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2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)或大幅增長(zhǎng)至3040億美元
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng)，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元，較2009年總收
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東芝停電事故將導(dǎo)致NAND閃存芯片價(jià)格上漲15%
亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。Dramexchange分析師希恩-楊（SeanYang）表示，32G
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封測(cè)廠下季ASP 變化不大
市場(chǎng)傳出封測(cè)廠明年第1季平均接單價(jià)格（ASP）將出現(xiàn)5％至10％跌幅，但包括日月光、矽品、菱生、超豐等邏輯IC封測(cè)業(yè)者則表示，國(guó)內(nèi)業(yè)者雖有要求降價(jià)，但短期不會(huì)有結(jié)論，也就是下季看來不會(huì)降價(jià)，且國(guó)際大客戶并沒有任
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2010年全球半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)盤點(diǎn)
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線
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IDM加強(qiáng)與中國(guó)大陸廠技術(shù)合作
中國(guó)大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng)，并且藉著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并，競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升，例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠，加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作，大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開始進(jìn)入蓬勃
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IDM加強(qiáng)與中國(guó)大陸廠技術(shù)合作 臺(tái)封測(cè)廠壓力漸增
中國(guó)大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng)，并且藉著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并，競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升，例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠，加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作，大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開始進(jìn)入蓬勃
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封測(cè)客戶明年首季砍價(jià)不手 軟邏輯IC記憶體降幅5~10%
年關(guān)將屆，各家封測(cè)廠開始與客戶端協(xié)商2011年首季代工報(bào)價(jià)，然情況卻不樂觀，由于邏輯IC和記憶體封測(cè)客戶皆面臨沉重成本壓力，要求后段廠能降價(jià)且幅度從5%起跳，尤其記憶體封測(cè)客戶砍價(jià)毫不手軟，要求降幅逼近10%，明
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記憶體封測(cè)廠11月營(yíng)收
記憶體封測(cè)族群下半年?duì)I收表現(xiàn)相對(duì)突出。力成11月營(yíng)收為新臺(tái)幣33.51億元，較上月微幅增加，創(chuàng)下新高記錄。該公司表示，爾必達(dá)(Elpida)雖然針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進(jìn)行減產(chǎn)，但也持續(xù)增加Mobile DRAM的訂單，希望12月營(yíng)收也能
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2010年半導(dǎo)體封裝年度總結(jié)
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅
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2010年H1全球五大第三方DRAM模組廠商排名，金士頓遙遙領(lǐng)先
據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納
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2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線鍵
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IDM加強(qiáng)與大陸廠技術(shù)合作 臺(tái)封測(cè)廠壓力漸增
大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng)，并且借著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并，競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升，例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠，加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作，大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開始進(jìn)入蓬勃發(fā)展
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無錫通芝、集成電路
日本東芝(Toshiba)與南通富士通于2010年4月成立合資無錫通芝公司，初期東芝半導(dǎo)體(無錫)出資80%、南通富士通出資20%，但數(shù)年后南通富士通將持過半股份，未來將可獲得東芝及其子公司等日系高階封測(cè)訂單。 中資蘇州
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2010年半導(dǎo)體封裝盤點(diǎn)：低成本的銅引線鍵合引人注目
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅引線
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半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅
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封測(cè)廠11月營(yíng)收跌多漲少，記憶體相關(guān)最強(qiáng)勢(shì)
時(shí)序即將邁入年終之際，IC封測(cè)廠的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)也開始轉(zhuǎn)弱，11月的營(yíng)收跌多漲少，其中表現(xiàn)較為逆勢(shì)的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369)，均較上月出現(xiàn)反升，而記憶體封測(cè)廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則
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三家FPGA公司面臨侵權(quán)指控
由微軟前CTO Nathan Myhrvold創(chuàng)辦的美國(guó)知識(shí)風(fēng)險(xiǎn)公司，日前針對(duì)半導(dǎo)體專利侵權(quán)一案展開了多項(xiàng)行動(dòng)，包括兩家內(nèi)存商及三家FPGA供應(yīng)商。美國(guó)知識(shí)風(fēng)險(xiǎn)公司,成立于2000年,Myhrvold表示,公司已向特拉華州聯(lián)邦法院提交了多
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金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。 2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%
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封測(cè)業(yè)11月營(yíng)收兩樣情 內(nèi)存有撐 邏輯IC疲軟
封測(cè)業(yè)11月營(yíng)收陸續(xù)出爐。整體來說，依舊以內(nèi)存封測(cè)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)較佳，包括力成、福懋科和華東等單月實(shí)績(jī)?nèi)詣?chuàng)歷史新高紀(jì)錄。在邏輯IC封測(cè)業(yè)相對(duì)疲弱，日月光、京元電呈現(xiàn)下滑，硅格持平，硅品和欣銓逆勢(shì)微幅揚(yáng)升。觀察
