日亞于英國控告首爾半導體LED燈侵權

據(jù)國外媒體報道5月14日，日本LED大廠日亞化學工業(yè)(NichiaCorp.)宣布，已向英國相關機構正式遞狀控告韓國首爾半導體(SeoulSemiconductor)及于英國販賣首爾半導體產(chǎn)品的AvnetEMGLtd兩家公司販賣的產(chǎn)品，侵犯了日亞的專

美國地方法院判決日亞(Nichia)向首爾半導體索償敗訴

首爾半導體 [股份上市編號: KOSDAQ 046890], 全球主要發(fā)光二極管(LED)環(huán)保照明技術生產(chǎn)商之一, 今天宣布就首爾半導體與日本日亞公司(Nichia Corporation)側(cè)光LED的侵權訴訟, 美國加里福尼亞州北部的美國地方法院Ches

首爾半導體及臺灣億光電子與Rothschild就專利侵權達成和解

韓國首爾半導體（Seoul Semiconductor）和臺灣億光電子（Everlight Electronics）與Gertrude Neumark Rothschild針對侵犯Rothschild短波長LED和激光二極管專利的訴訟達成了和解。Rothschild的代理律師所在的美國Dre

超亮LED—Z-Power P7系列（首爾半導體）

首爾半導體日前宣布成功研發(fā)及在市場推出超亮LED—Z-Power P7系列

首爾半導體全球最光亮LED可達900流明/10瓦特的光亮度[1]

首爾半導體[股份上市編號: KOSDAQ 046890], 全球主要發(fā)光二極管(LED)環(huán)保照明技術生產(chǎn)商之一, 今天宣布成功研發(fā)及在市場推出超亮LED—Z-Power P7系列。Z-Power P7系列為單一封裝LED, 可以發(fā)出900流明/10瓦特的全球最

超亮LED—Z-Power P7系列（首爾半導體）

首爾半導體日前宣布成功研發(fā)及在市場推出超亮LED—Z-Power P7系列

美國國際貿(mào)易委員會(ITC)表決通過向日亞公司(Nichia)展開調(diào)查有關其侵犯首爾半導體專利權之訴狀

美國國際貿(mào)易委員會(the U.S. International Trade Commission, 簡稱 "ITC") 于2008年1月4日宣布, 經(jīng)已表決通過向日亞公司(Nichia)展開調(diào)查有關其侵犯首爾半導體專利權之訴狀, 調(diào)查范圍將集中于日亞公司的短波段半導

首爾半導體向日亞提出誹謗訴訟 索償5億韓元

首爾半導體向日亞提出誹謗訴訟 索償5億韓元

首爾半導體遭受誹謗向日亞公司(Nichia)提出訴訟

首爾半導體, 全球主要發(fā)光二極管(LED)環(huán)保照明技術生產(chǎn)商之一, 宣布于2008年1月7日, 因應日亞公司(Nichia)有關 "美國加利福尼亞州北部地區(qū)法院設計專利權案件"(美國設計專利權案件)所作出的錯誤聲明, 在韓國首爾中央

0.17mm厚高亮度LED芯片（首爾半導體）

首爾半導體(Seoul Semiconductor Co, Ltd.)宣布成功研發(fā)出厚度只有0.17mm，可以產(chǎn)生比現(xiàn)時同類產(chǎn)品高出兩倍光度的LED芯片。

0.17mm厚高亮度LED芯片（首爾半導體）

首爾半導體(Seoul Semiconductor Co, Ltd.)宣布成功研發(fā)出厚度只有0.17mm，可以產(chǎn)生比現(xiàn)時同類產(chǎn)品高出兩倍光度的LED芯片。