這些年，手機芯片成為領跑先進制程的代表，當前，高通驍龍、聯(lián)發(fā)科天璣等均已進入4nm，年內甚至有望迎來首顆3nm手機處理器。

說起手機芯片，大家能夠說出幾個?根據(jù)相關統(tǒng)計，全球主流智能手機中搭載的手機芯片無非就是這幾個，分別是：蘋果的A系列芯片、高通的驍龍芯片和華為的麒麟芯片。首先說一下前兩款芯片，蘋果的A系列芯片是獨一枚獨占芯片，也就是說只能在iphone設備中使用，其它手機品牌是不適用的，而高通的驍龍芯片則是開放的，只要手機廠商達成合作，購買回來即可使用。

而華為作為國內唯一一家可以生產高性能SOC芯片的公司，所推出的麒麟芯片已經(jīng)可以和前兩者“一較高下”了，而且麒麟芯片也是獨占的，性能、功耗和發(fā)熱都要很好。就拿麒麟9000芯片來說吧，到目前為止放在高端旗艦中使用，都是一點問題沒有的，畢竟也是全球首款5納米的SOC性能芯片。

除了這三枚芯片之外，其實還有聯(lián)發(fā)科的天璣芯片和三星的Exynos系列芯片。聯(lián)發(fā)科因為成長比較晚，發(fā)展速度緩慢，也是趁著高通“擺爛”了一年，憑借天璣8100和天璣9000芯片追上了差距，雖然市場表現(xiàn)不錯，但還是保有量一般。而三星的Exynos基本上就在國內看不到了，因為在國內的三星手機只有高通驍龍這一個版本。

三星為了在半導體行業(yè)快速發(fā)展，以實現(xiàn)反超臺積電，此前就決定要在2030年前持續(xù)投入1160億美元，以實現(xiàn)在3nm制程上趕超臺積電，并計劃在2025年實現(xiàn)芯片制造方面的領先。

這兩年三星半導體也沒有辜負如此巨大的投入，2020年開始量產5nm工藝，2021年又量產4nm工藝，而現(xiàn)在三星又將制程工藝推向了3nm水平。

日前有報道稱，三星3nm工藝已經(jīng)實現(xiàn)量產，并且良率也已大幅改善，這意味著三星的3nm工藝實現(xiàn)量產，確實趕在了臺積電的前面。

因為聯(lián)電、格芯等退出7nm以下節(jié)點，導致先進工藝的比拼成了臺積電和三星兩虎相爭。雖然臺積電在晶圓代工總量上明顯領先三星，不過，具體到4nm+5nm手機芯片這一維度，三星居然反超了。

統(tǒng)計機構Counterpoint Research給出的數(shù)據(jù)顯示，今年一季度，5nm及更先進的智能手機處理器中，三星占據(jù)了高達60%的代工出貨份額，臺積電則是40%。

說實話，這樣的成績絕對要感謝驍龍888、驍龍888 Plus以及最新的驍龍8 Gen1，畢竟，時鐘撥回到去年一季度，三星5nm份額只有區(qū)區(qū)8.6%，其余91.4%均被臺積電攬獲。

不過，隨著驍龍8+ Gen1轉投臺積電4nm，并且口碑不錯，相關局面可能很快扭轉。

另外，三星在6月底全部全球首個投產3nm GAA晶體管芯片，雖然走在了臺積電前面，但據(jù)說客戶是礦機廠商，“噱頭”質疑不絕于耳。

市場調研機構TrendForce發(fā)布的報告顯示，2022年第一季度全球半導體代工市場排名中，臺積電以53.6%的份額位居第一，三星位居第二，市場份額為16.3%。

此次3納米芯片投產領先，能讓三星逆轉競爭形勢嗎?

一位芯片行業(yè)研究人員認為，三星3納米芯片采用的GAA工藝根本沒有成熟，相關的測量、蝕刻、材料、化學品等方面，都存在問題，是“趕鴨子上架”。

前述分析師也認為，雖然搶到了“首產”的名頭，但客戶更關心三星3納米的良品率問題，“如果不能保證良品率，也很難獲取客戶信心。”

不過，三星冒險上GAA工藝，也有換道超車的考量。CHIP全球測試中心中國實驗室主任羅國昭認為，如果不在3納米上搶先使用GAA工藝，按照目前的市場格局以及既有的競爭路徑演進分析，三星追上臺積電的可能性很小。

在羅國昭看來，當下的芯片代工已經(jīng)變成一個資本與技術雙密集型的產業(yè)，這也意味著行業(yè)的馬太效應極強。目前，雙方的市場份額差距仍有擴大趨勢，因此，三星必須放手一搏。

TrendForce一位內部人士告訴《財經(jīng)國家周刊》，三星想要靠一代產品實現(xiàn)逆轉，“壓力很大，而且臺積電已經(jīng)宣布下半年試產3納米，2024年試產2納米，更新一輪制程工藝的角力已經(jīng)開始了?！?

媒體報道稱，美總統(tǒng)近日參觀了位于平澤市附近的三星芯片工廠，這是目前全球唯一可以量產3nm工藝的晶圓廠，而且三星還首次公開了3nm制程工藝的12英寸晶圓。

對于三星而言，3nm將是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵節(jié)點，因為臺積電的3nm工藝不會采用下一代的GAA晶體管技術，而三星卻采用了最新的技術。

據(jù)了解，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過納米片設備可制造出多橋-通道場效應管MBCFET，該技術可以顯著增強晶體管性能，將用于取代FinFET晶體管技術。

也有多位業(yè)內人士認為，雖然“一超多強”的格局短時間不會大變，但隨著三星以及英特爾向2納米發(fā)起沖刺，臺積電也要添幾分危機感，半導體制造業(yè)近五年在制程技術上狂飆突進，未來還會有替代硅芯片的新方案，會涌入更多的競爭者。