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[導(dǎo)讀]據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》近日?qǐng)?bào)道稱,臺(tái)積電將會(huì)在明年派出一個(gè)額外的代表團(tuán)抵達(dá)德國(guó),就是否斥資數(shù)十億美元建造一座預(yù)計(jì)“最早在 2024 年”開(kāi)始建設(shè)的工廠做出“最終決定”。

據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》近日?qǐng)?bào)道稱,臺(tái)積電將會(huì)在明年派出一個(gè)額外的代表團(tuán)抵達(dá)德國(guó),就是否斥資數(shù)十億美元建造一座預(yù)計(jì)“最早在 2024 年”開(kāi)始建設(shè)的工廠做出“最終決定”。

報(bào)道援引一家供應(yīng)商的高管的話稱,該廠商將為擬建的德累斯頓工廠提供關(guān)鍵材料:“我們會(huì)盡力支持我們的客戶。我們不會(huì)讓他們獨(dú)自走在沙漠中?!? 消息人士告訴《金融時(shí)報(bào)》,需要國(guó)家的支持。

此前德國(guó)商業(yè)雜志Capital曾報(bào)道稱,臺(tái)積電代表團(tuán)已于 10 月前往薩克森州討論在那里建造晶圓廠的可能性,幾周后,臺(tái)積電“目前沒(méi)有計(jì)劃在歐洲建廠,但不排除任何可能性”,因?yàn)橛袌?bào)道稱這家全球最具戰(zhàn)略意義的芯片制造商正派高級(jí)人員前往德國(guó)德累斯頓討論這種可能性那里的一家工廠。

英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》的報(bào)道稱,臺(tái)積電與材料和設(shè)備供應(yīng)商的會(huì)議“重點(diǎn)討論他們是否也可以進(jìn)行支持該工廠所需的投資”。臺(tái)積電在一份聲明中告訴The Register:“我們的全球制造擴(kuò)張戰(zhàn)略是基于客戶需求、商業(yè)機(jī)會(huì)、運(yùn)營(yíng)效率和成本經(jīng)濟(jì)方面的考慮。雖然我們不排除任何可能性,但我們目前沒(méi)有計(jì)劃?!?

臺(tái)積電總裁魏哲家于今年臺(tái)積電臺(tái)灣技術(shù)論壇中說(shuō),3nm技術(shù)發(fā)展很困難,有好多客戶踴躍合作,臺(tái)積電3nm沿用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu),是經(jīng)過(guò)考慮良久,制程技術(shù)推出不是好看、要實(shí)用,要協(xié)助客戶讓產(chǎn)品持續(xù)推進(jìn)。

相較于5nm,臺(tái)積電3奈米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%,在相同功耗下速度提升10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。預(yù)計(jì),蘋(píng)果(Apple)及英特爾(Intel)等客戶都將采用臺(tái)積電3nm制程。

臺(tái)積電的南科晶圓18廠是5nm及3nm的生產(chǎn)基地,其中,晶圓18廠5期至9期廠房是3nm生產(chǎn)基地。

針對(duì)即將在1月12日召開(kāi)法說(shuō)會(huì),并且公布2022 年12 月及第四季營(yíng)收狀況的晶圓代工龍頭臺(tái)積電,根據(jù)外資的最新報(bào)告指出,因?yàn)槿虻慕?jīng)濟(jì)放緩和疫情大流行后的庫(kù)存調(diào)整等因素,造成了臺(tái)積電的訂單減少,加上臺(tái)積電當(dāng)前正在花費(fèi)大量資本來(lái)投資于產(chǎn)能擴(kuò)張,以生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體的情況下,使得該公司當(dāng)前正處于艱難的營(yíng)運(yùn)時(shí)期。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),瑞銀、花旗集團(tuán)、摩根大通和高盛等外資投行認(rèn)為,2023 年前兩季臺(tái)積電將面臨營(yíng)收下降的情況。隨著臺(tái)積電3nm產(chǎn)能的提升和最新制程產(chǎn)品的出貨,它將在2024 年恢復(fù)成長(zhǎng)。

花旗集團(tuán)指出,2023 年第一季和第二季,臺(tái)積電的單季營(yíng)收將分別下降14% 和9%。除此之外,利潤(rùn)也將下降5% 和15%。而瑞銀方面則是指出,臺(tái)積電2023 年第一季和2023 年第二季營(yíng)收將個(gè)別下降16% 和3%~4%。摩根大通是當(dāng)中最保守的,因?yàn)樗粌H預(yù)計(jì)2023 年第一季臺(tái)積電的營(yíng)收將下降12%,而且接下來(lái)的一季還會(huì)出現(xiàn)類似的下降幅度。

相比于5nm,臺(tái)積電3nm工藝具有更好的效能、功耗,其邏輯密度將增加60%,相同速度下功耗降低30-35%,而且3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上比5nm高出5%。

另外,根據(jù)接受Business Next采訪的專門(mén)從事半導(dǎo)體的分析師和專家估計(jì),目前臺(tái)積電的3nm良率可能低至60%至70%,也可能高達(dá)75%至80%,這對(duì)于剛剛量產(chǎn)的3nm工藝來(lái)說(shuō)是相當(dāng)不錯(cuò)的。

就在臺(tái)積電上季法說(shuō)會(huì)再度調(diào)降資本支出至 360 億美元后,當(dāng)時(shí)外資預(yù)估臺(tái)積電2023 年資本支出金額可能將進(jìn)一步縮減至320 億到300 億美元。不過(guò),根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電 2023 年的資本支出計(jì)劃可能受到臺(tái)灣先進(jìn)制程布局以及海外產(chǎn)能布局的帶動(dòng)下,調(diào)升至380億至390億美元的規(guī)模。

值得一提的是,臺(tái)積電全球研發(fā)中心將于2023 年第二季在新竹科學(xué)園區(qū)開(kāi)幕,可進(jìn)駐8000位研發(fā)人員,準(zhǔn)備中的2nm晶圓廠分別落址新竹與中部科學(xué)園區(qū),共計(jì)六期工程皆依計(jì)劃進(jìn)展。

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