一些器件，例如二極管和 SiC 功率 MOSFET，非常昂貴，如果您不能 100% 確定電路，則不方便進行試驗。電路的模擬非常重要，因為它允許在所有條件下進行完整分析，同時在計算機后面保持安全。在本文中，我們將使用 LTspice 軟件。

適合正確使用 SiC MOSFET 的優(yōu)秀驅(qū)動器

本文的仿真重點是驅(qū)動器的性能。如果不能在高速下提供正確的電壓，則 SiC 器件必然會發(fā)生故障，從而導致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型，包含在 TO-220 封裝中以及測試方案。它具有以下特點：

· Rds(開)：0.080 歐姆;

· 最大電壓 DS：650 V;

· GS 電壓：-25 V 至 +25 V;

· 連續(xù)漏極電流：31 A;

· 脈沖漏極電流：65 A;

· 最大功耗：190 W;

· 最高工作溫度：175°C;

· 出色的反向恢復;

· 低“門”電荷;

· 容量低;

· ESD保護;

· 非常低的開關損耗。

UF3C065080T3S 650V 80mΩ RDS(on) 級聯(lián) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 G3 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化的 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列具有超低的柵極電荷，而且在任何類似額定值的器件中也具有最佳的反向恢復特性。這些器件采用 TO-220-3L 封裝，在與推薦的 RC 緩沖器以及需要標準柵極驅(qū)動的任何應用一起使用時，非常適合切換電感負載。

圖 1：UnitedSiC 的 UF3C065080T3S SiC MOSFET 與測試示意圖

“門”電壓測試

該測試涉及器件的靜態(tài)行為，根據(jù)型號規(guī)格，固定“漏極”電壓為 24 V (V1)，可變“柵極”電壓 (V2) 介于 -25 V 和 +25 V 之間。負載為 1 歐姆。這種類型的模擬稱為“直流掃描”，允許分析任何類型的電量，從而預測可變和增加的電源電壓。結果非常有趣，清楚地表明，設備“柵極”的電源電壓不正確會產(chǎn)生災難性的后果。讓我們觀察圖 2中產(chǎn)生的電路的仿真。要檢查的信號如下：

· 電壓 V(gate)，在下圖中以淺色顯示;

· 負載電流 I(R1)，在下面的暗圖中;

· 上圖中 Power on Mosfet 器件消耗的功率;

· 所有信號都在圖表右側“放大”。

當“柵極”電壓低于約 5.8 V 時，MOSFET 被禁用并且不傳導任何電流。另一方面，如果該電壓大于 6.8 V，則器件將關閉并傳導電流。因此，如果它處于遮斷狀態(tài)，它不會消散任何力量。它的飽和導致功耗增加(例如大約 40 W)，這是一個完全正常的值。臨界工作點出現(xiàn)在“柵極”電壓介于 5.8 V 和 6.8 V 之間。在這種情況下，電路處于線性狀態(tài)，從功率圖中可以看出，MOSFET 的耗散非常高，達到140 W。必須避免此工作點，并在“柵極”電壓曲線與負載電流曲線相交時出現(xiàn) (P = V * I)。優(yōu)秀的驅(qū)動器必須確保清晰的關斷電壓 (<5 V) 和飽和 (> 15 V)。

圖 2：此模擬涉及在 -25V 和 + 25V 之間增加的“柵極”電壓。MOSFET 的行為發(fā)生顯著變化

在器件導通的情況下，從負載流過“漏極”的電流非常高，約為 22 A，可通過以下公式計算：

Rds(ON) 的值也很容易計算，使用以下公式：

根據(jù)所使用的 SiC MOSFET 的規(guī)格，從中獲得約 85.8 毫歐的值。

結論

在本文中，我們對靜態(tài)行為進行了重要的基本模擬，展示了優(yōu)秀驅(qū)動器的存在對于驅(qū)動和管理 SiC 器件的重要性。驅(qū)動程序必須具有以下功能：

· 必須在ON和OFF狀態(tài)下提供清晰準確的電壓，絕對避免在線性區(qū)運行;

· 它必須以極快的速度驅(qū)動，比 SiC MOSFET 提供的可能性要快得多。

如果您能夠正確驅(qū)動 SiC 器件，您可以獲得這些最新一代組件可以提供的速度、功率和效率的所有重要優(yōu)勢。碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導體材料，未來它肯定會取代硅用于大功率應用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要創(chuàng)建一個足夠的驅(qū)動程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20 V 的電壓，而要打開它，需要大約 -5 V 的負電壓(地)，并且開關驅(qū)動器必須非?？欤駝t會增加工作溫度、開關損耗和更大的電阻 Rds(on)。