[導(dǎo)讀]存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)
存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
根據(jù)知情人士透露，美光新型替代柵極架構(gòu)將首次應(yīng)用在128層閃存之中，繼續(xù)沿用CMOS陣列，新一代的替代柵極結(jié)構(gòu)有望讓Die size和成本進一步減小。
美光集團CEO對此表示，目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片，這一里程碑的進展降低了產(chǎn)品技術(shù)向下一代技術(shù)過渡的風(fēng)險，并且強調(diào)首代替代柵極架構(gòu)將被應(yīng)用在128層NAND產(chǎn)品上，先期會被應(yīng)用到特定的產(chǎn)品線。
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