先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的可靠性建模：BTI/HCI效應(yīng)仿真與參數(shù)提取技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm及以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，器件尺寸的持續(xù)縮小導(dǎo)致可靠性問(wèn)題日益凸顯。其中，負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative Bias Temperature Instability, BTI）和熱載流子注入（Hot Carrier Injection, HCI）效應(yīng)成為影響芯片長(zhǎng)期穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)基于經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ偷目煽啃苑治龇椒ㄒ央y以滿足先進(jìn)工藝的精度需求，而基于物理機(jī)制的仿真與參數(shù)提取技術(shù)成為解決這一難題的核心路徑。本文從BTI/HCI效應(yīng)的物理機(jī)制出發(fā)，系統(tǒng)探討先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下的可靠性建模方法，并分析其技術(shù)挑戰(zhàn)與未來(lái)方向。