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IBM首席技術(shù)官：相變存儲技術(shù)3-5年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化
IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機型上投入實用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術(shù)專利，不過專利開發(fā)完
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中國芯片行業(yè)如何實現(xiàn)突破
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
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基于YMl2864R點陣式液晶顯示模塊的IVC監(jiān)控系統(tǒng)
實驗動物獨立通氣籠盒(Individual Ventilated Cages，IVC)(閉環(huán))監(jiān)控系統(tǒng)，由微控制器實現(xiàn)對籠盒風(fēng)扇的通氣量、籠盒內(nèi)部的氨含量等參數(shù)采集，并根據(jù)這些參數(shù)來調(diào)整通氣風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，以調(diào)整籠盒的換氣率，從而確?；\盒內(nèi)
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戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
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戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)預(yù)警
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題，正高懸于更多的新興行業(yè)之上，如何避免相同的問題被復(fù)制，更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來，新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
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1Gb DDR3摜破1.3美元 DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大
11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元；DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補跌來
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應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長
針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
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VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測
按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。同時，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為24
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應(yīng)用材料計劃重返硅蝕刻領(lǐng)域，投放新型裝置
美國應(yīng)用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，為了重返硅蝕刻領(lǐng)域，開發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蝕刻領(lǐng)域的市場份額方面，
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DRAM產(chǎn)業(yè)二次崩盤潮
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至
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應(yīng)用材料推出全新刻蝕系統(tǒng)
應(yīng)用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蝕系統(tǒng)，主要針對45nm以下存儲和邏輯芯片市場。結(jié)構(gòu)緊湊的Centris系統(tǒng)裝配了8個反應(yīng)腔，即6個刻蝕反應(yīng)腔和2個刻蝕后清潔腔，每小時可
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產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價格持續(xù)下滑
根據(jù)分析師和市場研究人員表示，個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測，2011年中期DRAM市場仍將供過于求，但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示，DRAM季度收入將可能在
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DRAM供需待調(diào)整2011年下半走向平衡
南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，
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DRAM供需待調(diào)整 2011年下半走向平衡
南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，
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朝鮮半島交鋒 臺DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計囊括全球超過60%市占率，NANDFlash則合計有超過50%市占，加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被韓
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朝鮮半島交鋒 臺DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計囊括全球超過60%市占率，NAND Flash則合計有超過50%市占，加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被
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全球IC市場喜憂參半
根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;正面的跡象包括
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全球IC市場呈現(xiàn)之正面與負面跡象
根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%；2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象；正面的跡象包
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客戶端9月需求下滑 逸昌第4季營運轉(zhuǎn)弱
模擬IC測試廠逸昌科技18日召開法說會，由于模擬IC客戶端需求自9月開始走弱，沖擊后段測試需求，該公司預(yù)測第4季產(chǎn)能利用率將由高檔的90%下降至70%，等于單季營收也將同步季減至少20%。逸昌董事長郭嘯華認為，此系季節(jié)
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42奈米制程 明年Q2量產(chǎn)
支應(yīng)集團DRAM事業(yè)制程升級大計，南科（2408）規(guī)劃辦理99億元現(xiàn)增，臺塑四寶依持股，連手斥資40.8億元大力相挺。南科董事長吳嘉昭昨（16）日表示，集團DRAM在年底華亞科全面導(dǎo)入50奈米制程后，亦即完成導(dǎo)入堆棧式改變
