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泰克公司繼續(xù)擴(kuò)大其“黃金保障服務(wù)計(jì)劃”的覆蓋范圍
【導(dǎo)讀】中國(guó) 北京，2013年3月5日 –全球示波器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)廠商---泰克公司日前宣布，繼續(xù)擴(kuò)大其成功的“黃金保障服務(wù)計(jì)劃”(Gold Care Service Plans)的覆蓋范圍。經(jīng)過(guò)此次擴(kuò)大后，現(xiàn)有客戶可為更廣泛的已安裝產(chǎn)品申
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ESD靜電防范常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案
ESD靜電防范常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案靜電是人們非常熟悉的一種自然現(xiàn)象。靜電的許多功能已經(jīng)應(yīng)用到軍工或民用產(chǎn)品中，如靜電除塵、靜電噴涂、靜電分離、靜電復(fù)印等。然而，靜電放
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在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中抗ESD的方法與分析
來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏
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IC 的熱特性-熱阻
摘要IC 封裝的熱特性對(duì)IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細(xì)描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù)：熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測(cè)量方式等相關(guān)問(wèn)題作詳細(xì)
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日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)
近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟（ECOW）宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法（ESD）”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機(jī)半導(dǎo)
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英飛凌TVS二極體系列保護(hù)天線裝置免受ESD影響
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出全新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極體系列，保護(hù)天線及前端裝置免于受到瞬態(tài)電壓的影響。全新 ESD101x 和 ESD103x 二極體可吸收危險(xiǎn)的靜電
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物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)備 防雷防靜電(ESD)闡述
一.什么是ESDESDESD(Electro-Staticdischarge)的意思是“靜電釋放”。國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱(chēng)為ESD，中文名稱(chēng)為靜電抑制器。對(duì)電子產(chǎn)品而言，靜電放電往往是致命的——它可能導(dǎo)致元
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ESD產(chǎn)學(xué)聯(lián)盟成立攜手提升IC產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力
隨著半導(dǎo)體制程微縮、電子裝置輕薄短小趨勢(shì)，為提升產(chǎn)品可靠度、降低零組件成本，積體電路與電子系統(tǒng)靜電放電防護(hù)技術(shù)(ESD)需求應(yīng)運(yùn)而生，交通大學(xué)光電學(xué)院院長(zhǎng)柯明道博士獲核科技部推動(dòng)的「補(bǔ)助產(chǎn)學(xué)技術(shù)聯(lián)盟合作計(jì)畫(huà)
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ANSYS連續(xù)第三年榮獲DESIGNCON VISION大獎(jiǎng)
【導(dǎo)讀】ANSYS子公司Apache Design的PathFinder?-Dynamic贏得集成電路設(shè)計(jì)工具類(lèi)別大獎(jiǎng)。 2014年2月5日，匹茲堡訊——ANSYS(NASDAQ: ANSS)連續(xù)第三年榮獲大獎(jiǎng)，彰顯其獨(dú)特工具的強(qiáng)大實(shí)力，能幫助有效改
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大聯(lián)大控股凱悌推出遠(yuǎn)程醫(yī)療看護(hù)解決方案
2014年1月9日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先電子元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下凱悌推出遠(yuǎn)程醫(yī)療看護(hù)解決方案，該系列解決方案來(lái)自眾多國(guó)際半導(dǎo)體廠商，包括美國(guó)AEM公司、AME(安茂微電子)、AMOTECH、Everlight
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MOS管擊穿原因和防護(hù)措施！
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或
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ADI推出四款8-kV ESD開(kāi)關(guān)
21ic訊 Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)今天宣布推出四款8-kV ESD(靜電放電)開(kāi)關(guān)，這些產(chǎn)品能夠保證工作電壓高達(dá)±22 Vds或+40 Vss的高壓工業(yè)應(yīng)用不發(fā)生閂鎖現(xiàn)象。ADI的高壓ADG5401、ADG5421、ADG5423和A
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解決手機(jī)EMI及ESD干擾的新型濾波器設(shè)計(jì)
目前對(duì)于許多流行的手機(jī)(尤其是翻蓋型手機(jī))而言，手機(jī)的彩色LCD、OLED顯示屏或相機(jī)模塊CMOS傳感器等部件，都是通過(guò)柔性電路或長(zhǎng)走線PCB與 基帶控制器相連的，這些連接線會(huì)受
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JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版
微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本，新的UFS 2.0版
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JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版
2013年9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天發(fā)布通用閃存（UFS）標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以
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JEDEC®發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn)（UFS）2.0版
21ic訊 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布通用閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)為需要高性能低功耗的移動(dòng)應(yīng)用和計(jì)算系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延
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倍受矚目的倒車(chē)后視系統(tǒng)面臨設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
美國(guó)交通部在2011年12月提出新的安全法規(guī)，旨在幫助消除車(chē)輛后方的盲區(qū)，這些盲區(qū)導(dǎo)致駕駛員很難看到車(chē)后的行人 - 特別是幼童，此法規(guī)使得基于視頻的汽車(chē)安全系統(tǒng)這一新興領(lǐng)域成為公眾矚目的焦點(diǎn)。此次提出的倒車(chē)后
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JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘要：JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)
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TVS二極管在便攜設(shè)備ESD中應(yīng)用
便攜式設(shè)備如筆記本電腦、手機(jī)、PDA、MP3播放器等，由于頻繁與人體接觸極易受到靜電放電(ESD)的沖擊，如果沒(méi)有選擇合適的保護(hù)器件，可能會(huì)造成機(jī)器性能不穩(wěn)定，或者損壞。更
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MOS管被靜電擊穿的幾個(gè)原因
我們?cè)趯?shí)際電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)調(diào)試過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)有這樣的疑問(wèn)，MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入
