今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈,令供應商非常高興,使其在2008年經(jīng)受慘重損失之后又獲得了希望。為了盡快恢復盈利,這些供應商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應對市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司,此后
宜鼎國際(InnoDisk)20日發(fā)表體積最小的超微型nanoSSD i160,體積大約只有一般2.5”SSD的15%,但最大容量卻可達64GB,速度更高達每秒100MB,是傳統(tǒng)硬碟的2倍傳輸速度,並計劃於第四季推出256GB且速度達160MB的超級產(chǎn)
集邦科技(DRAMeXchange)于今年臺北國際電腦展(Computex Taipei 2009)舉辦研討會,與來自二十多個國家的內(nèi)存領導廠商及眾多相關業(yè)界人士,分別就全球DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)以深入探討。 集邦內(nèi)存研究部副總楊雅欣(Jo
集邦科技(DRAMeXchange)于今年臺北國際電腦展(Computex Taipei 2009)舉辦研討會,與來自二十多個國家的內(nèi)存領導廠商及眾多相關業(yè)界人士,分別就全球DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)以深入探討。 集邦內(nèi)存研究部副總楊雅欣(Joy
晶門科技(Solomon)推出支持高達7寸WVGA顯示板的多點觸控電容式觸控面板控制器SSD2521。它能同時偵測四只手指移動,能提供眾多創(chuàng)新的功能,如單憑數(shù)只手指按在顯示屏幕上便可拉動及擴大影像。 SSD2521將所有必備組件
TDK公司推出存儲容量最大為64GB、支持Serial ATA II接口的工業(yè)用SSD(Solid State Drive)“SDG2A”系列。 該工業(yè)用SATA閃存盤采用了TDK研發(fā)的GBDriver RS2 SATA控制器IC;能夠支持高速訪問,有效讀取速率為95 MB/S,
4月29日消息,據(jù)國外媒體報道,日本政府官員表示,中國和日本將在3G服務領域展開合作,此舉將幫助中國發(fā)展3G服務,同時也有助于日本手機廠商進軍中國市場。在3G市場,日本較中國領先一步,經(jīng)驗相對豐富。但在中國手機
IC設計業(yè)龍頭聯(lián)發(fā)科有意進軍固態(tài)硬盤(SSD)應用,傳出將跨入SSD控制IC領域,并已開始進入客戶端送樣階段,與群聯(lián)、慧榮等業(yè)者正面交鋒。 SSD被譽為是繼蘋果iPod之后,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的下一個殺手級產(chǎn)品
IC設計業(yè)龍頭聯(lián)發(fā)科有意進軍固態(tài)硬盤(SSD)應用,昨日傳出將跨入SSD控制IC領域,并已開始進入客戶端送樣階段,與群聯(lián)、慧榮等業(yè)者正面交鋒?! SD被譽為是繼蘋果iPod之后,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的下一個殺手
NAND Flash價格逐步回穩(wěn),配合結合卡類加密等新產(chǎn)品應用日新月異,也讓未來發(fā)展性更受市場矚目。 過去微軟每推出一代新操作系統(tǒng),市場就關注于對標準型DRAM需求的提升。 但即將發(fā)布的Windows 7卻打破這項傳統(tǒng),除可
LSI 公司日前宣布推出新版 MegaRAID 3.6 軟件,其可為 3Gb/s MegaRAID SAS 87XX 與 88XX 系列適配器提供全新的特性與高級功能。其中新特性包括增強型固態(tài)硬盤 (SSD)管理與數(shù)據(jù)保護功能、可降低功耗的硬盤驅(qū)動器盤片降
C114 3月3日消息 SK集團子公司SK證券最近在上海開設代表處并正式開始中國相關業(yè)務。SK證券希望以上海為基地,通過新事業(yè)機會的開發(fā)確保新的成長動力與收益性。SK證券高層人士表示,代表處將為確保實物資產(chǎn)的領導地位
SSD固態(tài)硬盤是去年討論比較多的IT熱門技術,業(yè)內(nèi)對于SSD并不陌生。在產(chǎn)品市場方面,在存儲、筆記本電腦方面都已經(jīng)采用了SSD的產(chǎn)品,以EMC存儲為例,不僅在高端Symmetrix存儲產(chǎn)品線上采用了SSD固態(tài)硬盤,而且已經(jīng)把它
據(jù)美國權威分析機構預測,2007年-2010年間,的全球市場以每年10%左右的比例穩(wěn)步攀升,達到2億5千萬美元以上規(guī)模。有趣的是,其中全球大中華地區(qū)的ODM產(chǎn)品將實現(xiàn)2倍以上的強勁增長,達2億美元的年出貨量。與此相輔相成
從70年代開始,相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory,PCM)就開始成為一個熱議話題,由于其高讀取/寫入速度、低易失性和高存儲密度而成為可能取代磁性存儲介質(zhì)的選擇?,F(xiàn)在,相變內(nèi)存被認為是繼NAND閃存后的下一代技術,因為它
從70年代開始,相變內(nèi)存(PhaseChangeMemory,PCM)就開始成為一個熱議話題,由于其高讀取/寫入速度、低易失性和高存儲密度而成為可能取代磁性存儲介質(zhì)的選擇?,F(xiàn)在,相變內(nèi)存被認為是繼NAND閃存后的下一代技術,因為它