考慮使用LCR表或良好的萬用表進(jìn)行電容測(cè)試的任務(wù),例如福祿克287真實(shí)rms萬用表。如果測(cè)試中的電容器是電解或基于電影的裝置,主要的測(cè)量問題通常只是確保電容器不斷電或沒有存儲(chǔ)電荷--尤其是電解劑可以在長(zhǎng)時(shí)間后在高壓下存儲(chǔ)和釋放大量的電流。因此,一個(gè)主要的測(cè)量任務(wù)是首先確保任何危險(xiǎn)的儲(chǔ)存電壓是流血,以避免嚴(yán)重的沖擊。這樣做,你應(yīng)該能夠附加一個(gè)萬用表或LCR表,并得到一個(gè)電容測(cè)量。

福祿克287萬用表:最好檢查電壓如果測(cè)量一個(gè)多功能CC。然而,對(duì)于某些多層陶瓷電容器(MLCS)來說,這項(xiàng)測(cè)量任務(wù)并不那么簡(jiǎn)單。原因在于Lcrs和萬用表測(cè)量的方法。這些儀器的電容測(cè)量通常涉及用已知電流充電,然后測(cè)量電壓。這里的問題是:在特定施加直流電壓的情況下,mccc制造商指定設(shè)備電容。事實(shí)上,一些多功能電抗器器件顯示的電容隨直流電壓的變化而變化.因此,如果在測(cè)量過程中,mmcc最終體驗(yàn)到的電壓不同于制造商指定電容水平時(shí)使用的電壓,則mmcc看起來似乎是不符合規(guī)格的。

這種效應(yīng)稱為電容電壓系數(shù)或VCC。它出現(xiàn)在第二類和第三類的MLCCS中。(第二類和第三類名稱表示具有較高介電率的電容電,使這些器件具有較高的電容。當(dāng)施加直流電壓上升時(shí),這些器件的電容下降。這個(gè)電容

這是一個(gè)來自三星的多功能計(jì)算機(jī)的切線視圖。無論是誰制造的多功能協(xié)調(diào)器都會(huì)發(fā)生滴滴,這是設(shè)計(jì)和材料特性的一個(gè)功能。第二級(jí)Mlcc由巴蒂奧制造 3 鐵電材料。當(dāng)直流電壓施加到器件上時(shí),一個(gè)電場(chǎng)會(huì)影響鈦離子,從而將它們鎖定在鐵電材料的晶格結(jié)構(gòu)中。這種作用可以防止電容器材料受到施加的交流電壓的影響,從而降低材料的介電常數(shù),從而造成可測(cè)量的多管電容下降。

頂部,電容變化比。直流偏置對(duì)一個(gè)凱梅特XTR2127G50V多功能協(xié)調(diào)器。下面是電容變化。相同設(shè)備的交流偏差。進(jìn)一步復(fù)雜化的是,并非所有第二類和第三類Mlcc都顯示出與直流電壓相同的電容損耗水平。正如多金屬管公司制造商凱梅特所指出的,在額定電壓下,一些MLCS可能會(huì)損失10%的電容,而在額定電壓下,其他具有相同外殼尺寸的MLCS可能會(huì)損失70%的電容。原因之一:較高的電壓會(huì)導(dǎo)致每個(gè)有源層產(chǎn)生較高的電場(chǎng),使鈦離子難以定位。此外,電容器中的鐵電材料由于各種性能原因可以包括摻雜劑,從而使VCC明顯惡化。此外,不同的MLCS使用的陶瓷電,其厚度可以從10歐氏到1歐氏。層越薄,電場(chǎng)作用越高,VCC效應(yīng)越明顯。

因此,VCC在超級(jí)小的MLCCS中可能特別尖銳,因?yàn)樗鼈儽厝痪哂休^薄的介質(zhì)層。還有一點(diǎn)需要注意的是,交流電壓也會(huì)導(dǎo)致在多功能介質(zhì)中產(chǎn)生電場(chǎng)。每個(gè)層上的電場(chǎng)大小與跨多管通信中心的交流電壓峰值成正比。因此電容可以隨所施加的交流電壓和所施加的直流電壓而變化.因此,為了精確測(cè)量電容,電表的交流電壓應(yīng)與MCC數(shù)據(jù)表中規(guī)定的電壓相同。

最后,如果電容對(duì)電壓的敏感性是一個(gè)問題,請(qǐng)考慮到一個(gè)第一類MCC。這些裝置有一個(gè)基于卡茲羅的介質(zhì) 3 是一種超電勢(shì)材料。這些電容器提供最小變化或隨溫度和電壓漂移的電容。介電介電材料具有相對(duì)較低的介電率,因此其電容值一般在較低的皮法拉德至微法拉德范圍內(nèi)。