ARM
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德州儀器推出Tiva™ C系列ARM® Cortex™-M4微控制器
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出最新 Tiva™ ARM® MCU 平臺，進(jìn)一步拓展其超過 20 年開發(fā)領(lǐng)先微控制器 (MCU) 技術(shù)與 ARM 處理器的豐富經(jīng)驗。最新平臺的首批器件 Tiva C 系列 TM4C123x ARM Cortex-M4
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ARM發(fā)布ARMv8 Cortex-A50系列處理器POP IP產(chǎn)品
ARM近日宣布針對臺積公司28HPM(移動高性能)工藝技術(shù)，推出基于ARMv8架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化包(POP)IP產(chǎn)品，并同時發(fā)布針對臺積公司16納米 FinFET工藝技術(shù)的POP IP產(chǎn)品路線圖。POP技術(shù)是ARM全面實現(xiàn)策
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ARM針對臺積公司28納米HPM和16納米 FinFET工藝技術(shù)發(fā)布Cortex-A50系列POP IP產(chǎn)品
ARM® POP™將加速ARM CortexTM-A57與Cortex-A53處理器的設(shè)計實現(xiàn)21ic訊 ARM近日宣布針對臺積公司28HPM(移動高性能)工藝技術(shù)，推出基于ARMv8架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化包(POP)IP產(chǎn)品，并同時發(fā)
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主流手機(jī)處理器格局淺析
無論桌面還是移動，處理器無疑是驅(qū)動所有結(jié)構(gòu)工作的核心動力;在移動領(lǐng)域除了ARM這個家長在為需要高性能低功耗的嵌入式領(lǐng)域設(shè)計規(guī)范之外，高通、NV、三星以及新晉Intel都積極的在此規(guī)范之上、依靠自己在計算、通信、圖
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臺積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)
隨著移動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場的老大，臺積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺積電的一舉一動也頗受關(guān)注。日前，臺積電宣
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臺積電:加速改變摩爾定律將推10nm制程
不久前ARM才宣布與臺積電完成首款以16nmFinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品的消息，并且最快在今年內(nèi)就成正式量產(chǎn)，目前臺積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV(波長較短的紫外線)為基礎(chǔ)原理的10nm制成技
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英特爾加快步伐 將與ARM激戰(zhàn)到底
目前英特爾在積極和終端OEM廠商接觸，希望在2013年拉攏更多的廠商推出產(chǎn)品，目標(biāo)是鎖定更大的合作伙伴。另外，英特爾也開始和比亞迪合作做參考設(shè)計方案，這樣可以幫助終端廠商更快把產(chǎn)品推向市場。英特爾必須加快轉(zhuǎn)型
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加速摩爾定律 臺積電計劃2015年完成10nm制成技術(shù)
不久前ARM才宣布與臺積電完成首款以16nmFinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品的消息，并且最快在今年內(nèi)就成正式量產(chǎn)，目前臺積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV(波長較短的紫外線)為基礎(chǔ)原理的10nm制成技
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GigaDevice發(fā)布基于ARM CortexTM-M3內(nèi)核32位通用MCU
GigaDevice (兆易創(chuàng)新)日前在中國發(fā)布14款基于ARM® CortexTM-M3內(nèi)核的GD32F103系列32位通用MCU產(chǎn)品。目前，該系列產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣片。GD32系列MCU力爭為用戶帶來優(yōu)異的系統(tǒng)性能與靈活的應(yīng)用體驗，并在性價比上
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英特爾比亞迪開始合作：將與ARM激戰(zhàn)到底
目前英特爾在積極和終端OEM廠商接觸，希望在2013年拉攏更多的廠商推出產(chǎn)品，目標(biāo)是鎖定更大的合作伙伴。另外，英特爾也開始和比亞迪合作做參考設(shè)計方案，這樣可以幫助終端廠商更快把產(chǎn)品推向市場。英特爾必須加快轉(zhuǎn)型
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競爭激烈！臺積電提前試產(chǎn)16nm工藝
曾經(jīng)有客戶希望臺積電的工藝更新?lián)Q代步伐能夠放緩一些，但無論從技術(shù)還是從商業(yè)角度講，臺積電顯然都不可能這么做，甚至還要加快速度，已經(jīng)決定將16nm FinFET工藝的試產(chǎn)時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在201
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臺積電:加速改變摩爾定律將推10nm制程
【聯(lián)合新聞網(wǎng)／記者楊又肇／報導(dǎo)】 不久前ARM才宣布與臺積電完成首款以16nm FinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品的消息，并且最快在今年內(nèi)就成正式量產(chǎn)，目前臺積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV (波
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華北工控新推基于Freescale ARM架構(gòu)All In One Mini主板
21ic訊 華北工控順應(yīng)市場趨勢，推出一款基于Freescale ARM架構(gòu)All In One Mini主板EMB-2500。該板體積小巧、性能強(qiáng)勁、功耗低，主要針對小空間、小體積應(yīng)用方案而設(shè)計。采用的是Freescale Cortex™-A9架構(gòu)的高
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魏少軍：切勿錯失超摩爾定律機(jī)會窗口
摩爾定律確實是變慢了。依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每2年進(jìn)入一個新世代。但是從工藝微縮角度講，所有業(yè)界人士有一個共識，即半導(dǎo)體遲早會遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，無論是10nm、7nm，還是5nm，
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魏少軍：切勿錯失超摩爾定律機(jī)會窗口
摩爾定律確實是變慢了。依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每2年進(jìn)入一個新世代。但是從工藝微縮角度講，所有業(yè)界人士有一個共識，即半導(dǎo)體遲早會遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，無論是10nm、7nm，還是5nm，
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ARM攜手Cadence：開發(fā)基于TSMC 16納米FinFET的A57處理器
ARM和Cadence近日宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開發(fā)首款基于臺積電16納米FinFET制程的ARM®Cortex™-A57處理器，實現(xiàn)對16納米性能和功耗縮小的承諾。測試芯片是采用完整的Cadence RTL-to-signoff流程、 Cadence
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法國布伊格電信宣布數(shù)周內(nèi)將推出LTE服務(wù)
據(jù)國外媒體報道，法國移動運(yùn)營商布伊格電信(Bouygues Telecom)首席執(zhí)行官Olivier Roussat表示，未來幾周內(nèi)，布伊格電信將使用2600 MHz頻段在8個法國城市推出4G LTE移動網(wǎng)絡(luò)。該運(yùn)營商的公告遵循了上月監(jiān)管機(jī)構(gòu)的一項
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22nm死磕ARM Intel新一代Atom處理器首秀
到今年底的時候Intel的Atom處理器制造工藝也將會采用22nm 3D晶體管技術(shù)，目前的超低功耗的Bordenville平臺未來會被新工藝新架構(gòu)的Avoton取代。Bordenville平臺中的代表型號是Atom S1200，它號稱是世界上首款將功耗控
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中國半導(dǎo)體創(chuàng)新步入"深水區(qū)" 勿錯失超摩爾定律機(jī)會
摩爾定律確實是變慢了。依照摩爾定律，全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每2年進(jìn)入一個新世代。但是從工藝微縮角度講，所有業(yè)界人士有一個共識，即半導(dǎo)體遲早會遇到技術(shù)上無法克服的物理極限，無論是10nm、7nm，還是5nm，
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ARM攜手Cadence：開發(fā)基于TSMC 16納米FinFET的A57處理器
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