Cool-MOS的優(yōu)勢(shì)，你了解嗎？

你知道什么是Cool-MOS嗎?對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為Super Junction MOS(以下簡(jiǎn)稱SJ-MOS),其導(dǎo)通電阻與反向擊穿

二極管電路中檢測(cè)浪涌電流思路指導(dǎo)

對(duì)于電路來(lái)說(shuō)，浪涌電流是非常影響整體運(yùn)行效率的一個(gè)問(wèn)題。設(shè)計(jì)者們想方設(shè)法的對(duì)浪涌電流進(jìn)行規(guī)避，因此各種各樣的測(cè)試方法應(yīng)運(yùn)而生。在本文中，小編將為大家介紹一種二極

基于Arrhenius模型快速評(píng)價(jià)功率VDMOS可靠性

0 引言　　垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)（VDMOS）效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在

LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖

LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖

電動(dòng)自行車控制器電路及原理分析

目前流行的電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車大都使用直流電機(jī)，對(duì)直流電機(jī)調(diào)速的控制器有很多種類。電動(dòng)車控制器核心是脈寬調(diào)制(PWM)器，而一款完善的控制器，還應(yīng)具有電瓶欠壓保護(hù)、電機(jī)過(guò)流保護(hù)、剎車斷電、電量顯示等功能

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到

大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過(guò)器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)

大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過(guò)器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)

功率直流無(wú)刷電機(jī)的控制器VDMOS正確使用

在電動(dòng)自行車?yán)?，直流無(wú)刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成，六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。這六個(gè)VDMOS管通過(guò)大電流，它們的輸出直接是定子的繞

一種200V/100A VDMOS 器件開(kāi)發(fā)

摘　要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計(jì)中導(dǎo)通電阻、面積和開(kāi)關(guān)損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧

一種200V/100A VDMOS 器件開(kāi)發(fā)

摘　要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計(jì)中導(dǎo)通電阻、面積和開(kāi)關(guān)損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧

東光微電子功成上市

11月18日，江蘇東光微電子成功登陸深交所，成為又一家成功上市的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造公司，發(fā)行約2700萬(wàn)股，價(jià)格為每股32元，發(fā)行后總股本將達(dá)到1.07億股。本次IPO募集資金主要用于“半導(dǎo)體防護(hù)功率器件生產(chǎn)線項(xiàng)目、

半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)東光微電登陸中小板

我國(guó)半導(dǎo)體的引領(lǐng)者東光微電18日登陸中小板，該股此次發(fā)行2700萬(wàn)股，發(fā)行價(jià)為16元，募集資金為4.32億元，主要用于半導(dǎo)體防護(hù)功率器件生產(chǎn)線項(xiàng)目、新型功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線技改項(xiàng)目和半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目等三個(gè)項(xiàng)目

高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計(jì)的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達(dá)到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS

高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制

摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計(jì)的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達(dá)到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS

電動(dòng)自行車控制器電路及原理大全

　目前流行的電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車大都使用直流電機(jī)，對(duì)直流電機(jī)調(diào)速的控制器有很多種類。電動(dòng)車控制器核心是脈寬調(diào)制(PWM)器，而一款完善的控制器，還應(yīng)具有電瓶欠壓保護(hù)、電機(jī)過(guò)流保護(hù)、剎車斷電、電量顯示等功能

VDMOS器件損傷的DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計(jì)

航天用DC／DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個(gè)航天器的可靠性，國(guó)內(nèi)外廣泛研究了DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著