（全球TMT2022年4月14日訊）世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進封裝技術。世芯在7/6/5納米的ASIC設計上能特別專注于具有數(shù)十億邏輯門數(shù)的超大規(guī)模/尺寸IC設計。這些先進的IC主要用于人工智能、高性能計算、網(wǎng)絡及存儲應用等領域。

世芯完整的7/6/5納米設計能力包括大規(guī)模芯片設計里必要的分區(qū)和簽核、測試設計流程，以及一套涵蓋了全面系統(tǒng)協(xié)同設計簽核的中介層/基板設計的完整2.5D封裝設計流程。世芯的創(chuàng)新封裝服務也涵蓋信號/電源仿真及熱仿真（SI/PI），能提供即插即用的流片后解決方案，以減少基板層和由此產生的材料成本。這樣產生的7/6/5納米IC具有更精確的功率和熱估算流程，能避免流片后的失敗，在高功率設計中尤其關鍵。

世芯完整的5納米“設計到交付”方法側重于最大限度地縮短設計周期。其中的實體設計像是芯粒（Chiplet）技術平臺、高性能計算IP組合含世芯的D2D APLink IP、IP子系統(tǒng)集成服務，以及最新的2.5D異構封裝技術等。