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提升電源效率和可靠性的黃金搭檔：半橋諧振LLC與CoolMOS開(kāi)關(guān)管
在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，電源系統(tǒng)的效率和可靠性是衡量其性能的重要指標(biāo)。隨著科技的不斷進(jìn)步，各種高效、高可靠性的電源設(shè)計(jì)方案層出不窮。其中，半橋諧振LLC拓?fù)渑cCoolMOS開(kāi)關(guān)管的結(jié)合，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成為了提升電源效率和可靠性的黃金搭檔。本文將深入探討這一組合的工作原理、優(yōu)勢(shì)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
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性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET
【2020年3月3日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開(kāi)發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對(duì)于MOSFET低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來(lái)領(lǐng)先的功率密度和能效。
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一種基于ICE3AR2280JZ和CoolMOS的三相開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
智能電表是智能電網(wǎng)的智能終端，除了具備傳統(tǒng)電能表基本用電量的計(jì)量功能以外，為了適應(yīng)智能電網(wǎng)和新能源的使用它還具有用電信息存儲(chǔ)、雙向多種費(fèi)率計(jì)量功能、用戶端控制功
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英飛凌推出CoolMOS MOSFET無(wú)管腳SMD封裝：ThinPAK 5x6
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET無(wú)管腳SMD(表面貼裝)封裝：ThinPAK 5x6。移動(dòng)設(shè)備充電器、超高清電視和LED燈具都必須滿足許多相互矛盾的要求。消費(fèi)
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基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開(kāi)關(guān)電源的方案
背景：智能電表是智能電網(wǎng)的智能終端，除了具備傳統(tǒng)電能表基本用電量的計(jì)量功能以外，為了適應(yīng)智能電網(wǎng)和新能源的使用它還具有用電信息存儲(chǔ)、雙向多種費(fèi)率計(jì)量功能、用戶端控制功能、多種數(shù)據(jù)傳輸模式的雙向數(shù)據(jù)通信
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基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開(kāi)關(guān)電源的方案
近年來(lái)，世界各國(guó)均發(fā)展智能電網(wǎng)，智能電表在這應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用，可以使用戶與電力系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)互動(dòng)，如一方面幫助電力機(jī)構(gòu)精確了解用戶的用電規(guī)律，為高峰用電或低谷用電設(shè)定差異化的電價(jià)；另一方面，用戶也可以調(diào)整自己的用電計(jì)劃，節(jié)省電費(fèi)支出。一款基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開(kāi)關(guān)電源的方案，針對(duì)輸入寬電壓及負(fù)載調(diào)整率方面做了相應(yīng)的介紹。
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英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS™ C7，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)全球最低的通態(tài)電阻
21ic訊 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另
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英飛凌推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7
英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得
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英飛凌首個(gè)CoolMOS家族芯片通過(guò)質(zhì)檢，已向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來(lái)的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
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提升電源系統(tǒng)可靠性的有效選擇
近來(lái)， LLC拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過(guò)載，短路等情況下。Infineon CoolMOS CFD2系列
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英飛凌搭載集成式快速體二極管的車用650V CoolMOS? CFDA
近日英飛凌科技（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出全新650V CoolMOS? CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMO
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英飛凌推出650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品
21ic訊 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世
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英飛凌推出650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品
21ic訊 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功
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全新650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；?/p>
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英飛凌大刀闊斧推進(jìn)能效及節(jié)能技術(shù)提升
英飛凌科技(Infineon Technologies)日前在一場(chǎng)媒體記者會(huì)上與臺(tái)灣業(yè)界分享了該公司最新能源效率及節(jié)能技術(shù)趨勢(shì)，會(huì)中針對(duì)日益受到重視的節(jié)能議題及技術(shù)發(fā)展作了詳盡的報(bào)告，并透過(guò)介紹英飛凌最新一代CoolMOS C6系列及
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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飛兆指控英飛凌專利侵權(quán)，CoolMOS、OptiMOS等涉及其中
美國(guó)飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)在美國(guó)對(duì)英飛凌(Infineon)提起訴訟，控告這家德國(guó)公司的CoolMOS和OptiMOS電源管理器件，以及Infineon IGBT和CanPak侵犯了飛兆半導(dǎo)體的專利。 飛兆半導(dǎo)體的副總裁兼總經(jīng)理J
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