保護(hù)電路對(duì)于任何電子設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。在我們之前的保護(hù)電路教程中，我們?cè)O(shè)計(jì)了許多基本的保護(hù)電路，可以適應(yīng)您的電路，即過(guò)壓保護(hù)，短路保護(hù)，反極性保護(hù)等。除了這個(gè)電路列表之外，在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)和構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)電路。

過(guò)流保護(hù)常用于電源電路中，以限制電源模塊的輸出電流。術(shù)語(yǔ)“過(guò)流”是指負(fù)載吸收的電流大于電源單元的指定能力的情況。這可能是一個(gè)危險(xiǎn)的情況，因?yàn)檫^(guò)流狀態(tài)可能損壞電源。因此，在這種故障情況下，工程師通常使用過(guò)流保護(hù)電路將負(fù)載與電源斷開(kāi)，從而保護(hù)負(fù)載和電源。

使用運(yùn)算放大器的過(guò)流保護(hù)

過(guò)流保護(hù)電路有多種類型;電路的復(fù)雜程度取決于保護(hù)電路在過(guò)流情況下的反應(yīng)速度。在這個(gè)項(xiàng)目中，我們將使用一個(gè)非常常用的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)電路，可以很容易地適應(yīng)您的設(shè)計(jì)。

我們即將設(shè)計(jì)的電路將具有可調(diào)的過(guò)電流閾值，并且在故障時(shí)也具有自動(dòng)重啟功能。由于這是一個(gè)基于運(yùn)算放大器的過(guò)流保護(hù)電路，它將有一個(gè)運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng)單元。本課題采用通用運(yùn)算放大器LM358。下圖是LM358的引腳圖。

如上圖所示，在單個(gè)IC封裝內(nèi)，我們將有兩個(gè)運(yùn)放通道。然而，這個(gè)項(xiàng)目只使用一個(gè)通道。運(yùn)算放大器將使用MOSFET切換(斷開(kāi))輸出負(fù)載。本項(xiàng)目采用N溝道MOSFET IRF540N。負(fù)載電流大于500mA時(shí)，建議選用合適的MOSFET散熱片。然而，對(duì)于這個(gè)項(xiàng)目，使用MOSFET沒(méi)有散熱片。下圖是IRF540N引腳圖的表示。

為了給運(yùn)算放大器和電路供電，使用LM7809線性穩(wěn)壓器。這是一個(gè)9V 1A線性穩(wěn)壓器，具有寬輸入電壓額定值。引腳可以在下圖中看到

材料要求:

過(guò)流保護(hù)電路所需的元件清單如下。

?電路試驗(yàn)板

?電源12V(最低)或根據(jù)電壓要求。

?LM358

?100uF 25V

?IRF540N

?散熱器(根據(jù)應(yīng)用要求)

?50k平艙

?1k電阻，1%公差

?1梅格電阻器

?100k電阻，1%公差。

?1歐姆電阻，2W (2W最大1.25A負(fù)載電流)

?面包板用電線

過(guò)流保護(hù)電路

通過(guò)使用運(yùn)算放大器來(lái)檢測(cè)過(guò)流，可以設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)電路，并根據(jù)結(jié)果驅(qū)動(dòng)Mosfet斷開(kāi)負(fù)載與電源的連接。同樣的電路圖很簡(jiǎn)單，可以在下面的圖像中看到

過(guò)流保護(hù)電路工作

從電路圖中可以看出，MOSFET IRF540N用于在正常和過(guò)載情況下將負(fù)載控制為ON或OFF。但在關(guān)斷負(fù)載之前，必須檢測(cè)負(fù)載電流。這是通過(guò)使用分流電阻R1完成的，這是一個(gè)1歐姆的分流電阻，額定功率為2瓦。這種測(cè)量電流的方法被稱為分流電阻電流傳感，你也可以檢查其他電流傳感方法，也可以用來(lái)檢測(cè)過(guò)電流。

在MOSFET的ON狀態(tài)期間，負(fù)載電流通過(guò)MOSFET的漏極流到源端，最后通過(guò)分流電阻流到GND。根據(jù)負(fù)載電流的不同，分流電阻產(chǎn)生的壓降可以用歐姆定律計(jì)算。因此，我們假設(shè)，對(duì)于1A的電流(負(fù)載電流)，通過(guò)分流電阻的壓降為1V， V = I x R (V = 1A x 1歐姆)。因此，如果使用運(yùn)算放大器將該降電壓與預(yù)定義電壓進(jìn)行比較，我們可以檢測(cè)過(guò)流并改變MOSFET的狀態(tài)以切斷負(fù)載。

