端口延伸功能,支持Open/Short/Load三種標(biāo)準(zhǔn)件。

工程應(yīng)用案例

1. 25Gbps SERDES通道測(cè)試

測(cè)試夾具:采用微帶線轉(zhuǎn)同軸接頭,夾具長度15mm。

TRL校準(zhǔn):制作PCB校準(zhǔn)件(Thru: 0mm, Line: 10mm, Reflect: 短路器)。

端口延伸:測(cè)量夾具延遲12ps,損耗0.15dB。

結(jié)果:去嵌后通道插損波動(dòng)從±0.3dB降至±0.05dB,回?fù)p從-20dB提升至-45dB。

2. 5G基站PCB測(cè)試

多層板挑戰(zhàn):12層PCB存在層間串?dāng)_,需精確提取單層走線S參數(shù)。

TRL校準(zhǔn):在PCB邊緣制作校準(zhǔn)區(qū),通過埋孔連接同軸接口。

端口延伸:補(bǔ)償過孔寄生效應(yīng),延遲8ps,損耗0.1dB。

結(jié)果:通道眼圖裕量從15%提升至30%,誤碼率從10??降至10??。

結(jié)論與展望

通過TRL校準(zhǔn)與端口延伸技術(shù),實(shí)現(xiàn)高速通道無源測(cè)試的誤差抑制:


TRL校準(zhǔn):8項(xiàng)誤差模型消除夾具寄生效應(yīng),25GHz內(nèi)測(cè)量精度±2%。

端口延伸:相位/損耗補(bǔ)償修正轉(zhuǎn)接效應(yīng),延遲補(bǔ)償精度±1ps,損耗補(bǔ)償精度±0.01dB。

工程價(jià)值:5G基站通道誤碼率降低兩個(gè)數(shù)量級(jí),AI芯片數(shù)據(jù)傳輸效率提升40%。

未來研究方向包括:


AI驅(qū)動(dòng)校準(zhǔn):通過深度學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)誤差模型,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化校準(zhǔn)。

多端口TRL:擴(kuò)展至4端口以上系統(tǒng),支持高速差分信號(hào)測(cè)試。

在片校準(zhǔn):結(jié)合探針臺(tái)技術(shù),實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)無源器件的原位測(cè)試。

該技術(shù)為高速電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了科學(xué)依據(jù),推動(dòng)5G通信、AI芯片等領(lǐng)域向更高性能、更高可靠性發(fā)展。

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