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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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瑞薩2009釋放沉淀，穩(wěn)步革新
2009年，全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)所帶來的負(fù)面影響波及世界各個角落。中國的半導(dǎo)體市場規(guī)模下降至682億美元，較去年下滑6.8%。相對于過去幾年保持強(qiáng)勁增長的中國半導(dǎo)體市場來說，這是很大的降幅。然而正是在這樣嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)面前，
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瑞薩2009釋放沉淀，穩(wěn)步革新
2009年，全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)所帶來的負(fù)面影響波及世界各個角落。中國的半導(dǎo)體市場規(guī)模下降至682億美元，較去年下滑6.8%。相對于過去幾年保持強(qiáng)勁增長的中國半導(dǎo)體市場來說，這是很大的降幅。然而正是在這樣嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)面前，
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R32C/100系列CISC MCU（瑞薩）
R32C/100系列CISC MCU（瑞薩）
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一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時間，提高器件的動態(tài)性能。
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一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時間，提高器件的動態(tài)性能。
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R&S公司將展示其全面領(lǐng)先的電磁兼容測試解決方案
R&S公司將展出其全系列的EMI測試接收機(jī)：R&S?ESU、ESCI、ESPI和ESL,覆蓋了20Hz-40GHz 的頻率范圍, 全部支持最新的CISPR-AV, CISPR-RMS檢波方式，從全兼容的軍標(biāo)民標(biāo)測試到簡單的診斷測試，可符合各種不同層次
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德章在大中華區(qū)分銷CISSOID高溫電子元件
高溫半導(dǎo)體方案供應(yīng)商CISSOID與高溫電子元件及IC元件的專業(yè)分銷商德章系統(tǒng)有限公司聯(lián)合宣布，兩家公司已簽署獨(dú)家分銷協(xié)議，該協(xié)議由二零零九年八月一日起生效，適用于大中華地區(qū)(即中國、臺灣地區(qū)及香港地區(qū))。 德章
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韓國要求大企業(yè)必設(shè)CISO
近日韓國通信委員會(KCC)召開“CEO信息保護(hù)戰(zhàn)略會議”，出臺了“提高企業(yè)信息安全水平”方案，旨在提高民營企業(yè)的信息安全意識。會上，該委員會規(guī)定年銷售額超過8000億韓元的大企業(yè)最快將從明年
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)
晶圓代工企業(yè)上海華虹NEC電子有限公司日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS圖像傳感器(CIS162)工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)
晶圓代工企業(yè)上海華虹NEC電子有限公司日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS圖像傳感器(CIS162)工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段?！?華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，
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PIC單片機(jī)原理
據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國的單片機(jī)年容量已達(dá)1－3億片，且每年以大約16%的速度增長，但相對 于世界市場我國的占有率還不到1%。這說明單片機(jī)應(yīng)用在我國才剛剛起步，有著廣闊的前景。培養(yǎng)單片機(jī)應(yīng)用人才，特別是在工程技術(shù)人員中