運(yùn)算放大器通常用于執(zhí)行諸如加、減、乘等數(shù)學(xué)運(yùn)算。因此，在本電路中，運(yùn)算放大器LM358被配置為比較器。根據(jù)原理圖，比較器比較兩個(gè)值。第一個(gè)是跨分流電阻的降電壓，另一個(gè)是使用可變電阻或電位器RV1的預(yù)定義電壓(參考電壓)。RV1起分壓器的作用。通過(guò)并聯(lián)電阻的降電壓由比較器的反相端檢測(cè)，并將其與連接在運(yùn)算放大器的非反相端中的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。

因此，如果感測(cè)電壓小于參考電壓，比較器將在輸出端產(chǎn)生接近比較器VCC的正電壓。但是，如果感測(cè)電壓大于參考電壓，比較器將在輸出端產(chǎn)生負(fù)電源電壓(負(fù)電源通過(guò)GND連接，因此在這種情況下為0V)。這個(gè)電壓足以使MOSFET開(kāi)或關(guān)。

處理暫態(tài)響應(yīng)/穩(wěn)定性問(wèn)題

但是，當(dāng)高負(fù)載將與電源斷開(kāi)時(shí)，瞬態(tài)變化將在比較器上創(chuàng)建一個(gè)線性區(qū)域，這將創(chuàng)建一個(gè)環(huán)路，其中比較器無(wú)法正確地開(kāi)關(guān)負(fù)載，運(yùn)算放大器將變得不穩(wěn)定。例如，假設(shè)1A是使用電位器設(shè)置的，用于觸發(fā)MOSFET進(jìn)入OFF狀態(tài)。因此可變電阻設(shè)置為1V輸出。在某種情況下，當(dāng)比較器檢測(cè)到分流電阻上的電壓降為1.01V(該電壓取決于運(yùn)算放大器或比較器的精度和其他因素)時(shí)，比較器將斷開(kāi)負(fù)載。當(dāng)高負(fù)載突然從電源單元斷開(kāi)時(shí)，會(huì)發(fā)生瞬態(tài)變化，這種瞬態(tài)增加了參考電壓，這會(huì)導(dǎo)致比較器的結(jié)果不佳，并迫使比較器在線性區(qū)域內(nèi)工作。

克服這個(gè)問(wèn)題的最好方法是在比較器上使用一個(gè)穩(wěn)定的電源，其中瞬態(tài)變化不會(huì)影響比較器的輸入電壓和參考電壓。不僅如此，還需要在比較器中添加額外的方法滯后。在這個(gè)電路中，這是通過(guò)線性穩(wěn)壓器LM7809和使用一個(gè)遲滯電阻R4，一個(gè)100k電阻來(lái)完成的。LM7809在比較器上提供適當(dāng)?shù)碾妷?，使電源線上的瞬態(tài)變化不會(huì)影響比較器。C1, 100uF電容用于濾波輸出電壓。

遲滯電阻R4在運(yùn)放的輸出端饋送一小部分輸入，在低閾值(0.99V)和高閾值(1.01V)之間產(chǎn)生電壓間隙，比較器改變其輸出狀態(tài)。如果滿足閾值點(diǎn)，比較器不會(huì)立即改變狀態(tài)，相反，如果要將狀態(tài)由高變低，則需要將感測(cè)電壓電平低于低閾值(例如由0.99V變?yōu)?.97V)，或者將狀態(tài)由低變高，則需要將感測(cè)電壓電平高于高閾值(由1.01變?yōu)?.03)。這將增加比較器的穩(wěn)定性并減少誤跳閘。除了這個(gè)電阻，R2和R3用于控制柵極。R3是MOSFET的柵極下拉電阻。

過(guò)流保護(hù)電路測(cè)試

該電路在面包板中構(gòu)建，并使用工作臺(tái)電源以及可變直流負(fù)載進(jìn)行測(cè)試。

對(duì)電路進(jìn)行了測(cè)試，并觀察到輸出在可變電阻設(shè)置的不同值下成功斷開(kāi)。本頁(yè)面底部提供的視頻展示了過(guò)流保護(hù)測(cè)試的完整演示。

過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)提示

?輸出端的RC緩沖電路可以改善電磁干擾。

?更大的散熱器和特定的MOSFET可用于所需的應(yīng)用。

?構(gòu)造良好的PCB將提高電路的穩(wěn)定性。

?分流電阻的瓦數(shù)需要根據(jù)負(fù)載電流根據(jù)冪律(P = I2R)進(jìn)行調(diào)整。

?毫歐姆額定值的極低值電阻器可以用于小封裝，但電壓降會(huì)更小。為了補(bǔ)償電壓降，可以使用具有適當(dāng)增益的附加放大器。

建議使用專用的電流感測(cè)放大器來(lái)實(shí)現(xiàn)精確的電流感測(cè)相關(guān)問(wèn)題。

本文編譯自circuitdigest