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[導(dǎo)讀]聯(lián)發(fā)科在去年12月推出了業(yè)界首款4nm芯片—天璣9000,但如今驍龍8手機(jī)已經(jīng)滿天飛,首款搭載天璣9000的手機(jī)仍未發(fā)布,預(yù)計要到3月份才會和我們見面,或由oppo find x5首發(fā)。

聯(lián)發(fā)科在去年12月推出了業(yè)界首款4nm芯片—天璣9000,但如今驍龍8手機(jī)已經(jīng)滿天飛,首款搭載天璣9000的手機(jī)仍未發(fā)布,預(yù)計要到3月份才會和我們見面,或由oppo find x5首發(fā)。

在華為海思的麒麟高端芯片短期內(nèi)無法生產(chǎn)的情況下,高通和聯(lián)發(fā)科兩大芯片巨頭的較量更加激烈,除了天璣9000之外,聯(lián)發(fā)科還憋了兩個大招:兩款基于5nm工藝的次旗艦芯片,天璣9000的“小弟”天璣8000,以及天璣1200的升級版—天璣1300。聯(lián)發(fā)科的芯片向來比高通便宜,這也是為什么聯(lián)發(fā)科近兩年來突飛猛進(jìn),市場份額趕超高通的重要原因之一。不過業(yè)內(nèi)人士表示,天璣9000的成本不會低,畢竟采用了最頂級的4nm工藝、性能也和驍龍8相差無幾,而且臺積電在去年提高了代工費(fèi)。之前有消息稱,在天璣9000之外,聯(lián)發(fā)科還準(zhǔn)備了一顆次旗艦芯片天璣7000,正如去年的天璣1200和天璣1100。這款芯片基于5nm工藝,所以具備成本上的優(yōu)勢。

而根據(jù)數(shù)碼媒體的爆料,這顆次旗艦芯片并不叫天璣7000,而是會命名為天璣8000。因?yàn)槿绻刑飙^7000,會讓人感覺性能和天璣9000差距較大。天璣8000的CPU為4個A78大核+4個A55小核的架構(gòu),GPU是Mali-G510 MC6的V9架構(gòu),性能提升多達(dá)100%,同時能效也提升了22%。據(jù)悉,天璣8000的安兔兔跑分在75萬左右,還是工程機(jī)跑分,量產(chǎn)機(jī)型跑分大概率會在80萬+。

天璣9000對上驍龍8,天璣8000則是用于對抗驍龍888。對比驍龍888,天璣8000工藝相同、性能可能要略差一些,但具備功耗上的領(lǐng)先,同時還會有價格上的優(yōu)勢。那么天璣8000手機(jī)什么時候上市?從目前的情況看,搭載天璣8000的手機(jī),上市時間比天璣9000還要晚,估計要在4月-5月份。這也是聯(lián)發(fā)科面臨的最大問題,臺積電產(chǎn)能有限,僅蘋果的芯片代工就已經(jīng)飽和了。市面上的一些機(jī)型并沒有采用驍龍8,首先是受制于缺芯、其次是成本上的考量,所以還是搭載了驍龍888芯片。聯(lián)發(fā)科苦于沒有一顆次旗艦芯片,只能是眼睜睜地看著手機(jī)廠商選擇高通。在天璣8000發(fā)布后,手機(jī)廠商又有了另一個選擇。

