眾所周知，目前全球最牛的光刻機廠商是ASML，并且全球僅有它能夠研發(fā)EUV光刻機，用于7nm及以下的芯片。而像佳能、尼康、上海微電子的光刻機，均無法支持7nm及以下的芯片制造，更多的只能用于中、低檔的晶圓制造。

所以EUV光刻機也成為了各大晶圓制造廠必爭產(chǎn)品，而其它的光刻機廠商，必然也想造出自己的EUV光刻機來。但ASML在EUV光刻機上，是設(shè)了幾道坎的，比如收購了美國企業(yè)Cymer，后來又與德國的TRUMPF獨家合作，還與卡爾蔡司獨家合作，從光源到透鏡、到供應(yīng)鏈方面，讓其它企業(yè)沒法追上。

所以對于其它光刻機企業(yè)而言，按照ASML的方式，其實是很難追上ASML的，得到了供應(yīng)鏈的支持，EUV光刻機就難以研發(fā)出來，所以換道超車也是另外一種考慮的方向。特別是在后摩爾時代，芯片工藝越來越難，各大晶圓廠商都在發(fā)力3D封裝，小芯片技術(shù)、堆疊等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時，不再一味追求EUV光刻機，也成為了可選項。

何謂3D光刻機，顧名思議，就是直接光刻3D堆疊的芯片。以前的芯片，都是一塊一塊晶圓來光刻，然后在封裝時進行3D堆疊。但3D光刻機，可以在光刻時就實現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)，采用堆疊的方式直接光刻，這樣大幅度提高效率和性能，也算是真正的換道超車。

按照報道稱，3D光刻機的曝光面積擴大至現(xiàn)有產(chǎn)品的約4倍，佳能是在原基礎(chǔ)上改進透鏡和鏡臺等光學零部件，來提高曝光精度，增加布線密度，從而實現(xiàn)3D光刻。道稱，光刻機巨頭佳能正在開發(fā)用于半導(dǎo)體3D技術(shù)的光刻機，最早在2023年就會面市。當然，現(xiàn)在還只是報道，具體會不會實現(xiàn)，能不能實現(xiàn)還是未知數(shù)。如果佳能真的實現(xiàn)了這一技術(shù)，那么對于整個芯片制造產(chǎn)業(yè)而言，將會是一個巨大的改變。想當年ASML率先推出了浸潤式光刻機，用水來替代空氣做為介質(zhì)，從而奠定了自己成為全球第一大光刻機巨頭的基礎(chǔ)。

4 月 1 日消息，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，佳能正在開發(fā)用于半導(dǎo)體 3D 技術(shù)的光刻機。佳能光刻機新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面積擴大至現(xiàn)有產(chǎn)品的約 4 倍，可支持 AI 使用的大型半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

3D 技術(shù)可以通過堆疊多個半導(dǎo)體芯片使其緊密連接來提高性能的方式。據(jù)介紹，在放置芯片的板狀零部件上，以很高的密度形成以電氣方式連接各個芯片的多層微細布線，佳能就正在開發(fā)用于形成這種布線的新型光刻機，在原基礎(chǔ)上改進透鏡和鏡臺等光學零部件，來提高曝光精度以及布線密度。據(jù)稱，普通光刻機的分辨率為十幾微米，但新產(chǎn)品還能支持 1 微米的線寬。

在尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D 技術(shù)可以通過堆疊多個芯片來提高半導(dǎo)體的性能。在這個領(lǐng)域，3D 半導(dǎo)體光刻機是十分重要的設(shè)備，而且我們企業(yè)在這一領(lǐng)域也有建樹。

了解到，今年 2 月 7 日，上海微電子舉行首臺 2.5D / 3D 先進封裝光刻機發(fā)運儀式，這標志著中國首臺 2.5D / 3D 先進封裝光刻機正式交付客戶。

在 3 月 28 日的財報會上，華為郭平表示華為未來將投資三個重構(gòu)，用堆疊、面積換性能，用不那么先進的工藝也可以讓華為的產(chǎn)品有競爭力?！敖鉀Q芯片問題是一個復(fù)雜的漫長過程，需要有耐心，未來我們的芯片方案可能采用多核結(jié)構(gòu)，以提升芯片性能”。

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，佳能正在開發(fā)用于半導(dǎo)體3D技術(shù)的光刻機，佳能光刻機新產(chǎn)品最早于2023年上半年上市。曝光面積擴大至現(xiàn)有產(chǎn)品的約4倍，可支持AI使用的大型半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

據(jù)悉，3D技術(shù)是通過堆疊多個半導(dǎo)體芯片使其緊密連接來提高性能的方式。在放置芯片的板狀零部件上，以很高的密度形成以電氣方式連接各個芯片的多層微細布線，佳能就正在開發(fā)用于形成這種布線的新型光刻機。

此外，該新型光刻機通過在原基礎(chǔ)上改進透鏡和鏡臺等光學零部件，來提高曝光精度;通過提高分辨率來增加布線密度，還支持1微米的線寬。