業(yè)內(nèi)最新消息，昨天日本先進制程代工廠 Rapidus 總裁小池淳義前日向日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣齋藤健表示，Rapidus 晶圓廠項目施工順利，首條試產(chǎn)線進度已達 30%。齋藤健于上周訪問北海道千歲市，并對 Rapidus 的 IIL-M 晶圓廠工地進行了視察。

陪同齋藤健視察的地方官員指出，為 Rapidus 晶圓廠建設(shè)系列生活和工業(yè)配套設(shè)施同樣重要。日本中央和地方政府已開始著手改善晶圓廠周邊的道路和下水道建設(shè)。齋藤健稱  Rapidus 晶圓廠項目的成敗將對日本經(jīng)濟的未來具有重要意義。

迄今為止，Rapidus 已先后獲得日本政府兩批補貼，總金額高達 9200 億日元（當前約 426.88 億元人民幣）。齋藤健在視察后向記者表示“將視情況考慮（對 Rapidus）增加支持”。

此前報道，Rapidus 計劃 2025 年一季度實現(xiàn)晶圓廠整體竣工，同年 4 月實現(xiàn)試產(chǎn)線投產(chǎn)，2027 年進入 2nm 制程大規(guī)模量產(chǎn)階段。Rapidus 總裁兼首席執(zhí)行官小池淳義表示，這家先進制程晶圓代工企業(yè)計劃于 2027 年一季度啟動大規(guī)模量產(chǎn)。

根據(jù)日媒 Mynavi 分享的記者會圖片，Rapidus 計劃本年度完成其位于北海道千歲市的首座晶圓廠 IIM-1 的潔凈室和其他附屬設(shè)施建設(shè)，并于 12 月開始向該晶圓廠交付設(shè)備，目標 2025 年一季度實現(xiàn)晶圓廠的整體竣工，4 月正式啟動試產(chǎn)。

而在后端工藝方面，Rapidus 計劃與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 AIST、東京大學(xué)、IBM、新加坡 A*STAR IME 微電子研究所、德國弗勞恩霍夫（Fraunhofer）應(yīng)用研究促進協(xié)會等方面進行國際合作，為其 2nm 制程半導(dǎo)體開發(fā)配套的先進 2.xD / 3D 封裝技術(shù)。

Rapidus 計劃租用與 IIM-1 緊鄰的愛普生千歲工廠的部分廠房作為先進封裝設(shè)施，以縮短與晶圓廠之間的物理距離，實現(xiàn)一體化生產(chǎn)。Rapidus 目標在本財年末完成租賃區(qū)域潔凈室的建設(shè)。

后端技術(shù)上，Rapidus 計劃使用 600mm 方形 RDL 中介層基板驗證 3D 封裝技術(shù)，目標在該技術(shù)上實現(xiàn) 25 微米的端子間距。Rapidus 希望實現(xiàn)一個從設(shè)計到前端制造再到后端封裝的整體對接模式，縮短客戶產(chǎn)品出貨周期。