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雙十一送貨慢？這些機器人應該排上用場
在雙十一這堪稱春運的節(jié)日里，即使增加成倍的快遞員也無法承擔運送如此量度的包裹，所以往往這個這個時候，我們收到快遞的時間比平時晚，甚至是晚上幾倍。
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基于4CCM的場效應晶體管源極輸出電路圖
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω
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基于4CCM的場效應晶體管源極輸出電路圖
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴大面向無線電源充電應用的超小型及低成本eGaN FET產(chǎn)品系列
EPC2037增強型氮化鎵功率晶體管(100 V、1 A、550 mΩ)由一個數(shù)字驅(qū)動器直接驅(qū)動，于采用D類及E類放大器拓撲的無線充電應用中可以實現(xiàn)高頻開關及特別優(yōu)越的性能。
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美經(jīng)濟學家安格斯·迪頓獲2015諾貝爾經(jīng)濟學獎
當?shù)貢r間12日下午1時，諾貝爾獎評選委員會在瑞典斯德哥爾摩的瑞典皇家科學院揭曉了2015年諾貝爾經(jīng)濟學獎得主。美國經(jīng)濟學家安格斯·迪頓(Angus Deaton)榮獲該獎項，表彰其在消費、貧窮與福利方面的研究貢獻。至
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美國半導體研究聯(lián)盟推動后硅晶技術基準比較
導讀：美國半導體研究聯(lián)盟(SRC)旗下?lián)碛?ldquo;納米電子研究創(chuàng)新聯(lián)盟”(Nanoelectronics Research Initiative;NRI)以及“半導體先進技術研發(fā)網(wǎng)絡”(Semiconductor Technology Advanced Research Ne
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基于電流非隔離降壓轉(zhuǎn)換器設計使用的eGaN FETs
設計和建造隔離，降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在可實現(xiàn)標準的5伏輸出使用硅MOSFET但具有有限的性能寬輸入電壓范圍和高輸出電流，特別是在低負荷和高輸入電壓。更重要的是，硅成熟，從寬
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單片機設計注意要點
首先介紹一下這樣做的優(yōu)點：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求，這樣單片機的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
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生物傳感器的電氣特性測量工具和技術
隨著生物/醫(yī)藥、半導體、電子和納米科學領域的諸多技術進步，生物電子技術有可能改變個人健康、加強安全系統(tǒng)、有利于保護環(huán)境、食物和水、改進生活方式。通過半導體和納米技術，非侵入式物理生物傳感器、芯片實驗室
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高速FET輸入儀表放大器電路圖
下圖所示電路是一款高速FET輸入、增益為5的儀表放大器，具有35 MHz寬帶寬和10 MHz時55 dB的出色交流共模抑制(CMR)性能。該電路適用于需要高輸入阻抗、快速儀表放大器的
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IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露電源模塊器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電
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可變增益的功率放大器單片微波集成電路
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設計原理，設計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路( MMIC)。采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的
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采用MOS FET的寬帶放大電路
采用MOS FET的寬帶放大電路
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基于GaAs工藝的可變增益功率放大器的應用設計
本文根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設計原理，設計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。
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IR攜手兩家半導體公司，簽署DirectFET封裝技術授權
【導讀】IR攜手兩家半導體公司，簽署DirectFET封裝技術授權 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用IR的DirectFET封裝技術。
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IR授權兩家公司使用DirectFET封裝技術
【導讀】IR授權兩家公司使用DirectFET封裝技術 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術。
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友達光電宣布收購Field Emission Technologies公司之FED資產(chǎn)及技術
【導讀】友達光電今（20日）宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司（以下簡稱FET）及FET Japan Inc.（以下簡稱FETJ）簽署資產(chǎn)收購技術移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emiss
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分析師稱渾水做空展訊大肆宣傳未違規(guī)
【導讀】持有頭寸并以近乎直播的方式廣為宣傳，這種做法值得商榷。從本質(zhì)上，它倒不是一個內(nèi)幕交易的問題，而是交易行為與言論自由問題相遭遇。昨天展訊通信成了大家議論的焦點，是的，又一個中國會計問題。 摘要
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IR擴充StrongIRFET系列
國際整流器(IR)擴充StrongIRFET系列，為高效能運算及通訊等應用推出20～30伏特(V)元件；其中的IRL6283M 20伏特DirectFET為該系列重點元件，備有極低導通電阻(RDS(on))。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，StrongIRFET系
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 提供極低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低
之一知足
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