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“沒(méi)有電源就沒(méi)有AI”，英飛凌談AI服務(wù)器的供電架構(gòu)變革
生成式AI的爆發(fā)式增長(zhǎng)正重塑數(shù)據(jù)中心生態(tài)，供電系統(tǒng)成為支撐算力革命的基石。據(jù)國(guó)際能源署（IEA），2023至2030年間，數(shù)據(jù)中心能耗將激增165%，而AI服務(wù)器機(jī)架功耗已從10kW飆升至120kW以上，單GPU功耗甚至逼近2kW。這種高功率密度需求對(duì)電源效率、散熱設(shè)計(jì)和可靠性提出前所未有的挑戰(zhàn)。
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OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET，你知道嗎？
什么是OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。“源極底置”是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
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英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷
英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150
