物料緊缺,BOM成本太高,老板要做降本怎么辦(2)?
昨天有個(gè)概念搞錯(cuò)了,低邊驅(qū)動(dòng)并不是單片機(jī)輸出低電平驅(qū)動(dòng),而是驅(qū)動(dòng)負(fù)載時(shí),通過閉合地線來實(shí)現(xiàn)使能。這個(gè)和單片機(jī)輸出電平無關(guān),不過不影響文章整體的閱讀體驗(yàn)。
BTS3142D關(guān)鍵參數(shù)如下圖所示,如進(jìn)行替換,必須具備以下功能:
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NMOS,漏極電流不小于4.6A,導(dǎo)通電阻足夠小;
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開漏輸出;
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具有過壓保護(hù)功能;
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具有電流檢測(cè)功能;
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具有開路檢測(cè)功能;
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輸出外部端口ESD防護(hù)。
第一步,選擇一個(gè)合格的NMOS, ID>4.6A,Rdson越小越好,最好不超過50mΩ;
其實(shí)可以看出來低驅(qū)集成芯片BTS3142D在ID=4.6A的情況下還能做到Rdson=28mΩ,已經(jīng)非常出色了。對(duì)于負(fù)載的驅(qū)動(dòng),選擇MOS管主要看中電流指標(biāo),VDS可以適當(dāng)降低,我發(fā)現(xiàn)了NMOS IRLL3303PbF滿足此需求,指標(biāo)如下:VDS=30V, ID=4.6A, Rdson=31mΩ。
第二步,設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路;
當(dāng)輸入為高電平時(shí),Vgs>Vgs(th),MOS管導(dǎo)通;
當(dāng)輸入為低電平時(shí),Vgs<Vgs(th),MOS管關(guān)斷。
MOS管的柵源之間存在寄生電容Cgs,電路回路中寄生電感不可避免,開關(guān)時(shí)容易產(chǎn)生LC震蕩。柵極電阻R8小,開關(guān)器件導(dǎo)通速度快,開關(guān)的損耗小,dV/dt提高,EMI增大;而柵極電阻R8值過大會(huì)導(dǎo)致NMOS管的開關(guān)速率變慢,開關(guān)的損耗變大。因此柵極電阻R8不能太大也不能太小,通常為10~20Ω。
關(guān)于EMI和MOS管開關(guān)損耗可看下面鏈接:
DCDC基礎(chǔ)(13)-- Buck電路的損耗有哪些?(記一次面試經(jīng)歷)
DCDC基礎(chǔ)(12)-- Buck電路的Layout設(shè)計(jì)與EMI
DZ3 穩(wěn)壓管防止輸入電壓過大,對(duì)后級(jí)電路起到保護(hù)的作用,由于MOS管VGS最大不超過16V,1N4106穩(wěn)壓典型值為12,滿足要求。
R9和C3是選貼的,R9主要是在柵源極之間增加Cgs的泄放通道,提高關(guān)斷速度;如果GD之間有穩(wěn)壓電路,穩(wěn)壓管的漏電流會(huì)提高穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值,此時(shí)R9取值需盡量小或者不貼。C3是為了增加導(dǎo)通時(shí)間Tr,選貼,值不能太大,通常為Cgs(Cgs=Ciss-Crss)值的一半。
對(duì)于電子設(shè)計(jì),平衡各種指標(biāo)是元器件選型的關(guān)鍵,這種能力需要在實(shí)踐中獲取。
第三步,增加過壓保護(hù)功能;
穩(wěn)壓功能主要是應(yīng)對(duì)感性負(fù)載,感性負(fù)載開路會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì),外部供電為12V,一般為供電電壓的2~3倍,此時(shí)需要保護(hù)MOS管漏極,穩(wěn)壓管1N5254典型值為27V,小于漏極的最大電壓30V。
第四步,增加電流檢測(cè)功能;
主要為了保護(hù)MOS管漏極,防止電流過大導(dǎo)致?lián)舸?/span>
第五步,增加開路檢測(cè)功能;
為什么要加開路檢測(cè),這個(gè)電路看上去已經(jīng)沒問題了啊,功能都可以滿足,這個(gè)開路檢測(cè)是否多余呢?
汽車電子有個(gè)FMEA失效模式和影響分析,比如MOSFET發(fā)生開路故障,導(dǎo)致不能正確驅(qū)動(dòng)負(fù)載,嚴(yán)重度很高,而可探測(cè)度卻很低,導(dǎo)致RPN值很高,必須要對(duì)這個(gè)電路采取措施,那么如果加上這個(gè)診斷措施,可探測(cè)度提高,RPN值就會(huì)降低很多。
第六步,增加ESD端口防護(hù);
為什么是27V的TVS?因?yàn)樯逃密嚨墓ぷ麟妷菏?4V,需要滿足jump start要求,感興趣的可以了解一下。具體選型可以看看之前的文章:電路防護(hù)---TVS選型
最后,增加邏輯反相部分,得到最終電路。(此步驟可省略)
這部分電路可以參考:基礎(chǔ)電路學(xué)習(xí)(6)-- 從深度飽和談三極管的開關(guān)響應(yīng)
設(shè)計(jì)時(shí)需注意,此類降本設(shè)計(jì)只需要從板級(jí)考慮,滿足產(chǎn)品功能即可,不需要過分注重芯片內(nèi)部設(shè)計(jì),如輸入ESD就可以忽略,另外要注意電路的面積,不然結(jié)構(gòu)改動(dòng)又是一筆大的花費(fèi)。
這時(shí)候就可以向老板交差了,哈哈。