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[導(dǎo)讀]為增進大家對VCSEL的認識,本文將對VCSEL的特殊形態(tài)以及VCSEL封裝予以介紹。

VCSEL能夠以二維陣列進行,使單個芯片可以包含數(shù)百個、數(shù)千個單獨的光源,以增加最大輸出功率和提升長遠的可靠性。為增進大家對VCSEL的認識,本文將對VCSEL的特殊形態(tài)以及VCSEL封裝予以介紹。如果你對VCSEL具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、VCSEL有哪些形態(tài)

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,簡稱VCSEL,又譯垂直共振腔面射型激光)是一種半導(dǎo)體,其激光垂直于頂面射出,與一般用切開的獨立芯片制程,激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。

在制作的過程中,VCSEL比邊射型激光多了許多優(yōu)點。邊射型激光需要在制作完成后才可進行測試。若一個邊射型激光無法運作,不論是因為接觸不良或者是物質(zhì)成長的品質(zhì)不好,都會浪費制作過程與物質(zhì)加工的處理時間。然而VCSEL可以在制造的任何過程中,測試其品質(zhì)并且作問題處理,因為VCSEL的激光是垂直于反應(yīng)區(qū)射出,與邊射型激光平行于反應(yīng)區(qū)射出相反,所以可以同時有數(shù)萬個VCSEL在一個三英寸大的砷鎵芯片上被處理。此外,既使VCSEL在制造的過程需要較多的勞動與較精細的材料,生產(chǎn)結(jié)果是可被控制的及更多可被預(yù)期的。

VCSEL的特殊形態(tài)包括:

·多重反應(yīng)區(qū)域設(shè)計(aka bipolar cascade VCSELs)。允許回饋時不同效能量值之間的差異超過100%。

·通道相接VCSEL:利用通道相接(np),一個對電子有利的n-np-p-i-n結(jié)構(gòu)就可以被建立,且可以影響其他結(jié)構(gòu)的分子。(e.g. in the form of aBuried Tunnel Junction(BTJ)).

·可利用機械式(MEMS)調(diào)整鏡面來廣泛的調(diào)整VCSEL。

·"芯片接合"或"芯片融合"VCSEL:利用兩種不同的半導(dǎo)體材料可以制造出不同性質(zhì)的底層。

·Monolithically光學(xué)泵VCSEL:兩個相疊合的VCSEL,其中一個利用光學(xué)來對另一個作泵。

·縱向的VCSEL整合監(jiān)測二極管:一個光二極管與VCSEL的背面鏡子做整合。

·橫向的VCSEL整合監(jiān)測二極管:利用適當(dāng)?shù)腣CSEL芯片石刻法,一個發(fā)光二極管就可以被制造用來測量鄰近VCSEL的發(fā)光強度。

·具有外部共振腔的VCSEL,參照VECSEL或是盤激光半導(dǎo)體disk laser。VECSEL是傳統(tǒng)激光二極管的光學(xué)泵。這樣的設(shè)置使裝置有更廣泛的區(qū)域可被泵,也因此有更多的能量可被吸收,大約30W左右。外部共振腔也允許了intracavity技術(shù),如頻率倍增、單頻操作和femtosecond pulse modelocking。

·垂直共振腔半導(dǎo)體光學(xué)擴大器VCSOA。與震蕩器不同,這個裝置使擴大器更優(yōu)化。因為VOSOA必須在限制下工作,故會要求減少鏡子的反射以達到減少回饋的作用。為了使訊號增至最大,這些裝置會包含大量的量子井(光學(xué)泵裝置已被證實有21-28個量子井),導(dǎo)致訊號的增加量值比典型的VCSEL來的大(約5%左右)。這裝置的運作于窄線寬的擴大器(約十幾個GHz),且可能可以有增強濾光器的效果。

二、VCSEL封裝

模塊的正常工作需要優(yōu)化的的封裝設(shè)計。一個好的封裝可以很好地保護內(nèi)部的組件,隔離外部干擾,并且還具 有散熱、機械定位、提供內(nèi)部和外部的光,以及電連接等作用。設(shè)計恰當(dāng)?shù)腣CSEL可擁有超過10 GHz的自身帶寬。

VCSEL有別于邊發(fā)射激光器,而是從表面發(fā)光,能大幅度簡化封裝,有效地降低成本。VCSEL與LED的封裝,測試工藝相容,它不需要棱鏡,在封裝上優(yōu)于LED,整個裝配線無須特別修改,適于低成本的批量制造。

VCSEL可以采用在普通LED的生產(chǎn)環(huán)境中封裝成子彈頭和SMT表面裝貼型等封裝形式。其本身的帶寬就可以超過6 GHz。這種封裝主要的缺點是缺少光電監(jiān)測二極管的功能。然而,由于VCSEL光輸出對溫度和老化的穩(wěn)定性好,使VCSEL在沒有光功率監(jiān)測功能的情況下也能正常開環(huán)使用。VCSEL還有塑料封裝、陶瓷襯底封裝、倒裝焊封裝等封裝形式。

倒裝焊技術(shù)直接將VCSEL芯片安裝在驅(qū)動芯片上。倒裝焊技術(shù)和其他類似技術(shù)的主要缺點是VCSEL的散熱管理。VCSEL一般只消耗約20 mW左右的能量,而驅(qū)動器芯片則要消耗幾百毫瓦。

目前針對VCSEL比較好的封裝形式是小型外殼封裝(Small Form Factor,SFF)和小封裝可插拔(Small Form-Factor Pluggable,SFP)結(jié)構(gòu),其小巧的結(jié)構(gòu)適合應(yīng)用于多種場合,而可插拔的端口結(jié)構(gòu)使得模塊可以和系統(tǒng)的主板分離,大大降低了整個并行光傳輸系統(tǒng)的故障概率,同時也相應(yīng)地節(jié)省了成本。

以上便是此次帶來的VCSEL相關(guān)內(nèi)容,通過本文,希望大家對VCSEL已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦,將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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