本文中，小編將對設計中的去耦操作予以介紹，如果你想對去耦的詳細情況有所認識，或者想要增進對去耦的了解程度，不妨請看以下內容哦。
一、設計中如何做到低頻和高頻的去耦
每個電源在進入PC板時，應通過大容量電解電容去耦至低阻抗接地層，并且電解電容緊靠電源端子。這樣可以將電源線路上的低頻噪聲降至最低。在每個獨立的模擬級，各IC封裝電源引腳需要局部僅針對高頻的濾波(意思就是我們常用的104電容旁路芯片，注意不是所有情況都用100nF的。20MHz以下用100nF，頻率越高電容要越小)。
圖1
上圖顯示了此方法，圖示左側為正確實施方案，右側為錯誤實施方案。左側示例中，典型的0.1 μF貼片陶瓷電容借助過孔直接連接到PCB背面的接地層，并通過第二個過孔連接到IC的GND引腳上。相比之下，右側的設置不太理想，給去耦電容的接地路徑增加了額外的PCB走線電感，使有效性降低。(有條件把貼片電容放在芯片背面正下方效果更好。)
圖2
所有的高速芯片(頻率大于10MHz)需要類似于圖1連接的旁路電容來實現(xiàn)好的性能。此處磁珠并非100%必要，但會增強高頻噪聲的隔離和去耦，通常較為有利。這里可能需要驗證磁珠會不會在IC處理高電流時飽和。 請注意，對于一些磁珠，即使在飽和發(fā)生之前，一些磁珠可能已經非線性了，所以如果需要功率級以低失真輸出進行工作，這也應該被檢查驗證。
二、設計時如何計算去耦等效電路
電路中有耦合的電感線圈可以用去耦等效電路替代，其本質還是等效的原理。若電路中多個線圈兩兩有互感，則其去耦等效電路需要逐對一一消除耦合。
例：電路如圖所示，L1、L2、L3三個線圈兩兩有互感，同名端如圖所示。試畫出其去耦等效電路。
圖3 待求電路
分析：圖3中間的T型電路是三個電感線圈，且兩兩之間有耦合，將其提出來，如圖4（a）所示。做去耦等效電路時，先消除L1和L2之間的互感，電路如圖4（b）所示。此時，不必將L1和-M12合并成L1-M12，因為L1和L3 還有耦合。同理以及L2支路。
圖4（a）
圖4（b）
圖4（c）
圖4（d）
再消除L2和L3的互感，電路如圖4（c）所示，最后消除L1和L3之間互感，電路如圖4（d）所示。此時電路等效成三個無耦合的電感線圈接成T型連接，去耦等效電路如圖5所示。
圖5 圖3電路的去耦等效電路
圖5所示電路沒有耦合電感，可畫出其相量模型，按相量法計算即可。
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