本文中,小編將對晶體管予以介紹,主要在于介紹晶體管的優(yōu)越性、MOS晶體管的相關(guān)內(nèi)容以及晶體管的判別和計算。
隨著社會的快速發(fā)展,我們的電源適配器也在快速發(fā)展,那么你知道電源適配器的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識。
艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35μm高壓CMOS專業(yè)制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進(jìn)“H35”制程工藝,使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。
【導(dǎo)讀】安捷倫在華成立CMOS晶體管建模中心 美國安捷倫科技宣布,將擴(kuò)大對該公司元件建模軟件“IC-CAP(Integrated Circuit Characterization and Analysis Program)”的投資規(guī)模(發(fā)布資料)。 具體來
隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展,尺寸按比例不斷縮小,對芯片面積的挑戰(zhàn)越來越嚴(yán)重,雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個非常嚴(yán)重的問題。鑒于此,本文提出了一款高精度的基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計方案,經(jīng)證實,該電路具備占用芯片面積小,精度高,可移植性強(qiáng)的優(yōu)勢特性。
CA3600E陣列的一個晶體管對和CA3080運算倒轉(zhuǎn)放大器連用可為方波提供精確的定時和閥值。典型的靜態(tài)功耗是6mW。
圖中示出高靈敏的接收器電路。從超聲波話筒UW接收的信號經(jīng)過集成電路NE542V放大約1000倍。其輸出經(jīng)二極管VD1和VD2整流成直流,最后通過VMOS晶體管控制繼電器動作。VMOS晶體管輸出電流可達(dá)2A.因此可以帶動很大的負(fù)載,
用PMOS晶體管作為調(diào)整管的充電電路
有關(guān)單電源運放的一個熱門討論話題是:它們是否能夠做軌至軌的輸入或輸出運行。單電源運放的供應(yīng)商都聲稱自己的放大器有軌至軌輸入能力,但芯片設(shè)計者必須做出某些折衷,才能實現(xiàn)這類性能。 圖1 這個運放的組合
21ic訊 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?;谌碌?0V LDMOS工藝技術(shù),全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計的高功率密度和稱雄業(yè)界的可靠
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管,這種產(chǎn)品
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管,這種產(chǎn)品
飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出RF功率LDMOS晶體管,該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強(qiáng)的耐用性,專門面向UHF廣播電視應(yīng)用而設(shè)計。作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員,MRFE6VP8600H與其