一直以來，PMOS都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞵MOS的相關介紹，詳細內容請看下文。

一、PMOS及其工作原理

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

二、BJT如何驅動PMOS

受限于MOS管的驅動閾值，在許多的應用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅動MOS的導通與關斷，此時需要在MOS的G極處增加一個柵極驅動電路，實現(xiàn)GPIO電平可以驅動MOS。

下圖演示了PMOS的自驅效應，當PMOS的G極連接S極時，VGS=0V，PMOS便會自開啟，那么如果在PMOS的G極與GND之間增加一道SW開關，那么就可以實現(xiàn)G極電位在GND和Vin之間切換，那么就可以通過SW來控制PMOS的開啟與關閉。

圖：PMOS的自驅效應

將上圖中的SW開關更換為三極管BJT，如下圖 ，那么就是一個典型的BJT驅動高邊PMOS的電路，其中C1，C2，Zener非必要。C1用做加速BJT打開，C2用做BJT快速關斷，Zener用做VGS鉗位，避免瞬時電壓超過MOS的VGSmax耐壓從而損壞MOS。

圖：BJT驅動PMOS電路

R1和R2在一條路徑上可以調節(jié)分壓，也即調整G極電位，Q2關斷時，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1導通時，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那么VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。當R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此時如果VGS接近或超過Q1的GS耐壓值VGSS，會損壞PMOS，那么這時就可以調整R1，R2的比例，將導通時VGS值調整至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關PMOS的內容，希望大家對本次分享的內容已經具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網頁頂部選擇相應的頻道哦。