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[導(dǎo)讀]晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí),晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

晶片LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí),晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光.

晶片概述

主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Sr)這幾種元素中的若干種組成.

1.按發(fā)光亮度分:A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D.不可見光(紅外線):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIRE. 紅外線接收管 :PTF.光電管 : PD2.按組成元素分:A. 二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等B.三元晶片(磷﹑鎵﹑砷):SR﹑HR﹑UR等C.四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG等.

晶片外觀晶片形狀為正方形或長方形,上表面有單電極或雙電極,紅光與黃光晶片多數(shù)為單電極晶片,且上表面有正或負(fù)極.藍(lán)/綠晶片多數(shù)為雙電極,且一般圓形電極為正極.具體電極情況請參照晶片規(guī)格書.

1.晶片廠商名稱: A.光磊(ED) B.國聯(lián)(FPD) C.鼎元(TK) D.華上(AOC)E.漢光(HL) F.AXT G.廣稼2.晶片在生產(chǎn)使用過程中需注意靜電防護(hù).

1.評(píng)估流程:來料檢驗(yàn)==>安排試產(chǎn)==>固晶實(shí)驗(yàn)==>焊線實(shí)驗(yàn)==>老化實(shí)驗(yàn)==>不良分析==>OK/NG2.檢驗(yàn)項(xiàng)目包括:2.1、來料資料有無規(guī)格書(沒有規(guī)格書不建議盲目的去實(shí)驗(yàn));2.2、來料的芯片參數(shù)(亮度、電壓、波長等)是否符合規(guī)格要求,外觀(電極位置)是否與規(guī)格書上相同;2.3、尺寸測量:需要采用精確的高倍顯微鏡進(jìn)行測量,實(shí)際尺寸是否符合要求;包括芯片的長、寬、高、電極大小等2.4、電性檢測:VF、IV、WL、IR、極性等實(shí)際測試是否符合要求。此項(xiàng)有很多廠商沒有條件測試,建議在試做過程中去做成成品測試(但極性最好先進(jìn)行確認(rèn));3、試產(chǎn)外觀檢查OK后就開始進(jìn)行排單實(shí)驗(yàn)其他性能是否適合批量投產(chǎn),排單時(shí)準(zhǔn)備好相關(guān)資料與試產(chǎn)資料4、固晶評(píng)估項(xiàng)目:a.PR識(shí)別的能力b.氣壓壓力c.頂針高度d.吸嘴大小e.焊頭壓力f.芯片膜的粘性g.產(chǎn)能如何等,h.推力(推后現(xiàn)象)若有問題均要有記錄。焊線評(píng)估項(xiàng)目:a.焊線壓力b.功率c.時(shí)間d.焊線熱板溫度e.PR識(shí)別能力f.弧高g.金球大小h.產(chǎn)能i.拉力大小(斷點(diǎn)位置)若有問題均要有記錄。老化實(shí)驗(yàn)a.電性測試(包括ESD);b.按信賴性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)取材料準(zhǔn)備分別做以下實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)前產(chǎn)品需要編號(hào)測試VF/IR/IV/WL性能,產(chǎn)品要與數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)),實(shí)驗(yàn)一:常溫點(diǎn)亮保存(條件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH,20mA通電1000hrs)實(shí)驗(yàn)二:高溫高濕點(diǎn)亮(條件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%,20mA通電1000hrs)實(shí)驗(yàn)三:冷熱沖擊[條件Ta=85℃(30分鐘)~Ta=25℃(30分鐘)~Ta=-40℃(30分鐘)~Ta=85℃(30分鐘)]其他實(shí)驗(yàn)可以根據(jù)自己的需要進(jìn)行選擇;實(shí)驗(yàn)過程中每100/168小時(shí)測試一次;所有不良品均要分析。

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