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[導(dǎo)讀]以下內(nèi)容中,小編將對(duì)去耦電容的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)去耦電容的了解,和小編一起來(lái)看看吧。

以下內(nèi)容中,小編將對(duì)去耦電容的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)去耦電容的了解,和小編一起來(lái)看看吧。

一、去耦電容及其工作原理

去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容,此電容可以提供較穩(wěn)定的電源,同時(shí)也可以降低元件耦合到電源端的噪聲,間接可以減少其他元件受此元件噪聲的影響。

在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。對(duì)于同一個(gè)電路來(lái)說(shuō),旁路電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象,把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除,而去耦電容也稱退耦電容,是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方,用來(lái)消除自激,使放大器穩(wěn)定工作。

從電路來(lái)說(shuō),總是存在驅(qū)動(dòng)電源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電,才能完成信號(hào)的跳變,在上升沿比較陡峭的時(shí)候,電流比較大,這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會(huì)產(chǎn)生反彈),這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就是一種噪聲,會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。

去耦電容就是起到一個(gè)電池的作用,滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。

去耦和旁路都可以看作濾波。去耦電容相當(dāng)于電池,避免由于電流的突變而使電壓下降,相當(dāng)于濾紋波。具體容值可以根據(jù)電流的大小、期望的紋波大小、作用時(shí)間的大小來(lái)計(jì)算。去耦電容一般都很大,對(duì)更高頻率的噪聲,基本無(wú)效。旁路電容就是針對(duì)高頻來(lái)的,也就是利用了電容的頻率阻抗特性。

電容一般都可以看成一個(gè)RLC串聯(lián)模型。在某個(gè)頻率,會(huì)發(fā)生諧振,此時(shí)電容的阻抗就等于其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖,就會(huì)發(fā)現(xiàn)一般都是一個(gè)V形的曲線。具體曲線與電容的介質(zhì)有關(guān),所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質(zhì),一個(gè)比較保險(xiǎn)的方法就是多并幾個(gè)電容。

二、去耦電容的有效使用方法

去耦電容的有效使用方法之一是用多個(gè)(而非1個(gè))電容進(jìn)行去耦。使用多個(gè)電容時(shí),使用相同容值的電容時(shí)和交織使用不同容值的電容時(shí),效果是不同的。

?使用多個(gè)容值相同的電容時(shí)

右圖是使用1個(gè)22μF的電容時(shí)(藍(lán)色)、增加1個(gè)變?yōu)?個(gè)時(shí)(紅色)、再增加1個(gè)變?yōu)?個(gè)(紫色)時(shí)的頻率特性。

如圖所示,當(dāng)增加容值相同的電容后,阻抗在整個(gè)頻率范圍均向低的方向轉(zhuǎn)變,也就是說(shuō)阻抗越來(lái)越低。

這一點(diǎn)可通過(guò)思考并聯(lián)連接容值相同的電容時(shí),到諧振點(diǎn)的容性特性、取決于ESR(等效串聯(lián)電阻)的諧振點(diǎn)阻抗、諧振點(diǎn)以后的ESL(等效串聯(lián)電感)影響的感性特性來(lái)理解。

并聯(lián)的電容容值是相加的,所以3個(gè)電容為66μF,容性區(qū)域的阻抗下降。

諧振點(diǎn)的阻抗是3個(gè)電容的ESR并聯(lián),因此為

假設(shè)這些電容的ESR全部相同,則ESR減少至1/3,阻抗也下降。

諧振點(diǎn)以后的感性區(qū)域的ESL也是并聯(lián),因此為

假設(shè)3個(gè)電容的ESL全部相同,則ESL減少至1/3,阻抗也下降。

由此可知,通過(guò)使用多個(gè)相同容值的電容,可在整個(gè)頻率范圍降低阻抗,因此可進(jìn)一步降低噪聲。

?使用多個(gè)容值不同的電容時(shí)

這些曲線是在22μF的電容基礎(chǔ)上并聯(lián)增加0.1μF、以及0.01μF的電容后的頻率特性。

通過(guò)增加容值更小的電容,可降低高頻段的阻抗。相對(duì)于一個(gè)22μF電容的頻率特性來(lái)說(shuō),0.1μF和0.01μF的特性是合成后的特性(紅色虛線)。

這里必須注意的是,有些頻率點(diǎn)產(chǎn)生反諧振,阻抗反而增高,EMI惡化。反諧振發(fā)生于容性特性和感性特性的交叉點(diǎn)。

所增加電容的電容量,一般需要根據(jù)目標(biāo)降噪頻率進(jìn)行選型。

另外,在這里給出的頻率特性波形圖是理想的波形圖,并未考慮PCB板的布局布線等引起的寄生分量。在實(shí)際的噪聲對(duì)策中,需要考慮寄生分量的影響。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)去耦電容的內(nèi)容,如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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