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CMOS開關(guān)

我要報(bào)錯(cuò)

  • 非常見問題解答第233期：自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

    AI需要高密度和高帶寬來高效處理數(shù)據(jù)，因此HBM至關(guān)重要。ATE廠商及其開發(fā)的系統(tǒng)需要跟上先進(jìn)內(nèi)存接口測(cè)試的發(fā)展步伐。ADI公司的CMOS開關(guān)非常適合ATE廠商的內(nèi)存晶圓探針電源測(cè)試。這些CMOS開關(guān)擁有快速導(dǎo)通和可擴(kuò)展性等特性，能夠提升測(cè)試并行處理能力，從而更全面、更快速地測(cè)試內(nèi)存芯片。

  • 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

    本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測(cè)試時(shí)代ATE廠商不斷升級(jí)的需求。

  • 一文學(xué)會(huì)高效比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器性能

    源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器)中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號(hào)量。ADI將在本文討論如何從關(guān)斷隔離度推導(dǎo)出COUT，以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關(guān)的性能。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)镃MOS開關(guān)適合許多使用固態(tài)繼電器的應(yīng)用，例如切換直流信號(hào)和高速交流信號(hào)。