一直以來，智能功率級(jí)都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞟DI LTC7051智能功率計(jì)的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

LTC7051單芯片功率級(jí)在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動(dòng)器、低電阻半橋電源開關(guān)以及全面的監(jiān)控和保護(hù)電路。該功率級(jí)采用適當(dāng)?shù)母哳l率控制器，形成了具有先進(jìn)效率和瞬態(tài)響應(yīng)的緊湊型高電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術(shù)采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖，同時(shí)較大限度地提高在高開關(guān)頻率下的效率。

高速電流檢測(cè)可提供低延遲開關(guān)電流信息，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的電流平衡和即時(shí)過流保護(hù)。散熱增強(qiáng)型封裝提供70A額定輸出連續(xù)電流能力。

LTC7051 是一款用于 DC/DC 降壓應(yīng)用的單通道集成驅(qū)動(dòng)器半橋功率 MOSFET 級(jí)。 它設(shè)計(jì)用于同步開關(guān)架構(gòu)，控制器采用 3.3V 或 5V PWM 三態(tài)輸出。

在正常操作中，PWMHI 打開高端 MOSFET，PWMLO 打開低端 MOSFET。 SW 節(jié)點(diǎn)跟隨 PWM 引腳，具有典型的 10ns 延遲。 SW 從 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死區(qū)時(shí)間，SW 下降后有典型的 3ns 死區(qū)時(shí)間。

高端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器通過內(nèi)部集成開關(guān)和電容器從內(nèi)部 BST 節(jié)點(diǎn)供電至 SW，這使得壓降比使用典型二極管可實(shí)現(xiàn)的壓降更低，并且工作頻率更高。

在電流檢測(cè)方面，實(shí)時(shí)電流檢測(cè)放大器提供按比例縮小的 SW 電流。在 PWMHI 或 PWMLO 期間，ISNS 引腳根據(jù) SW 電流方向提供或吸收等于瞬時(shí) SW 電流 1/100,000 的電流。

相關(guān)的電流比較器標(biāo)記高側(cè) MOSFET 正過流 (OC) 和低側(cè) MOSFET 負(fù)過流 (OCN) 相關(guān)的電流比較器也檢測(cè)到兩個(gè) MOSFET 的零電流。

在溫度監(jiān)控器和過熱故障方面，通常，TMON 輸出 0.6V 至 1.8V 的電壓，對(duì)應(yīng)于 0°C 至 150°C 的芯片溫度范圍。TMON 由可以提供電流但吸收能力有限的放大器驅(qū)動(dòng)。這允許多個(gè) TMON 引腳并聯(lián)，并報(bào)告最高溫度。 過熱在 150°C(典型值)時(shí)觸發(fā)，并導(dǎo)致 TMON 引腳被拉高至 VCC。 一旦內(nèi)部溫度低于閾值 20°C(典型值)，過熱故障將被清除。 TDIO 引腳在內(nèi)部連接到 P/N 結(jié)二極管的陽極，而陰極連接到 SGND。它為控制器(例如 LTC3884-1)提供了另一種管芯溫度測(cè)量，以使用直接 VBE 方法測(cè)量管芯溫度 或 ΔVBE 方法。

我們?cè)賮砜纯措妷汗收蠗l件，當(dāng) VCC 或 PVCC 處于 UVLO 或 VIN 處于 OVLO 時(shí)，SW 不會(huì)響應(yīng) PWM，頂部 MOSFET 和底部 MOSFET 均關(guān)閉。 當(dāng) BST-to-SW 電壓處于 UVLO 時(shí)，SW 不會(huì)響應(yīng) PWMHI，直到提供 PWMLO 以使 BSTto-SW 電壓充分充電。

在過流故障條件方面，當(dāng)高端 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，>180A 的瞬時(shí) SW 電流(流出 SW 的凈電流)將使過流 (OC) 比較器跳閘并設(shè)置內(nèi)部 OC 狀態(tài)。 發(fā)生這種情況時(shí)，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，高端 MOSFET 將關(guān)閉，低端 MOSFET 將開啟，直到 SW 電流降至 10A，此時(shí) OC 狀態(tài)將被重置。正常的 PWMHI 至高端 MOSFET 和 PWMLO 至低端 MOSFET 的操作恢復(fù)。當(dāng)?shù)投?MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，<–90A 的瞬時(shí) SW 電流(流入 SW 的凈電流)將使 OCN 比較器跳閘。 發(fā)生這種情況時(shí)，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，低端 MOSFET 將關(guān)閉，高端 MOSFET 將開啟，直到 SW 電流增加到 –16A，此時(shí) OCN 狀態(tài)將被重置。 PWMHI 至高端 MOSFET 和 PWMLO 至低端 MOSFET 的正常運(yùn)行恢復(fù)。

在有源二極管模式下，如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>10A) 電流仍在從 VIN 流經(jīng)頂部 MOSFET 到 SW，則頂部 MOSFET 將關(guān)閉，底部 MOSFET 將導(dǎo)通以續(xù)流電流，直到達(dá)到被降低了。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥16A) 電流仍在從 SW 流經(jīng)頂部 MOSFET 到 VIN，則頂部 MOSFET 將不會(huì)關(guān)閉，直到電流斜坡下降。 類似地，如果 PWM 從低電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥16A) 電流仍然流經(jīng)底部 MOSFET 從 SW 到 PGND，底部 MOSFET 將關(guān)閉，頂部 MOSFET 將開啟以續(xù)流電流直到 它已經(jīng)下降。如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>10A) 電流仍在從 PGND 流經(jīng)底部 MOSFET 到 SW，則底部 MOSFET 將不會(huì)關(guān)閉，直到電流斜坡下降。

最后，小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來說都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。