DRAM

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DRAM價格緩步下滑　存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

轉(zhuǎn)自eettaiwan的消息，全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng) PC 出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補，使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆

半導體
2014-03-28

DRAM 存儲器 PC 4G
品安配息大方殖利率高達9.7%

受惠于大股東金士頓擴大將DRAM模組及固態(tài)硬碟(SSD)委外代工，模組廠品安(8088)昨(25)日公告去年獲利2.11億元，創(chuàng)下歷史新高紀錄，每股凈利達3.62元，今年每股將發(fā)放3.262626元現(xiàn)金股利，發(fā)放率高達9成，以昨日收盤價

消費電子
2014-03-28

金士頓 SSD MOBILE DRAM
DRAM價格緩步下滑存儲器業(yè)或產(chǎn)生寡頭

全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng) PC 出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補，使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清

半導體
2014-03-28

DRAM 存儲器 PC 4G
存儲器巨頭再掀產(chǎn)能技術(shù)爭奪戰(zhàn)

無獨有偶的事近期在存儲器領(lǐng)域上演。Spansion公司除宣布整合富士通半導體MCU及相關(guān)業(yè)務(wù)外，還宣布與中國大陸300mm晶圓廠XMC共同簽署一項技術(shù)許可協(xié)議。據(jù)該協(xié)議，XMC將獲得

嵌入式硬件
2014-03-27

美光 SPANSION DRAM 存儲器
2014國內(nèi)外IC行情窺測：展訊中芯助力國產(chǎn)IC跨越式發(fā)展

2014年IC行情：半導體大廠走勢窺探！轉(zhuǎn)眼間，一年又過去了，我們踏入一個新的年份，在半導體行業(yè)里，過去的一年依然是風起云涌，暗戰(zhàn)不斷。不但在產(chǎn)品性能上進行提升，同時在營銷方面也各施其法。而同時由于市場

模擬
2014-03-26

中芯制程技術(shù) IC DRAM
三星電子與英特爾半導體市占差距縮小

據(jù)報道，三星電子穩(wěn)坐去年全球半導體市占第二名，且與市場龍頭英特爾的差距逐漸縮小。韓聯(lián)社23日引述產(chǎn)業(yè)研究業(yè)者報導，去年三星半導體營收較前年同期躍增8.2%，達到338.2億美元，市場占有率則從10.3%上升至10.6%。產(chǎn)

消費電子
2014-03-26

半導體英特爾三星電子 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)景氣明年市場鐵定會更好

DRAM產(chǎn)業(yè)今年風風雨雨，先是上半年DRAM價格飆漲，下半年則是美國DRAM廠美光正式并購日本DRAM廠爾必達，以及SK海力士無錫廠9月初發(fā)生大火。但對臺塑集團旗下南科及華亞科來說

嵌入式硬件
2014-03-25

美光爾必達 SK海力士 DRAM
三星電子與芯片巨頭英特爾市場份額差縮小到4.3%

3月24日消息，據(jù)外媒報道，三星電子縮小了與芯片巨頭英特爾的差距，其市場份額差從5.3%縮小到4.3%。據(jù)市場研究公司IHSiSuppli調(diào)查顯示，三星去年發(fā)布338億美元銷售收入，排名第2。在內(nèi)存和系統(tǒng)芯片領(lǐng)域比前一年上漲8

半導體
2014-03-25

芯片英特爾三星電子 DRAM
Mobile DRAM市場供應(yīng)持續(xù)緊缺原廠更有成本優(yōu)勢

由于NAND Flash與DRAM的生產(chǎn)設(shè)備差異不大，上游芯片廠DRAM與NAND Flash產(chǎn)線會按照市場的供需及價格的變化而轉(zhuǎn)換生產(chǎn)。以下是原廠存儲工藝狀況。目前全球Mobile DRAM主要供應(yīng)商僅限于三星、爾必達(美光)、SK 海力士三

