先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)BTI/HCI效應(yīng)建模：老化感知的時(shí)序收斂方法

隨著7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的普及，負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性（NBTI/PBTI）和熱載流子注入（HCI）效應(yīng)已成為影響芯片長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵因素。本文提出一種基于物理機(jī)理的老化感知時(shí)序收斂方法，通過建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型，結(jié)合靜態(tài)時(shí)序分析（STA）與動(dòng)態(tài)老化追蹤技術(shù)，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)階段到簽核階段的全流程老化防護(hù)。實(shí)驗(yàn)表明，該方法可使芯片在10年壽命周期內(nèi)的時(shí)序違規(guī)率降低92%，同時(shí)保持小于5%的面積開銷。