通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術(shù)
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性
器件可完全避免尖峰和脈沖的影響
雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡化汽車電磁閥控制電路。
兼容AOI;出色的RF性能
在生活中,你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你可能并不知道它的一些組成部分,比如它可能含有的MOSFET,那么接下來讓小編帶領大家一起學習MOSFET。
隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如氮化鎵場效應管。
展覽面積在200平方米以上的Nexperia展臺位于4.1館,展位號為4.1A4-002
“ASFET”采用專為特定應用量身定制的MOSFET參數(shù)
符合AEC-Q101標準的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間;可焊性側(cè)面可實現(xiàn)自動光學檢測(AOI)并提高可靠性
具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件
Nijmegen -- 符合AEC-Q101標準的120 V、150 V和200 V設備兼具肖特基和快速恢復二極管的最佳屬性
具備行業(yè)基準性能的器件,符合AEC-Q101標準,可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
什么是采用小型無引腳耐用型DFN封裝的分立半導體產(chǎn)品組合?它有什么作用?半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出面向汽車應用領域符合AEC-Q101的業(yè)界最寬廣的分立半導體產(chǎn)品組合,該系列器件采用了具有高熱效率、節(jié)省空間、兼容AOI檢測等優(yōu)點的DFN(分立式扁平無引腳)封裝,涵蓋Nexperia的所有產(chǎn)品組合,包括開關(guān)、肖特基、齊納和保護二極管、雙極結(jié)晶體管(BJT)、N溝道及P溝道MOSFET、配電阻晶體管和LED驅(qū)動器。
參與有關(guān)GaN、鍺化硅、汽車應用、先進封裝等等主題的現(xiàn)場討論;觀看點播視頻演示
Nexperia,分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領導者,21日推出其恒流LED驅(qū)動器系列,該系列增加了8個符合AEC-Q101標準的新器件,可驅(qū)動電流高達250mA的低功率和中功率L
今日宣布推出PESD2V8R1BSF,這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件,具有行業(yè)領先的RF性能。
分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia,宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領先且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ESD 防護器件 。
?奈梅亨,2020年2月11日:分立元件、MOSFET元件及模擬和邏輯IC的專業(yè)制造商Nexperia,今天宣布針對100BASE-T1和1000BASE-T1汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領先且符合OPEN Alliance標準的硅基ESD防護器件。
隨著社會的不斷進步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設計者來設計,功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。