圖像傳感器是利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像的光信號轉(zhuǎn)換為電信號的一種裝置。傳統(tǒng)的CCD技術(shù)上已經(jīng)比較成熟,然而由于工藝復(fù)雜導(dǎo)致成本居高不下,大大限制了其推廣與應(yīng)用。于是,接觸式圖像傳感器(CIS,Contact Image Senso
圖像傳感器是利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像的光信號轉(zhuǎn)換為電信號的一種裝置。傳統(tǒng)的CCD技術(shù)上已經(jīng)比較成熟,然而由于工藝復(fù)雜導(dǎo)致成本居高不下,大大限制了其推廣與應(yīng)用。于是,接觸式圖像傳感器(CIS,Contact Image Senso
世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布的最新數(shù)據(jù)顯示,2011年國際專利申請數(shù)量達(dá)到181900件,比上年增長10%,創(chuàng)歷史新高。WIPO總干事Francis Gurry表示:“盡管全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)低迷,但全球企業(yè)的發(fā)明創(chuàng)新活動并沒有因此受到影響
據(jù)路透社報道,一位聯(lián)合國官員在周一表示,全球范圍的專利申請數(shù)在去年達(dá)到了一個歷史性高度,這其中主要的增長是來自于中國及其它中等收入的國家和地區(qū)。世界知識產(chǎn)權(quán)組織公布2011年全球?qū)@暾埧倲?shù)為181900項,較
北京時間3月6日消息,世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布的最新數(shù)據(jù)顯示,2011年國際專利申請數(shù)量達(dá)到181900件,比上年增長10%,創(chuàng)歷史新高。WIPO總干事Francis Gurry表示:“盡管全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)低迷,但全球企業(yè)的發(fā)明創(chuàng)
臺積電 (2330-TW)(TSM-US) 董事長暨總執(zhí)行長張忠謀今(5)日出席臨時董事會決議說明記者會強調(diào),28/20奈米營收貢獻(xiàn)將逐年攀升。其中20奈米部分,最快明(2013)年可望開始貢獻(xiàn)營收。 他指出,就臺積電技術(shù)與營運事業(yè)發(fā)
2011年2月4日,《日本經(jīng)濟(jì)新聞》等媒體報道了夏普與臺灣奇美電子(Chi Mei Innolux)合作的消息。報道指出兩家公司的主要合作內(nèi)容包括:(1)夏普向奇美轉(zhuǎn)讓最新液晶面板技術(shù),(2)夏普采購奇美制造的20~39英寸液晶
今天,第九屆中國國際科學(xué)儀器及實驗室裝備展覽會在北京拉開帷幕,此次展會將持續(xù)到4月27日。此次展會共有700家國內(nèi)外科學(xué)儀器及實驗室裝備的相關(guān)企業(yè)參與,展出面積達(dá)30000平方米。 展會將更加重點突出國際化和專業(yè)
北京時間12月21日早間消息(蔣均牧)據(jù)國外媒體報道,肯尼亞電信監(jiān)管機構(gòu)CKK已推遲運營商禁止非法手機入網(wǎng)的期限直至2012年4月,理由是網(wǎng)絡(luò)中缺乏探測非法手機的必須設(shè)備。該項禁令的生效期已從今年9月底延至年底前
一二線城市各級醫(yī)院HIS升級契機來臨 筆者通過對一二線城市的三級醫(yī)院、二級醫(yī)院及部屬醫(yī)院進(jìn)行調(diào)研發(fā)現(xiàn),近期HIS系統(tǒng)在一二線城市的各級醫(yī)院滲透率已經(jīng)較高,但上線時間較長。一般三級醫(yī)院HIS系統(tǒng)的上線時間已經(jīng)超過
智能型手機、平板計算機等手持式裝置當(dāng)?shù)溃覍τ谙鄼C畫素規(guī)格要求愈來愈高,不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn),預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢,CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination;BSI)制程,Omniv
智能型手機、平板計算機等手持式裝置當(dāng)?shù)?,且對于相機畫素規(guī)格要求愈來愈高,不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn),預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢,CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination;BSI)制程,Omni
智能型手機、平板計算機等手持式裝置當(dāng)?shù)?,且對于相機畫素規(guī)格要求愈來愈高,不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn),預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢,CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination;BSI)制程,Omni
連于慧/臺北 智慧型手機、平板電腦等手持式裝置當(dāng)?shù)溃覍τ谙鄼C畫素規(guī)格要求愈來愈高,不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn),預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢,CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination;BSI
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
在工信部和中國電子學(xué)會的支持下,由中國電子展組委會主辦,電子元件技術(shù)網(wǎng)組織實施的“2011年度中國電子制造商采購行為調(diào)查暨中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商評選”結(jié)果在本屆電子展期間隆重揭曉。共有28家國際和國內(nèi)電
日本昭和殼牌石油公司旗下從事太陽能電池生產(chǎn)及銷售業(yè)務(wù)的子公司Solar Frontier公司在法國首次建成配備其獨自開發(fā)生產(chǎn)的CIS(銅銦硒)薄膜太陽能電池的光伏電站,并已投入運轉(zhuǎn)。該公司與光伏發(fā)電系統(tǒng)全球建設(shè)承包商Bel