消費電子
2014-03-25

Flash NAND MOBILE DRAM
下世代DDR4 DRAM 功能更強

在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠，近期也相繼導入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動，業(yè)者強調(diào)，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更

嵌入式硬件
2014-03-24

英特爾 DDR4 JEDEC DRAM
三星電子與芯片巨頭英特爾市場份額差縮小到4.3%

3月24日消息，據(jù)外媒報道，三星電子縮小了與芯片巨頭英特爾的差距，其市場份額差從5.3%縮小到4.3%。據(jù)市場研究公司IHSiSuppli調(diào)查顯示，三星去年發(fā)布338億美元銷售收入，排名第2。在內(nèi)存和系統(tǒng)芯片領(lǐng)域比前一年上漲8

模擬
2014-03-24

芯片英特爾三星電子 DRAM
京元電…土狗精神守護苗栗

京元電這幾年積極在苗栗縣投資，投資金額僅次于群創(chuàng)，但論單一公司在苗栗投資占比則居冠。董事長李金恭生于苗栗、長于苗栗，是苗栗客家子弟中，最致力促進地方繁榮、創(chuàng)造就業(yè)機會及提升文化氣息的企業(yè)家。李金恭自

模擬
2014-03-24

聯(lián)發(fā)科半導體產(chǎn)業(yè) 聯(lián)電 DRAM
LED芯片制作中襯底知識大全

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下

顯示光電
2014-03-23

電極 CMOS LED芯片 DRAM
20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制

半導體
2014-03-23

三星三星電子 SK海力士 DRAM
創(chuàng)見董事長：未來3個月DRAM、NAND Flash價格將緩跌

創(chuàng)見資訊董事長束崇萬表示，因市場需求較弱，預計未來3個月DRAM、NAND Flash價格都將緩跌。創(chuàng)見董事長束崇萬今日指出，包括動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)及儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年市場都有點供過于

消費電子
2014-03-21

Flash NAND BSP DRAM
20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制

半導體
2014-03-20

三星三星電子 SK海力士 DRAM
20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導體制

模擬
2014-03-18

三星三星電子 SK海力士 DRAM
世界先進買新廠，2季后貢獻業(yè)績

世界先進(5347)已確定買下南科8寸晶圓廠，將可以加快擴充總產(chǎn)能，初期每年約可增加40萬片晶圓產(chǎn)能，估計約2季時間轉(zhuǎn)換制程后，便可開始貢獻業(yè)績。世界先進現(xiàn)有月產(chǎn)能13.9萬片規(guī)模，本季持續(xù)滿載。為快速擴產(chǎn)，世

模擬
2014-03-18

元件晶圓廠超高壓 DRAM
三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)

消費電子
2014-03-13

三星電子 GB DDR3 DRAM
三星量產(chǎn)最先進20nm 4Gb DDR3 DRAM

作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制

消費電子
2014-03-13

三星 GB DDR3 DRAM

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DRAM

DRAM價格緩步下滑　存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

品安配息大方殖利率高達9.7%

DRAM價格緩步下滑存儲器業(yè)或產(chǎn)生寡頭

存儲器巨頭再掀產(chǎn)能技術(shù)爭奪戰(zhàn)

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三星電子與英特爾半導體市占差距縮小

DRAM產(chǎn)業(yè)景氣明年市場鐵定會更好

三星電子與芯片巨頭英特爾市場份額差縮小到4.3%

Mobile DRAM市場供應(yīng)持續(xù)緊缺原廠更有成本優(yōu)勢

下世代DDR4 DRAM 功能更強

三星電子與芯片巨頭英特爾市場份額差縮小到4.3%

京元電…土狗精神守護苗栗

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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

創(chuàng)見董事長：未來3個月DRAM、NAND Flash價格將緩跌

20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

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三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星量產(chǎn)最先進20nm 4Gb DDR3 DRAM

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