不要延時,對電流隔離器的基本需求
數(shù)字電流隔離在世界范圍內發(fā)揮著重要作用。它做了一件了不起的事情:它可以保護不穩(wěn)定的產品免受計劃外的電子反沖,就像一套盔甲可以抵御戰(zhàn)場上意想不到的彈跳一樣。
除了這種保護之外,它還促進了設備之間的通信。有時,兩個設備可能位于不同的接地平面上,但仍需要相互接觸。為了說明這兩個好處,讓我們看一下需要開啟 100V 電機的 3V 微控制器 (MCU)。
MCU 可能位于數(shù)字接地層,而電機位于模擬接地層。如果您要將電機的控制線直接連接到 MCU,您將創(chuàng)建一個接地回路和接地電位差 (GPD),這可能會抑制來自 MCU 的信號傳遞到電機。更不用說單獨的連接可能會燒毀 MCU,但如果由于某種原因 MCU 的控制信號通過此 GPD 并打開電機;電機轉動產生的反電動勢 (EMF) 可能會回來并完全燒毀 MCU!如果您以這種方式設計系統(tǒng),請不要擔心……現(xiàn)在隔離還為時不晚。好事需要時間,所以不要把延時誤解為懶惰;所有工程師都知道,真正的效率就是效率。無論您的設計如何,添加隔離永遠不會太晚。
電流隔離有多種形式以及不同程度的保護。另一種看待它的方式是通過金發(fā)姑娘的眼睛:當其他人看起來“太熱”或“太冷”時,它“恰到好處”。從您可以獲得的最大隔離保護開始,我將討論加強隔離。您可能聽說過 TI發(fā)布的增強型數(shù)字電流隔離器。
例如:ISO676x -Q1 器件是高性能六通道數(shù)字隔離器,可提供符合 UL 1577 的 5000 VRMS 隔離額定值,非常適合具有此類需求的成本敏感型應用。這些器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認證。
在隔離 CMOS 或者 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時, ISO676x-Q1 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射,同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO676x 系列器件采用所有可能的引腳配置,因此所有六個通道都可以處于同一方向,或者一個、兩個或三個通道處于反向,而其余通道處于正向。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失,不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平,帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息,請參見器件功能模式部分。
這些器件與隔離式電源結合使用,有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術, ISO676x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強,可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。 ISO676x-Q1 系列器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 封裝,是對前幾代器件的引腳到引腳的升級。
這些設備提供了在某些情況下需要的防彈加固保護,例如處理非常嘈雜的信號的惡劣工業(yè)環(huán)境,這些信號可能會迅速飆升。在金發(fā)姑娘的場景中,這些可能被視為“太熱了”。另一端的功能隔離是最低的隔離形式,提供保護但最低級別或“太冷”,而基本隔離在保護方面介于不太熱和不太冷之間,但恰到好處。
當您在環(huán)境可能變得嘈雜但不是世界末日的環(huán)境中需要多于“一點”但少于“大量”的保護時,基本電流隔離可為您提供保障。例如,在任何主要的工業(yè)設計中,很可能都有一個連接到嘈雜電源的電源塊。根據(jù)該電源的質量和噪聲抑制能力(甚至可能在其內部),您可能需要使用增強型隔離器,因為它可以處理大部分具有挑戰(zhàn)性的電氣干擾。然后清理并傳遞給系統(tǒng)本身使用的東西應該可以使用,但理論上發(fā)生的事情并不總是在現(xiàn)實世界中轉化。因此,您可能需要對系統(tǒng)的其余部分進行更多隔離。
所以不要延時;隔離!尋找適合您的電流數(shù)字隔離器。事實上,TI 擁有全新的基本數(shù)字電流隔離器系列。與我們的上一代產品相比,這些基于電容的數(shù)字隔離器提供:
· 3.0kV RMS的 UL 1577 隔離額定值高出 20% 。
· 6kV PEAK的 DIN V VDE V 0884-10 最大浪涌電壓額定值高出 50% 。
· 有功功率降低 80%。