全球缺芯后,各大芯片企業(yè)都在積極擴(kuò)大芯片產(chǎn)能,其中,三星宣布未來10年投資超2000億美元,而臺積電則宣布3年投資1000億美元。

最主要的是,臺積電和三星都宣布在美建廠,臺積電建設(shè)的是5nm芯片生產(chǎn)線,而三星建設(shè)的是3nm芯片生產(chǎn)線,兩者都將會獲得一定數(shù)量的補(bǔ)貼。美基本上也確認(rèn)了520億美元的補(bǔ)貼方案,其中,390億美元主要是用于芯片工廠建設(shè),而109億美元則使用于研發(fā)中心等建設(shè)。都知道,臺積電等廠商曾加入美半導(dǎo)體聯(lián)盟,幾十家企業(yè)聯(lián)合起來向美索要超500億美元的補(bǔ)貼,如今,520億美元的補(bǔ)貼基本確定了,但卻讓臺積電將結(jié)果看清楚了。消息稱,美敲定520億美元的補(bǔ)貼,已經(jīng)決定拿出20億美元直接補(bǔ)貼給英特爾建廠。

其中,6億美元是補(bǔ)貼,7億美元用于基礎(chǔ)建設(shè)的修建和升級,其它的資金或?qū)⒂迷诟黜?xiàng)開支。而在之前,英特爾曾宣布200億美元建廠,而這只是建廠投資的一部分,未來建廠投資可能會超過1000億美元。也就是說,臺積電積極在美建廠,結(jié)果補(bǔ)貼敲定了,卻先給了英特爾,直接都是超120億元,不僅如此,英特爾還曾明提出,補(bǔ)貼應(yīng)該掌握核心技術(shù)的本土企業(yè)。

這意味著英特爾想將臺積電排除在外,不讓臺積電分享這520億美元的半導(dǎo)體芯片補(bǔ)貼。外媒:超120億元,這讓臺積電一下子看清楚美了在美建廠并獲得補(bǔ)貼這事上,臺積電基本上看清楚了,只不過這次其將120億補(bǔ)貼給英特爾,于是,就有外媒表示這讓臺積電一下子看清楚美了。其實(shí),無論是對美還是對英特爾,臺積電的心中早就有了定論。

芯片制造技術(shù)可以說是當(dāng)下最炙手可熱的技術(shù),因?yàn)橄冗M(jìn)芯片制造技術(shù)研發(fā)難度大、周期長。目前僅有臺積電等少數(shù)廠商掌握,另外就是全球缺芯,加劇了對芯片制造企業(yè)的依賴。據(jù)悉,臺積電是目前全球芯片制造技術(shù)最先進(jìn)的廠商,其不僅技術(shù)先進(jìn),關(guān)鍵是產(chǎn)能也很高,僅EUV晶圓產(chǎn)能,就占了全球63%。

在4nm、3nm等先進(jìn)制程芯片上,臺積電更是處于領(lǐng)先位置,預(yù)計在今年下半年就能夠量產(chǎn)3nm制程的芯片。也就是因?yàn)榕_積電技術(shù)先進(jìn),美等很多國家和地區(qū)都明確邀請臺積電建廠,目的就是想獲得臺積電最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。由于芯片等規(guī)則被修改,臺積電在美建設(shè)5nm芯片生產(chǎn)線,盡管如此,美并不滿足,其不僅想要臺積電最先進(jìn)的芯片制造技術(shù),還要臺積電將更多芯片產(chǎn)能放在美。

對此,外界也很關(guān)心臺積電的態(tài)度,尤其是在先進(jìn)制程芯片技術(shù)方面。進(jìn)入2022年后,多個關(guān)于臺積電的消息正式傳來,可以說,在先進(jìn)芯片制造技術(shù)方面,臺積電不再掩飾,對美ASML亮出了實(shí)態(tài),結(jié)果來了。據(jù)悉,臺積電將會在今年下半年正式量產(chǎn)3nm芯片,2023年推出加強(qiáng)版的4nm芯片。并在2024年推出采用Nanosheet / Nanowire 的晶體管結(jié)構(gòu)和二維材料的2nm芯片。但最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)其是不會給的。因?yàn)?a href="/tags/臺積電" target="_blank">臺積電計劃在2022年繼續(xù)建設(shè)6座晶圓工廠,2nm芯片工廠則建設(shè)在臺灣省,同時,大力提升臺灣省5/4/3nm等芯片的產(chǎn)能。

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