北京2025年4月25日 /美通社/ -- 作為射頻和無(wú)線通信設(shè)計(jì)領(lǐng)域的盛會(huì)，EDICON 2025于4月23-24日在北京召開，吸引了國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的射頻和設(shè)計(jì)公司出席。三安作為射頻前端芯片制造平臺(tái)的代表企業(yè)，受邀出席并做技術(shù)報(bào)告，與到場(chǎng)的設(shè)計(jì)工程師和系統(tǒng)集成商分享當(dāng)下無(wú)線通信市場(chǎng)的應(yīng)用趨勢(shì)思考，以及最新的射頻工藝進(jìn)展。

在全球智能手機(jī)市場(chǎng)出貨增長(zhǎng)趨緩的大背景下，消費(fèi)者對(duì)終端的性能需求持續(xù)高漲，催生出大約1200億人民幣的射頻前端市場(chǎng) ，其中本地化AI、5G新應(yīng)用和模組化趨勢(shì)都在需求更多更好的射頻前端器件。三安憑借在砷化鎵材料多年的外延研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)迭代砷化鎵射頻工藝能力，支持設(shè)計(jì)客戶在新技術(shù)時(shí)代的產(chǎn)品升級(jí)；以平臺(tái)化的制造服務(wù)能力，從系統(tǒng)層面提升客戶設(shè)計(jì)效率和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

新應(yīng)用要求智能手機(jī)在更高頻段中承載更多的數(shù)據(jù)流量，因此射頻前端器件必須具備更高的功放效率和更好的線性度，復(fù)雜工況下進(jìn)一步要求器件具備足夠好的頑健性。三安第三代砷化鎵HBT工藝HP36/56采用三安自主開發(fā)外延，改善電容結(jié)構(gòu)，以提升器件可靠性；在測(cè)試條件下，相比前代工藝的功放效率提升約3%，其中HP36為高階5G應(yīng)用定向開發(fā)了高線性度能力，HP56則是為復(fù)雜應(yīng)用增強(qiáng)了器件的頑健性。

為適應(yīng)射頻前端設(shè)計(jì)的模組化趨勢(shì)，三安砷化鎵工藝平臺(tái)提供銅柱工藝以支持器件進(jìn)行倒裝封裝，優(yōu)化射頻器件尺寸，提升系統(tǒng)效率；銅柱工藝全面采用激光切割工藝，可以進(jìn)一步縮小銅柱間隙，為客戶未來(lái)設(shè)計(jì)需求儲(chǔ)備技術(shù)能力。同時(shí)，三安提供的濾波器也為客戶的高階模組設(shè)計(jì)提供支持，采用鍵合TC-SAW技術(shù)路線，具備向1612以下尺寸快速迭代的能力；在封裝端采用WLP封裝形式，進(jìn)一步滿足模組設(shè)計(jì)的集成化需求。

三安將持續(xù)投入砷化鎵材料和射頻器件工藝研發(fā)，持續(xù)關(guān)注市場(chǎng)趨勢(shì)和客戶需求，以穩(wěn)定的供應(yīng)和質(zhì)量管理支持客戶產(chǎn)品迭代，與行業(yè)客戶共同推進(jìn)無(wú)線通信技術(shù)變革，加速高能效通信網(wǎng)絡(luò)時(shí)代的到來(lái)。