[導(dǎo)讀]全球先進制程大戰(zhàn)白熱化！?外媒披露，三星規(guī)劃在美國德州設(shè)廠，并將導(dǎo)入最先進的3納米制程，頗有與臺積電直接對決的意味。目前業(yè)界是如何看待兩強競爭？?又有什么觀察重點呢？傳三星斥資170億美金?擬在美設(shè)3納米廠根據(jù)多家外媒報導(dǎo)，三星將投資170億美金、選在德州泰勒市（Taylor）作...
全球先進制程大戰(zhàn)白熱化！ 外媒披露，三星規(guī)劃在美國德州設(shè)廠，并將導(dǎo)入最先進的3納米制程，頗有與臺積電直接對決的意味。目前業(yè)界是如何看待兩強競爭？ 又有什么觀察重點呢？
傳三星斥資170億美金 擬在美設(shè)3納米廠
根據(jù)多家外媒報導(dǎo)，三星將投資170億美金、選在德州泰勒市（Taylor）作為美國第二座晶圓廠的設(shè)廠地點，且已獲得當(dāng)?shù)卣哳~補貼的承諾，目標(biāo)2024年量產(chǎn)。業(yè)界推測，三星極有可能在美國新廠導(dǎo)入最先進的3納米GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)）制程，以爭搶超微、高通等大客戶訂單，力拼超車臺積電。
以量產(chǎn)時間來看，三星美國新廠與臺積電位于美國亞利桑那州的5納米廠量產(chǎn)時間相近，不過投資金額、制程技術(shù)都會超前一段。 因此，市場相當(dāng)關(guān)注，三星傾洪荒之力布局先進制程，是否會威脅晶圓代工霸主地位。對此，業(yè)界認為，臺積電在制程技術(shù)、全球產(chǎn)能、客戶關(guān)系及供應(yīng)鏈管理上都具備領(lǐng)先優(yōu)勢，不是一朝一夕就能撼動的。
首先是制程技術(shù)，臺積電3納米確定選擇沿用FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，而三星將改采GAA，兩強戰(zhàn)術(shù)大不同。業(yè)界表示，F(xiàn)inFET生態(tài)系統(tǒng)已相當(dāng)成熟，可沿用部分驗證過的IP，對IC設(shè)計客戶來說也更省事，在架構(gòu)不變、效能提升下，相對具備成本效益。而臺積電選擇3納米FinFET，勢必是深思熟慮過后的選擇，且有一定把握。
半導(dǎo)體業(yè)界：GAA制程量產(chǎn)難度高
三星3納米所采用的GAA架構(gòu)，據(jù)稱可更精準(zhǔn)地控制通道電流、縮小芯片面積、降低耗電量。
目前半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)對三星大量生產(chǎn)3納米GAA多抱持懷疑的態(tài)度，他們認為，就算三星可以順利生產(chǎn)，但良率一定不會好。尤其先前三星靠著價格優(yōu)勢獲得部分訂單，卻因良率不佳，使客戶（如NVIDIA）重返臺積電下單，未來其他客戶會不會冒險采用難度更高、現(xiàn)階段良率更不靠譜的GAA制程（注：良率不佳代表產(chǎn)能難拉升，客戶無法獲得保障），必須打個問號。
在產(chǎn)能部分，雖然臺積電僅正式宣布美國5納米晶圓廠的規(guī)劃，但公司總裁魏哲家透露不排除在美興建第二座晶圓廠，暗示著未來有進一步在美建置3納米的可能性。業(yè)界認為，新廠早蓋晚蓋并不重要，還是要回歸先進制程的穩(wěn)定性及成本，加上臺積電在全球布點、整體產(chǎn)能仍大勝對手，亦是其他競爭者難以超越的一道檻。
臺積電優(yōu)勢在握惟地緣風(fēng)險不可控
再從客戶關(guān)系來看，三星若能如期推出3納米GAA制程，先撇開良率疑慮不談，公司除代工外，也有生產(chǎn)自家產(chǎn)品，想要搶回蘋果大單的機會相當(dāng)渺茫，重要客戶可能只有自己、高通。反觀臺積一向秉持「everybody's foundry」，不與客戶競爭，優(yōu)勢不言而喻。
至于在供應(yīng)鏈管理上，臺積電也是佼佼者。分析師表示，2019年爆發(fā)日韓貿(mào)易戰(zhàn)，雖然目前看似暫時平息，但日本是半導(dǎo)體原料大國，在全球缺料困境下，仍不排除因政治立場、產(chǎn)業(yè)競爭關(guān)系而傾斜臺廠。據(jù)傳，英偉達（NVIDIA）決定明年重返臺積電5納米家族，除考慮良率外，還有一個關(guān)鍵是臺積電可以獲得充裕的日本半導(dǎo)體材料。
整體來看，分析師認為，臺積電一路走到現(xiàn)在的霸主位置，關(guān)鍵就在于「求穩(wěn)不求快」，相信穩(wěn)扎穩(wěn)打的3納米依舊是下一世代最具競爭力的制程。 值得注意的是，三星擁有相當(dāng)賺錢的內(nèi)存事業(yè)，可以支持晶圓代工事業(yè)，價格也具備一定吸引力，仍不容輕忽它的野心。另外，無法預(yù)測的地緣政治風(fēng)險，均是后續(xù)的觀察重點。
