行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器,該處理器采用可進(jìn)行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交換和計(jì)時(shí)解
引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái),設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲(chǔ)管理。1 總體架構(gòu)設(shè)計(jì)機(jī)載視頻圖形顯示系
行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世,iSuppli 公司認(rèn)為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。DDR2
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測(cè),DDR3 (Double Data Rate 3) 標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球 DRAM 市場(chǎng)出貨占比可望突破 50%。以單位出貨量計(jì)算,
DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
歷經(jīng)六年的開發(fā)時(shí)間,DDR4終于踏上征程,揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3,開始支持時(shí)鐘頻
行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
Integrated Device Technology (IDT)公司宣布支持以Nehalem為架構(gòu)的Intel Xeon處理器,其中包括已可量產(chǎn)的PCI Express(PCIe)交換器和時(shí)脈解決方案,以及Intel認(rèn)可的DDR3緩
歷經(jīng)六年的開發(fā)時(shí)間,DDR4終于踏上征程,揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3,開始支持時(shí)鐘頻
行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性,并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,相比于DDR3取得重大性能提升,同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)
21ic訊 領(lǐng)先市場(chǎng)的高速、高容量、無(wú)需電池的非易失性存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量
Rambus雖說(shuō)是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠(yuǎn)
DRAM廠的競(jìng)爭(zhēng)決賽進(jìn)入20納米制程世代,更從4Gb芯片往8Gb芯片邁進(jìn),繼韓系大廠2013年宣示8Gb芯片推出后,大整合后氣勢(shì)強(qiáng)盛的美光(Micron)也往8Gb DDR3芯片邁進(jìn),以25納米制程打造,目的在于掌握大型資料庫(kù)云端儲(chǔ)存商機(jī)
DRAM拉貨潮啟動(dòng),加上芯片廠制程推進(jìn)受阻,主流DDR34Gb顆?,F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價(jià),本季漲幅近二成,有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn),華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
1概述當(dāng)今計(jì)算機(jī)系統(tǒng)DDR3存儲(chǔ)器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升,現(xiàn)已高達(dá)1866Mbps.在這種高速總線條件下,要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時(shí)序要求,對(duì)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
Intel將在未來(lái)一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器,其中Broadwell主打筆記本移動(dòng)平臺(tái),Skylake則會(huì)為桌面平臺(tái)帶來(lái)全新升級(jí),無(wú)論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍,尤其是支持DDR4。今天,我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量