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[導(dǎo)讀]中國(guó)上海,2024年5月28日——近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,股票代碼:688012)推出自主研發(fā)的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex? HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex? AW。

中國(guó)上海,2024年5月28日——近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,股票代碼:688012)推出自主研發(fā)的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex® HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex® AW。這是繼Preforma Uniflex® CW之后,中微公司為各類器件芯片中超高深寬比及復(fù)雜結(jié)構(gòu)金屬鎢填充提供的高性價(jià)比、高性能的解決方案。中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備領(lǐng)域多年,持續(xù)加碼創(chuàng)新研發(fā),此次多款新產(chǎn)品的推出是公司在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的新突破,也為公司業(yè)務(wù)多元化發(fā)展提供了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能。

中微公司自主研發(fā)的具備超高深寬比填充能力的12英寸Preforma Uniflex® HW設(shè)備,繼承了前代Preforma Uniflex®CW設(shè)備的優(yōu)點(diǎn),可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔,每個(gè)反應(yīng)腔皆能同時(shí)加工兩片晶圓,在保證較低生產(chǎn)成本的同時(shí),實(shí)現(xiàn)較高的生產(chǎn)效率。Preforma Uniflex® HW采用擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的生長(zhǎng)梯度抑制工藝, 可實(shí)現(xiàn)表面從鈍化主導(dǎo)到刻蝕主導(dǎo)的精準(zhǔn)工藝調(diào)控。硬件上,中微公司開(kāi)發(fā)的可實(shí)現(xiàn)鈍化時(shí)間從毫秒級(jí)到千秒級(jí)的控制系統(tǒng),可滿足多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的填充。此外,搭配經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的流場(chǎng)熱場(chǎng)系統(tǒng),使該設(shè)備具備優(yōu)異的薄膜均一性和工藝調(diào)節(jié)靈活性。


圖片 1.jpg

中微公司12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex® HW

此次中微公司還推出了自主研發(fā)的具備三維填充能力的12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備——Preforma Uniflex® AW。該設(shè)備繼承了鎢系列產(chǎn)品的特點(diǎn),可配置五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔,有效提高設(shè)備生產(chǎn)效率。此外,系統(tǒng)中每個(gè)反應(yīng)腔均可用于形核和主體膜層生長(zhǎng),可根據(jù)客戶實(shí)際工藝需求優(yōu)化配置,進(jìn)一步提高生產(chǎn)中的設(shè)備利用率。Preforma Uniflex® AW采用擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高速氣體切換控制系統(tǒng), 可精準(zhǔn)控制工藝過(guò)程,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的原子級(jí)別生長(zhǎng),因此,所生長(zhǎng)的膜層具備優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋率和低雜質(zhì)濃度的優(yōu)點(diǎn)。Preforma Uniflex® AW 還引入獨(dú)特的氣體輸送系統(tǒng),進(jìn)一步提升性能,使該設(shè)備具備更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的延展能力。該設(shè)備也繼承了中微公司自主開(kāi)發(fā)的流場(chǎng)熱場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì),從而提升薄膜均一性和工藝調(diào)節(jié)靈活性。


圖片 2.jpg

中微公司12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex® AW

中微公司董事、集團(tuán)副總裁、CVD產(chǎn)品部及公共工程部總經(jīng)理陶珩表示:“我們很高興可以為全球領(lǐng)先的邏輯和存儲(chǔ)芯片制造商提供行業(yè)領(lǐng)先的薄膜設(shè)備,這兩款設(shè)備優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋率和低電阻特性,使其可以滿足多種復(fù)雜和三維結(jié)構(gòu)的金屬鎢填充需求。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,原子層沉積技術(shù)因其卓越的三維覆蓋能力和精確的薄膜厚度控制而日益受到重視,預(yù)計(jì)未來(lái)將會(huì)有更廣泛的應(yīng)用需求。中微公司推出的這兩款新設(shè)備,進(jìn)一步擴(kuò)充了中微公司薄膜設(shè)備產(chǎn)品線,不僅展示了我們?cè)谠訉映练e領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)水平,也證明了我們擁有強(qiáng)大的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)能力,標(biāo)志著我們?cè)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域中擴(kuò)展了全新的工藝應(yīng)用,這將為我們公司的持續(xù)增長(zhǎng)和長(zhǎng)期發(fā)展提供廣闊的空間。“

探索不息,創(chuàng)新不止。一直以來(lái),中微公司持續(xù)踐行“四個(gè)十大”的企業(yè)文化,將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的十大原則始終貫穿于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)和制造的全過(guò)程,研發(fā)團(tuán)隊(duì)秉持為達(dá)到設(shè)備高性能和客戶嚴(yán)格要求而開(kāi)發(fā)的理念,堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新、設(shè)備差異化和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。自2004年成立以來(lái),中微公司致力于開(kāi)發(fā)和提供具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的微觀加工的高端設(shè)備,現(xiàn)已發(fā)展成為國(guó)內(nèi)高端微觀加工設(shè)備的領(lǐng)軍企業(yè)之一。未來(lái),公司將繼續(xù)瞄準(zhǔn)世界科技前沿,堅(jiān)持三維發(fā)展戰(zhàn)略,打造更多具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)創(chuàng)新與差異化產(chǎn)品,為客戶和市場(chǎng)提供性能優(yōu)越、高生產(chǎn)效率和高性價(jià)比的設(shè)備解決方案。

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡(jiǎn)稱:中微公司,證券代碼:688012,英文簡(jiǎn)稱:AMEC)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開(kāi)發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備,可加工微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用,中微公司開(kāi)發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn),目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位。

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