☆ END ☆
傳三星斥資170億美金 擬在美設(shè)3納米廠
根據(jù)多家外媒報導(dǎo)，三星將投資170億美金、選在德州泰勒市（Taylor）作為美國第二座晶圓廠的設(shè)廠地點，且已獲得當(dāng)?shù)卣哳~補貼的承諾，目標(biāo)2024年量產(chǎn)。業(yè)界推測，三星極有可能在美國新廠導(dǎo)入最先進的3納米GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)）制程，以爭搶超微、高通等大客戶訂單，力拼超車臺積電。
以量產(chǎn)時間來看，三星美國新廠與臺積電位于美國亞利桑那州的5納米廠量產(chǎn)時間相近，不過投資金額、制程技術(shù)都會超前一段。 因此，市場相當(dāng)關(guān)注，三星傾洪荒之力布局先進制程，是否會威脅晶圓代工霸主地位。對此，業(yè)界認為，臺積電在制程技術(shù)、全球產(chǎn)能、客戶關(guān)系及供應(yīng)鏈管理上都具備領(lǐng)先優(yōu)勢，不是一朝一夕就能撼動的。
首先是制程技術(shù)，臺積電3納米確定選擇沿用FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，而三星將改采GAA，兩強戰(zhàn)術(shù)大不同。業(yè)界表示，F(xiàn)inFET生態(tài)系統(tǒng)已相當(dāng)成熟，可沿用部分驗證過的IP，對IC設(shè)計客戶來說也更省事，在架構(gòu)不變、效能提升下，相對具備成本效益。而臺積電選擇3納米FinFET，勢必是深思熟慮過后的選擇，且有一定把握。
半導(dǎo)體業(yè)界：GAA制程量產(chǎn)難度高
三星3納米所采用的GAA架構(gòu)，據(jù)稱可更精準(zhǔn)地控制通道電流、縮小芯片面積、降低耗電量。
目前半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)對三星大量生產(chǎn)3納米GAA多抱持懷疑的態(tài)度，他們認為，就算三星可以順利生產(chǎn)，但良率一定不會好。尤其先前三星靠著價格優(yōu)勢獲得部分訂單，卻因良率不佳，使客戶（如NVIDIA）重返臺積電下單，未來其他客戶會不會冒險采用難度更高、現(xiàn)階段良率更不靠譜的GAA制程（注：良率不佳代表產(chǎn)能難拉升，客戶無法獲得保障），必須打個問號。
在產(chǎn)能部分，雖然臺積電僅正式宣布美國5納米晶圓廠的規(guī)劃，但公司總裁魏哲家透露不排除在美興建第二座晶圓廠，暗示著未來有進一步在美建置3納米的可能性。業(yè)界認為，新廠早蓋晚蓋并不重要，還是要回歸先進制程的穩(wěn)定性及成本，加上臺積電在全球布點、整體產(chǎn)能仍大勝對手，亦是其他競爭者難以超越的一道檻。
臺積電優(yōu)勢在握惟地緣風(fēng)險不可控
再從客戶關(guān)系來看，三星若能如期推出3納米GAA制程，先撇開良率疑慮不談，公司除代工外，也有生產(chǎn)自家產(chǎn)品，想要搶回蘋果大單的機會相當(dāng)渺茫，重要客戶可能只有自己、高通。反觀臺積一向秉持「everybody's foundry」，不與客戶競爭，優(yōu)勢不言而喻。
至于在供應(yīng)鏈管理上，臺積電也是佼佼者。分析師表示，2019年爆發(fā)日韓貿(mào)易戰(zhàn)，雖然目前看似暫時平息，但日本是半導(dǎo)體原料大國，在全球缺料困境下，仍不排除因政治立場、產(chǎn)業(yè)競爭關(guān)系而傾斜臺廠。據(jù)傳，英偉達（NVIDIA）決定明年重返臺積電5納米家族，除考慮良率外，還有一個關(guān)鍵是臺積電可以獲得充裕的日本半導(dǎo)體材料。
整體來看，分析師認為，臺積電一路走到現(xiàn)在的霸主位置，關(guān)鍵就在于「求穩(wěn)不求快」，相信穩(wěn)扎穩(wěn)打的3納米依舊是下一世代最具競爭力的制程。 值得注意的是，三星擁有相當(dāng)賺錢的內(nèi)存事業(yè)，可以支持晶圓代工事業(yè)，價格也具備一定吸引力，仍不容輕忽它的野心。另外，無法預(yù)測的地緣政治風(fēng)險，均是后續(xù)的觀察重點。
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關(guān)鍵字： 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指
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