美國和日本要搞2nm芯片，這美國不是有臺積電和三星嗎?為什么它又要去扶持日本?說起來你可能不信，美國的這一舉動，很可能就是針對“不聽話”的臺積電，就像當年扶植三星搞垮日本半導體企業(yè)一樣。

大家都知道，臺積電的背后就是美國，為什們美國還要多此一舉呢?我們之前有一期講過“臺積電與美國的愛恨情仇”，說明了他們也不是鐵板一塊。例如美國想讓臺積電赴美建廠，但是臺積電死活都不答應。然后美國改了芯片規(guī)則，斷了臺積電財路，臺積電逼不得已答應在美國建廠。結果臺積電花了800億建廠，美國卻翻臉了，不僅一開始說好的幾百億的補貼沒了，還被美國貼上了“不安全”的標簽。于是臺積電就反擊了，開始在全球建廠，帶著別人一起搶美國的市場。

根據《經濟日報》的報道，臺積電2nm建廠計劃相關的環(huán)保評審文件已經提交送審，力爭明年上半年通過環(huán)評，隨即交地建廠，第一期廠預計2024年底前投產。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機會。

目前，臺積電在全球共有13座晶圓代工廠。其中，10家工廠位于中國臺灣地區(qū)，2家分別在上海和南京，分別制造8寸和12寸晶圓;1家在美國Fab11，制造8寸晶圓。而臺積電7nm、5nm先進工藝芯片主要在臺南Fab18廠進行生產。據悉，上述每痤工廠的造價約為100億美元，它屬于臺積電1200億美元投資的一部分，而4座工廠都會生產3納米芯片。顯然，全球出現芯片短缺，臺積電擴產也是順應市場要求。按照臺積電的計劃，它至少要在中國臺灣省建20座圓晶廠，有些正在建設，有些已經完成。

目前，各大晶圓制造廠商關注的重點是更先進的 3nm、2nm 技術，以滿足高性能計算等先進芯片需求。最近臺積電首次全面公開了旗下的 3nm 及 2nm 工藝技術指標，相比 3nm 工藝，在相同功耗下，2nm 速度快 10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。然而性能及功耗看著還不錯，但臺積電的 2nm 工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了 10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是 100% 才行，實際中也能達到 70-80% 以上才能算新一代工藝。更重要的是，臺積電表示 2nm 工藝要到 2025 年才能量產，意味著芯片出貨都要 2026 年了，4 年后才能看到，工藝升級的時間也要比之前的 5nm、3nm 更長。

繼今年上半年將 GAA 技術應用于其 3 納米工藝后，三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規(guī)模生產基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的 FinFET 工藝進入 3 納米半導體市場，而三星電子則押注于 GAA 技術。

專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩(wěn)定的產量，它就能成為代工市場的游戲規(guī)則改變者。臺積電預計將從 2 納米芯片開始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個產品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關鍵時期。最近，三星宣布，在未來五年內，將在半導體等關鍵行業(yè)投資共計 450 萬億韓元(約 2.34 萬億元人民幣)。然而，三星在 3 納米工藝良率方面遇到了障礙。與三星一樣，臺積電在提高 3 納米工藝的產量方面也有困難。

隨著我們的科技上的進步，在許多尖端領域也掌握了不遜于國際一流水平的技術，但芯片技術仍然是卡住我們科技進步的一個痛點。在美國推行對芯片產業(yè)的限制令后，我們的半導體產業(yè)發(fā)展也越來越困難。

如今老美都已經宣稱要和小日子過得不錯的腳盆地區(qū)人民聯合研發(fā)2nm制程了，而我們到現在也只能實現28nm制程的批量生產，差距不可謂不大。