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[導(dǎo)讀]本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件(例如金屬氧化物壓敏電阻 [MOV]、瞬態(tài)電壓抑制 [TVS] 二極管、基于電容器的緩沖電路等)。

電壓鉗位元件對(duì)于固態(tài)斷路器 (SSCB) 和混合斷路器 (HCB) 來(lái)說(shuō)都是必不可少的,以保護(hù)固態(tài)開(kāi)關(guān)免受過(guò)電壓損壞并吸收系統(tǒng)環(huán)路電感中的剩余能量。

本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件(例如金屬氧化物壓敏電阻 [MOV]、瞬態(tài)電壓抑制 [TVS] 二極管、基于電容器的緩沖電路等)。

SSCB 和 HCB

SSCB 具有極快的故障隔離和斷流而不產(chǎn)生電弧的優(yōu)點(diǎn)。由于功率半導(dǎo)體器件(如碳化硅 (SiC) MOSFET)的進(jìn)步,SSCB 越來(lái)越受歡迎,這些器件可大大降低傳導(dǎo)損耗。HCB 通過(guò)將機(jī)械開(kāi)關(guān)和固態(tài)開(kāi)關(guān)集成在一起,具有傳導(dǎo)損耗最小和斷流速度相對(duì)較快的優(yōu)點(diǎn)。

電壓鉗位元件(圖 1)對(duì)于 SSCB 和 HCB 都至關(guān)重要。它有兩個(gè)用途:

· 限制功率半導(dǎo)體器件兩端的峰值電壓,防止過(guò)壓損壞

· 固態(tài)開(kāi)關(guān)關(guān)閉后,耗散系統(tǒng)寄生電感中的剩余能量

利用V pk /V op比率來(lái)比較各種電壓鉗位元件并評(píng)估其性能。

圖 1:SSCB 和 HCB 都需要加入電壓鉗位元件,這是其基本結(jié)構(gòu)所必需的。左側(cè)顯示了 SSCB 的基本結(jié)構(gòu);右側(cè)顯示了 HCB 的基本結(jié)構(gòu)。

金屬氧化物變阻器

MOV 是 SSCB 和 HCB 中采用的主要電壓鉗位元件。這些元件采用各種材料制成,例如氧化鋅和氧化硅。在低施加電壓水平(低于鉗位電壓)下,MOV 表現(xiàn)出高阻抗特性。隨著電壓增加到鉗位電壓,MOV 的阻抗迅速下降,從而使電流流動(dòng)。

市場(chǎng)上的 MOV 具有多種封裝配置,從小型表面貼裝到大型螺絲安裝。這些 MOV 還提供廣泛的電壓范圍,一些設(shè)備能夠在高達(dá) 3.5 kVDC 的電壓下工作。此外,它們還具有顯著的浪涌電流和能量吸收能力。MOV 還可以雙向傳導(dǎo)電流和電壓,與 TVS 二極管等替代電壓鉗位設(shè)備相比,它們非常便宜。

TVS 二極管

瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管經(jīng)常用作 SSCB 或 HCB 中的電壓鉗位元件。這些二極管的功能類(lèi)似于雪崩二極管,但可以承受高峰值電流和能量。

TVS 二極管可以表現(xiàn)出單向或雙向行為,并且具有與 MOV 類(lèi)似的快速響應(yīng)時(shí)間。與 MOV 相比,TVS 二極管的電壓范圍有限(單個(gè)器件小于 530 V),并且處理高峰值電流的能力有限,因?yàn)樗鼈冎荒茉谛⌒捅砻尜N裝和通孔封裝器件中使用。為了獲得更高的額定電壓或吸收更多的能量,必須將 TVS 二極管串聯(lián)或并聯(lián)。

TVS 二極管的另一個(gè)缺點(diǎn)是與 MOV 相比成本相對(duì)較高。即使能量吸收和電壓需求相同,TVS 二極管的價(jià)格也可能比 MOV 高出幾倍。

基于電容器的電壓鉗位電路

電容器是電力電子中常用的儲(chǔ)能元件。它還可以用于電壓鉗位電路,以吸收存儲(chǔ)在系統(tǒng)寄生電感中的任何剩余能量?;陔娙萜鞯木彌_電路通常用于電力電子轉(zhuǎn)換器,以限制固態(tài)器件關(guān)閉期間電壓的變化率并減輕電壓尖峰。

對(duì)于 SSCB,依靠電容器的緩沖電路可以有效限制半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)關(guān)斷過(guò)程中電壓的變化率 (dV/dt)。此功能對(duì)于使用晶閘管的 SSCB 尤為重要。緩沖電路有多種類(lèi)型,包括僅由電容器組成的電路、RC 緩沖電路和 RCD 緩沖電路(包含電阻器、二極管和電容器)。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

MOV 器件具有多種優(yōu)點(diǎn),包括工作電壓范圍廣(每個(gè)器件高達(dá) 3.5 kVDC)、高浪涌電流和能量吸收能力,并且與其他電壓鉗位元件相比成本適中。

然而,與 TVS 二極管 (>1.59) 相比,該元件的峰值鉗位電壓與最大工作電壓之比 (V pk /V op ) 大幅升高 (>1.63)。建議采用多種技術(shù)來(lái)降低 MOV 的峰值電壓與輸出電壓之比 (V pk /V op )。這些技術(shù)包括與 MOV 串聯(lián)使用有源可調(diào)開(kāi)關(guān),或?qū)?MOV 與固態(tài)器件以續(xù)流配置連接起來(lái)。

與 MOV 相比,TVS 二極管的峰值鉗位電壓較低。但是,它們的電壓范圍有限(單個(gè)器件小于 530 V),處理峰值電流的能力也有限(只有小型表面貼裝和通孔封裝器件可用)。為了獲得更高的額定電壓或吸收更多的能量,需要以串聯(lián)或并聯(lián)配置連接更多的 TVS 二極管。

TVS 二極管的另一個(gè)缺點(diǎn)是其成本比 MOV 高得多。即使它們具有相同的能量吸收和電壓需求,TVS 二極管的成本也可能比 MOV 高出幾倍?;陔娙萜鞯木彌_電路可以用作 SSCB 的電壓鉗位組件。這些電路的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它們能夠控制關(guān)斷 dV/dt,從而減少故障電流中斷期間固態(tài)開(kāi)關(guān)上的能量應(yīng)力。

存在各種類(lèi)型的基于電容器的緩沖電路,例如 RC 緩沖電路和 RCD 緩沖電路?;陔娙萜鞯木彌_電路的一個(gè)固有問(wèn)題是固態(tài)器件關(guān)閉后會(huì)出現(xiàn)電流振蕩。為了解決這個(gè)問(wèn)題,文獻(xiàn)建議使用由 MOV 和電容器串聯(lián)組成的緩沖電路。通過(guò)仔細(xì)選擇具有適當(dāng)電壓水平的 MOV,該電路可以有效抑制振蕩。


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