東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
[導讀]點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦!東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。TLP5705H是東...
此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。
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工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動器、光伏逆變器、UPS等。
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高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)
IOP=±2.5A(TLP5702H)
IOP=±5.0A(TLP5705H)
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薄型SO6L封裝
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高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H