ADI LTC7050-1雙通道單片式功率級(jí)將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

LTC7050-1雙通道單片式功率級(jí)在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動(dòng)器和低電阻半橋電源開關(guān)，以及全面的監(jiān)控和保護(hù)電路。借助合適的高頻控制器，該功率級(jí)可形成具有先進(jìn)的效率和瞬態(tài)響應(yīng)的緊湊型大電流穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術(shù)采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖，同時(shí)盡可能提升高開關(guān)頻率下的效率。

高速電流檢測(cè)可提供低延遲開關(guān)電流信息，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的電流平衡和即時(shí)過流保護(hù)。

熱增強(qiáng)型封裝提供雙路35A額定輸出電流能力。

當(dāng)高端 FET 開啟時(shí)，>93A 的瞬時(shí) SW 電流(流出 SW 的凈電流)將使過流 (OC) 比較器跳閘并設(shè)置內(nèi)部 OC 狀態(tài)。 發(fā)生這種情況時(shí)，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，高端 FET 都將關(guān)閉，而低端 FET 將打開，直到 SW 電流降至 5A，此時(shí) OC 狀態(tài)將被復(fù)位?；謴?fù)正常的 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作。 當(dāng)?shù)蛡?cè) FET 開啟時(shí)，<–45A 的瞬時(shí) SW 電流(流入 SW 的凈電流)將使 OCN 比較器跳閘。發(fā)生這種情況時(shí)，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，低端 FET 將關(guān)閉，高端 FET 將打開，直到 SW 電流增加到 –8A，此時(shí) OCN 狀態(tài)將被復(fù)位。 正常 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作恢復(fù)。 在 OC 或 OCN 條件下，F(xiàn)LTB 被拉低。

如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍從 VIN 流經(jīng)頂部 FET 到 SW，則頂部 FET 將關(guān)閉，底部 FET 將打開以續(xù)流電流，直到它已經(jīng) 斜降。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍從 SW 流經(jīng)頂部 FET 到 VIN，則頂部 FET 將在電流下降之前不會(huì)關(guān)閉。同樣，如果 PWM 從低電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍從 SW 流經(jīng)底部 FET 到 PGND，則底部 FET 將關(guān)閉，而頂部 FET 將打開以續(xù)流電流，直到 它已經(jīng)降低了。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍從 PGND 流經(jīng)底部 FET 到 SW，則底部 FET 將在電流下降之前不會(huì)關(guān)閉。

LTC7050-1 雙通道單片式功率級(jí)的 VCC 和 PVCC 應(yīng)在 VIN 出現(xiàn)之前偏置，并在 VIN 移除后斷電。 不要強(qiáng)制 RUN 引腳電壓高于 VCC 電壓。 在啟用 PWM 控制器之前，確保 LTC7050-1 雙通道單片式功率級(jí)已被適當(dāng)?shù)仄?，并?LTC7050-1 的 RUN 引腳被上拉。

ISNS 提供和吸收 SW 電流的 1/100,000 的電流。根據(jù)控制器的最大電流感應(yīng)信號(hào)范圍，選擇合適的電阻將 ISNS 電流轉(zhuǎn)換為反映實(shí)時(shí) SW 電流的差分電壓信號(hào)。電阻器應(yīng)偏置在具有灌電流和拉電流能力的低阻抗共模電壓。確保在最大正電流和負(fù)電流下，ISNS 引腳電壓在規(guī)定范圍內(nèi)，使增益 ISNS/ISW 保持恒定。該數(shù)據(jù)表的第一頁顯示了一個(gè)通用的 LTC7050-1 應(yīng)用電路。 LTC7050-1 雙通道單片式功率級(jí)針對(duì)高頻大電流穩(wěn)壓器的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。外部元件的選擇很大程度上取決于負(fù)載要求，首先是選擇開關(guān)頻率 fSW 和電感器 L。一旦選擇了電感器，就可以選擇輸入電容 CIN 和輸出電容 COUT。選擇 ISNS 電阻器來設(shè)置電流限制。

開關(guān)頻率的選擇是效率和元件尺寸之間的權(quán)衡。 低頻操作通過減少 FET 開關(guān)損耗來提高效率，但需要更大的電感和/或電容來保持低輸出紋波電壓。在選擇開關(guān)頻率時(shí)，確保最大輸入電壓下的高端導(dǎo)通時(shí)間長于 LTC7050-1 雙通道單片式功率級(jí)的最小導(dǎo)通時(shí)間 tON(MIN)，這是 LTC7050-1 能夠?qū)崿F(xiàn)的最小持續(xù)時(shí)間 打開頂部 FET。 它由內(nèi)部時(shí)序延遲、功率級(jí)時(shí)序延遲和開啟頂部 FET 所需的柵極電荷決定。

LTC7050-1 應(yīng)通過低阻抗電源層連接至 VIN 電源。 陶瓷輸入電容器應(yīng)放置在物理上盡可能靠近封裝的位置，其尺寸和數(shù)量適合溫升和紋波電流，計(jì)算如下。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來說都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。