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Linux下Cold Fire 片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計
本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。 1 硬件平臺和軟件架構(gòu)
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Linux下Cold Fire 片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計
Linux下Cold Fire 片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計
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聯(lián)電公開最新混合型HK/MG 28nm制程方案
聯(lián)電(UMC)稍早前在2009國際電子組件會議(International Electron Device Meeting，IEDM)中，發(fā)表了其獨(dú)特的28奈米制程混合型高介電系數(shù)╱金屬閘極(HK/MG)技術(shù)。 業(yè)界現(xiàn)有兩種不同的HK/MG整合方案同時并行，分別為
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Amdocs天津建開發(fā)運(yùn)營中心：借3G變局提升在華份額
12月8日晚間消息（蔣均牧）Amdocs公司今天宣布，將在天津建立Amdocs中國開發(fā)和運(yùn)營中心。新的中心將面向中國電信市場，全面支持中國的產(chǎn)品和項目生命周期。此舉標(biāo)志著Amdocs中國戰(zhàn)略實(shí)施的重要里程碑，同時亦體現(xiàn)了
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北電將向72名高管發(fā)放750萬美元紅利
北京時間12月1日午間消息（張月紅）當(dāng)美國人剛剛從感恩節(jié)晚宴席上返回，加拿大人又為北電再次發(fā)放獎金的消息而沸騰了。據(jù)加拿大廣播公司（CBC）報道，北電計劃向72名高管發(fā)放近750萬美元的紅利獎勵，根據(jù)北電的內(nèi)部
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歐盟法庭判法國電信償還15億美元政府援助金
北京時間12月1日凌晨消息，據(jù)國外媒體昨日報道，歐盟第二高法庭——歐盟原訟法庭(Court of First Instance)周一駁回了法國電信針對歐盟委員會一項判決所提起的上訴，責(zé)令其償還約10億歐元(約合15億美元)的
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北電悲慘命運(yùn)解析：用錯CEO的可怕代價
俗話說“兵熊熊一個，將熊熊一窩”，如果帶兵打仗的將領(lǐng)出現(xiàn)戰(zhàn)略錯誤，那產(chǎn)生的后果將是毀滅性的，如果說北電網(wǎng)絡(luò)(Nortel Networks)聘用Mike Zafirovski這件事是正確的，恐怕很難有人能忍得住不出聲；這位
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北電前CEO索取1200萬美元惹眾怒：稱其厚顏無恥
北京時間10月14日早間消息（蔣均牧）據(jù)國外媒體報道，由一個北電退休人員及前雇員組成的團(tuán)體發(fā)言人表示，對北電前首席執(zhí)行官要求一家破產(chǎn)公司支付他至少1200萬美元感到震驚，并稱其厚顏無恥。此前，已有不少人通過互
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北電前CEO扎菲羅夫斯基索要1200萬美元報酬
北京時間10月10日消息 據(jù)國外網(wǎng)站報道，北電網(wǎng)絡(luò)前CEO邁克·薩費(fèi)羅夫斯基（C114注：Mike Zafirovski，一般譯作扎菲羅夫斯基）向法庭要求，已經(jīng)破產(chǎn)的這家電信設(shè)備公司應(yīng)支付他至少1200萬美元的報酬。此時距離他
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達(dá)到兩位數(shù)水平，預(yù)計年底良率有望達(dá)到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展
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特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
新加坡特許半導(dǎo)體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。特許半導(dǎo)體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低
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新加坡特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年28nm
據(jù)悉，新加坡特許半導(dǎo)體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。特許半導(dǎo)體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40n
