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全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片計(jì)
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全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)SICAS 近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5 英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片
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超越ARM，Rambus成為第三大IP供應(yīng)商
超越ARM，Rambus成為第三大IP供應(yīng)商
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解讀SICAS 2010 Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS(一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu))統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片
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解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS是一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)。它統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值
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Intel與以色列商討再建新工廠 或買一送一
據(jù)報(bào)道，Intel目前正在與以色列工業(yè)、貿(mào)易和勞工部進(jìn)行探討，計(jì)劃再那里再建一座新的晶圓廠。Intel希望新工廠也能建在以色列南部小鎮(zhèn)水牛城 (Kiryat Gat)，緊挨其現(xiàn)有工廠Fab 28。這是Intel全球范圍內(nèi)的第二座45nm、
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iPhone 4玻璃外殼容易出現(xiàn)劃痕(圖)
北京時(shí)間6月23日晚間消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，科技博客網(wǎng)站癮科技(Engadget)前編輯賴安·布勞克(Ryan Block)周三在微型博客Twitter上發(fā)表文章稱，剛剛拿到蘋果第四代iPhone手機(jī)(以下簡稱“iPhone 4”)
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WSTS：2010年全球半導(dǎo)體市場將增長28.6％
WSTS（全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織）日本協(xié)會(huì)于2010年6月8日在東京舉行了新聞發(fā)布會(huì)，發(fā)布了WSTS的2010年春季半導(dǎo)體市場預(yù)測。鑒于從2009年底開始的半導(dǎo)體市場的迅速復(fù)蘇持續(xù)到了2010年上半年，WSTS此次大幅上調(diào)了2009年
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MOS-FET開關(guān)電路
MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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帶過流保護(hù)的 DMOS 微步電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器（Allegro）
Allegro MicroSystems 公司日前宣布擴(kuò)展其微步電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列，該系列共包含可減少外置元件和利用簡單 STEP（步進(jìn)）和 Direction（方向）接口的四款設(shè)備。Allegro 的 A4982/A4984/A4985 和 A4988 設(shè)備是帶內(nèi)置轉(zhuǎn)換
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采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路
電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路
電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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基于A4982設(shè)計(jì)的DMOS微型步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)技術(shù)
A4982是集成了電平轉(zhuǎn)換和過流保護(hù)的微型步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器,適用于雙極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),工作在全步進(jìn),半步進(jìn),1/4步進(jìn)和1/6步進(jìn)模式,輸出驅(qū)動(dòng)能力高達(dá)35V和±2 A. A4982包括固定的離線電流調(diào)節(jié)器,兼容3.3V和5V邏輯,睡眠模式電
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可設(shè)定10~100秒的長時(shí)間C-MOS定時(shí)電路
電路的功能若要用555芯片組成長時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
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旺宏電子將收購茂德科技12寸晶圓廠
4月16日消息，臺(tái)灣閃存芯片制造商旺宏電子股份有限公司(Macronix International Co., 2337.TW, 簡稱：旺宏電子)和存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商茂德科技(ProMOS Technologies Inc., 5387.OT)周五共同發(fā)表報(bào)告稱，旺宏電子將斥資新臺(tái)
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華潤上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
華潤上華科技有限公司（簡稱“華潤上華”）與電子科技大學(xué)（簡稱“電子科大”）共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上
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200V和250V OptiMOS系列器件（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)（
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用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS(瑞薩科技)
株式會(huì)社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出R2J20653ANP，一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲(chǔ)器等器件中穩(wěn)壓器（VR）的Integrated Driver-MOSFET。它符合Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)標(biāo)準(zhǔn)，并具有支持高達(dá)27V電壓的
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用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS(瑞薩科技)
株式會(huì)社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出R2J20653ANP，一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲(chǔ)器等器件中穩(wěn)壓器（VR）的Integrated Driver-MOSFET。它符合Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)標(biāo)準(zhǔn)，并具有支持高達(dá)27V電壓的
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