深圳2023年9月13日 /美通社/ -- 9月13日， 由開放數(shù)據(jù)中心委員會（ODCC）主辦的"2023開放數(shù)據(jù)中心峰會"在北京國際會議中心順利召開。三星電子副總裁，存儲器新事業(yè)企劃部門負責人崔璋石（Jangseok Choi）在會上發(fā)表了"人工智能、機器學習和數(shù)據(jù)時代的存儲解決方案"的主題演講。同時，在展位上三星半導體向參會者展示了適配人工智能和機器學習的大數(shù)據(jù)時代的存儲產(chǎn)品。

ODCC大會上公布了本年度DC-Tech算力強基行動相關評估結果，三星固態(tài)硬盤PM893a/PM897a/PM1743 E3.S /PM9D3a憑借高速率讀取、低成本、高可靠等優(yōu)勢，獲評"優(yōu)秀產(chǎn)品"稱號。

2023年正值ODCC成立十周年，為促進三星與ODCC的持續(xù)穩(wěn)定合作，同時為業(yè)界的企業(yè)級SSD的測試驗證工作貢獻一份力量，三星向ODCC捐贈SITS (Samsung/ SSD Intelligent Test System) 系統(tǒng)的永久使用權。SITS是一款專門為固態(tài)硬盤測試和評估而設計的軟件。它可以幫助用戶更便捷更高效地測試固態(tài)硬盤的性能和穩(wěn)定性，并可提供詳細的測試報告。

三星電子中國總括（DS）SSD技術賦能中心總監(jiān)金東建向ODCC捐贈SITS永久使用權儀式

在三星本次的主題演講上，三星電子副總裁崔璋石通過介紹"圖靈測試"引出機器是否具備思考能力的問題，指出機器越來越具備"思考能力"的重要原因之一就是內(nèi)存容量。尤其在人工智能和機器學習領域，更高的內(nèi)存容量意味著更好的性能表現(xiàn)。

三星電子副總裁，存儲器新事業(yè)企劃部門負責人崔璋石（Jangseok Choi）發(fā)表主題演講

同時他提出，由于內(nèi)存容量受到中央處理器的限制，我們必須充分利用存儲擴展器技術（CXL Technology）和微調(diào)分層（Fine-tuned Tiering）解決方案，邁向以內(nèi)存為中心的異構架構（Heterogeneous Memory-centric Architecture）。

接著，他介紹了三星一系列面向人工智能和機器學習的存儲產(chǎn)品。例如，針對高性能計算優(yōu)化的高帶寬存儲"HBM3E"，與上一代產(chǎn)品相比，其傳輸速率將提高43%，每千兆字節(jié)（GB）的功耗將減少20%；還有計劃年底可供應的32Gb DDR5 DRAM (第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)，這意味著DRAM內(nèi)存模組的最大容量從512GB提高到1TB；以及三星首個8個NAND通道的超高性能PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心專用固態(tài)硬盤 -- PM9D3a。

隨后，他介紹了未來三星將提供的大規(guī)模存儲解決方案。包括能夠處理SRAM大規(guī)模工作負載的LLC DRAM解決方案，基于CXL的存儲擴展器（CXL Memory Expander），以及基于CXL的內(nèi)存-語義固態(tài)硬盤（Memory-Semantic SSD）。在這里他強調(diào)了CXL具有不受處理器容量和帶寬限制，不受存儲類型和迭代限制，以及具備更靈活的設計適配性、幫助企業(yè)降本增效的三大優(yōu)勢。尤其是內(nèi)存-語義固態(tài)硬盤（Memory-Semantic SSD）能讓數(shù)據(jù)在內(nèi)存和存儲之間高效遷移。最近，三星憑借此產(chǎn)品開發(fā)DLRM的應用發(fā)現(xiàn)，得益于DRAM的緩存功能，成功實現(xiàn)了高于傳統(tǒng)固態(tài)硬盤7倍的模型吞吐量。

ODCC 2023三星半導體展臺

不得不提的是三星持續(xù)研發(fā)中的千兆級超高容量存儲解決方案"PBSSD"，它具備每1U超過千兆的超大容量，高達400GbE NVMe-oF的高性能，以及閃存運行狀況監(jiān)控、自動故障恢復的超強管理能力，和更高的安全性。

最后，三星還表示，開放協(xié)作是共迎光明未來的方向。希望CPU、GPU、內(nèi)存、存儲、網(wǎng)絡、模型和ASICs等各領域的合作伙伴達成更緊密的協(xié)作關系，不斷擴大合作，共同克服內(nèi)存技術的挑戰(zhàn)，攜手創(chuàng)造一個更安全、更便捷、充滿無限可能的未來。