1月26日消息，據韓國媒體報道，韓國將把高帶寬內存(HBM)技術指定為國家戰(zhàn)略技術，并向三星電子和SK海力士等開發(fā)該技術的企業(yè)提供稅收優(yōu)惠。

報道稱，這一決定是2023年底在國會通過的，稅法修正案后的執(zhí)行令草案的一部分。

最主要的變化就是，擴大了有資格享受研發(fā)稅收優(yōu)惠的國家戰(zhàn)略技術范圍，與一般研發(fā)活動相比，企業(yè)對指定的國家戰(zhàn)略技術可以獲得更高的稅收減免。

中小企業(yè)可享受高達40%至50%的減免，而三星電子、SK海力士等中大型企業(yè)可享受高達30%至40%的減免。

HBM全稱為High Bandwich Memory，即高帶寬內存，是一款的CPU/GPU內存芯片;其將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現大容量、高位寬的DDR組合陣列。

簡單來講，傳統的DDR內存芯片是一層的平房結構，HBM結構的內存就是現代化的摩天大樓，在占地面積不變的基礎上，向3維高度發(fā)展，從而可實現了更高的性能和帶寬。

隨著AI應用的越來越廣泛，HBM的相關應用也是越來越多，其需求也是水漲船高，目前HBM的平均售價至少是DRAM的三倍。