3月26日消息，據報道，由美國哥倫比亞大學與康奈爾大學等科研機構的科學家們組成的聯合團隊，通過深度融合光子技術與先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)電子技術，成功研制出一款創(chuàng)新型三維光電子芯片。

該團隊精心打造的這款三維芯片，尺寸極為精巧，面積僅為0.3平方毫米，卻在如此微小的空間內實現了高度集成，其上搭載了80個高密度的光子發(fā)射器與接收器。

這一芯片擁有高達800吉字節(jié)/秒的超高速數據傳輸帶寬，并且每傳輸1比特數據，僅消耗120飛焦耳的能量，展現出卓越的能效表現。

同時，新芯片的帶寬密度達到5.3太字節(jié)/秒/平方毫米，遠超當前行業(yè)基準水平，凸顯其在性能上的巨大優(yōu)勢。尤為關鍵的是，最新芯片所采用的設計架構與現有的半導體生產線高度適配，這意味著大規(guī)模生產具備了切實可行的條件，有望在不久的將來實現產業(yè)化推廣。

光，作為一種極具潛力的通信媒介，具有以極小能量損耗傳輸海量數據的獨特優(yōu)勢。這一特性已然引發(fā)了基于光纖網絡的數據傳輸革命，重塑了互聯網的格局。如今，它又將觸角伸向計算領域，有望大幅拓展計算能力邊界。在計算機網絡中，各個節(jié)點間的數據通信效率一直是制約整體性能提升的關鍵因素，而一旦實現高效通信，人工智能(AI)技術的發(fā)展將迎來全新的局面。

最新芯片集成了光子技術，這種超節(jié)能、高帶寬的數據通信鏈路，有望消除空間上不同計算節(jié)點之間的帶寬瓶頸，促進下一代AI計算硬件的研發(fā)，為實現更快、更高效的AI技術開辟了新途徑。此前由于能耗和數據傳輸存在延遲現象而無法實現的分布式AI架構，也將因此得以實現。